| 研究課題/領域番号 |
21246005
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
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研究代表者 |
平山 秀樹 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, チームリーダー (70270593)
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| 研究分担者 |
寺嶋 亘 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 基幹研究所研究員 (30450406)
池田 典明 独立行政法人理化学研究所, テラヘルツ量子素子研究チーム, 研究員 (90267477)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
46,670千円 (直接経費: 35,900千円、間接経費: 10,770千円)
2011年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2009年度: 24,570千円 (直接経費: 18,900千円、間接経費: 5,670千円)
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| キーワード | テラヘルツ / 量子カスケードレーザ / 窒化物半導体 / 金属プラズモン導波路 / 分子線エピタキシー / サブバンド間遷移 / 自然放出光 / 電流注入 / MBE結晶成長 / 超格子 |
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| 研究概要 |
GaN/AlGaN系窒化物半導体超格子を用いることにより、これまで未開拓周波数領域であった5-12THz帯量子カスケードレーザの開発を行った。原子層レベルで平坦なヘテロ界面を有するGaN/AlGaN系量子カスケード構造の作製を行い、世界で始めて窒化物半導体からのTHz周波数のバンド内遷移自然放出発光を実現すると共に、発光の偏波依存性などから発光の起源を明らかにした。
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