| 研究課題/領域番号 |
21246006
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所 |
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研究代表者 |
日比野 浩樹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主幹研究員 (60393740)
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| 研究分担者 |
永瀬 雅夫 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 教授 (20393762)
影島 博之 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70374072)
蟹澤 聖 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (70393767)
山口 徹 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子電子物性研究部, 主任研究員 (30393763)
田中 悟 九州大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80281640)
水野 清義 九州大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (60229705)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
46,020千円 (直接経費: 35,400千円、間接経費: 10,620千円)
2011年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2010年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2009年度: 36,790千円 (直接経費: 28,300千円、間接経費: 8,490千円)
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| キーワード | ナノ構造物性 / グラフェン / シリコンカーバイド / 電気伝導特性 / 低エネルギー電子顕微鏡 / 量子ホール効果 / キャリア移動度 / インターカレーション / ホール素子 / バンドギャップ / 成長機構 / トランジスタ |
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| 研究概要 |
SiC基板を加熱して熱分解させると、基板上にグラフェンがエピタキシャル成長する。この現象を利用して、加熱雰囲気と温度の制御によって、均一性の高い1層から3層のグラフェンを作製した。高均一な1層および2層グラフェンを用いてトップゲートを有するホールバー素子を作製し、その特性評価から、1層および2層グラフェンが、電子構造の違いを反映して、顕著に異なる電気伝導特性を示すことを明らかにした。
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