| 研究課題/領域番号 |
21246008
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
岩井 洋 東京工業大学, フロンティア研究機構, 教授 (40313358)
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| 研究分担者 |
角嶋 邦之 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 (50401568)
アヘメト パールハット (AHMET Parhat) 東京工業大学, フロンティア研究機構, 特任准教授 (00418675)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
46,410千円 (直接経費: 35,700千円、間接経費: 10,710千円)
2011年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2010年度: 17,680千円 (直接経費: 13,600千円、間接経費: 4,080千円)
2009年度: 22,490千円 (直接経費: 17,300千円、間接経費: 5,190千円)
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| キーワード | 高誘電体薄膜 / 半導体 / 界面ダイポール / シリケート / 価数変化 / 固定電荷 / 表面・界面物性 |
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| 研究概要 |
高誘電体薄膜と半導体の界面に存在する界面ダイポールの起源を明らかにするため、希土類酸化物とSi基板界面を用いてフラットバンド電圧の変化に関する実験的な調査を行った。その結果、希土類酸化物の膜厚に依存したフラットバンド電圧変化のモデル化を行い、界面ダイポール量は酸化物中のSi原子に依存しないこと、プロセスや複数の希土類酸化物によって酸素を界面導入することでフラットバンド電圧を変化することができること示した。以上より、高誘電体薄膜と半導体の界面に存在する界面ダイポールはシリケート化反応に伴う酸素欠損による効果が大部分であることが明らかになった。
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