| 研究課題/領域番号 |
21246004
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
名西 憓之 (名西 やす之) 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 教授 (40268157)
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| 研究分担者 |
荒木 努 立命館大学, 理工学, 准教授 (20312126)
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| 連携研究者 |
山口 智広 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー (50454517)
金子 昌充 立命館大学, 総合理工学研究機構, ポストドクトラルフェロー (70374709)
WANG Ke 立命館大学, 総合科学技術研究機構, ポストドクトラルフェロー (60532223)
城川 潤二郎 立命館大学, 総合理工学研究機構, 教授 (70469196)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
45,630千円 (直接経費: 35,100千円、間接経費: 10,530千円)
2012年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2011年度: 7,280千円 (直接経費: 5,600千円、間接経費: 1,680千円)
2010年度: 23,270千円 (直接経費: 17,900千円、間接経費: 5,370千円)
2009年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
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| キーワード | ヘテロ構造 / InN / MBE / RF-MBE / InGaN / DERI / 窒化インジウム / 分子線エピタキシー法 / 窒化インジウムガリウム / ドライエッチング / DERI法 / 極性 / p型ドーピング / MIS構造 / ウェットエッチング / KOH / オーミック電極 / ショットキー電極 / ケルビン力顕微鏡 / X線光電子分光法 |
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| 研究概要 |
DERI法(DropletEliminationbyRadicalbeamIrradiation)を用いた高品質厚膜InN結晶成長技術を基盤として、InN系材料をベースとした電子・光デバイス実現へ向けたInNおよびInGaN混晶材料の結晶成長高品質化技術、厚膜化技術、ラジカルモニタリングによる組成制御技術、Mgドーピングによるp型伝導制御技術、InGaN系ヘテロ・ナノ構造作製技術、デバイス作製基盤要素技術の開発を実施した。
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