| 研究課題/領域番号 |
21246007
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
橋詰 保 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (80149898)
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| 研究分担者 |
佐藤 威友 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)
古賀 裕明 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 助教 (80519413)
久保 俊晴 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 非常勤研究員 (10422338)
赤澤 正道 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (30212400)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
45,630千円 (直接経費: 35,100千円、間接経費: 10,530千円)
2012年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
2011年度: 9,620千円 (直接経費: 7,400千円、間接経費: 2,220千円)
2010年度: 12,740千円 (直接経費: 9,800千円、間接経費: 2,940千円)
2009年度: 14,820千円 (直接経費: 11,400千円、間接経費: 3,420千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / 表面・界面 / 電子準位 / 絶縁膜 / トランジスタ / GaN / AlGaN / C-V / MMC / 界面準位 / へテロ接合 / ALD / ICP / ドライエッチング / 窒素空孔 / AlInN / 多重台形チャネル / HEMT / 電流コラプス / 電気化学酸化 |
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| 研究概要 |
窒化物半導体ヘテロ構造を利用した高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高信頼化を目的として、絶縁膜界面の電子準位の評価と制御、多重台形チャネル構造の作製と評価を行った。独自に開発した厳密計算法と光支援容量法をAl_2O_3/AlGaN/GaN構造に適用し、Al_2O_3/AlGaN界面の電子準位密度を初めて求めることに成功した。また、多重台形チャネル構造が電流安定性の向上に有効であることを明らかにした。
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