| 研究課題/領域番号 |
21246009
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
財満 鎭明 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (70158947)
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| 研究分担者 |
中塚 理 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (20334998)
坂下 満男 名古屋大学, 工学研究科, 助教 (30225792)
近藤 博基 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50345930)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2010年度)
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| 配分額 *注記 |
39,520千円 (直接経費: 30,400千円、間接経費: 9,120千円)
2010年度: 14,560千円 (直接経費: 11,200千円、間接経費: 3,360千円)
2009年度: 24,960千円 (直接経費: 19,200千円、間接経費: 5,760千円)
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| キーワード | シリコン / ゲルマニウム / 表面・界面 / コンタクト / シリサイド / 表面終端 / エピタキシャル成長 / 酸化 |
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| 研究概要 |
本研究では、将来のシリコン(Si)系半導体超々大規模集積回路(ULSI)の高性能化に資する、基板技術構築に向けた結晶成長およびこれを支える金属および絶縁膜/半導体界面やSiあるいはゲルマニウム(Ge)表面構造制御技術の研究を行う。本年度において得られた成果を以下に記す。
(1)Si(110)基板上にPd(10nm)およびPd(10nm)/Ti(2nm)を成膜し、これを熱処理することで、Pd_2Si/Si(110)構造を形成し、その結晶構造、熱的安定性を評価した。Si(001)基板上では、エピタキシャルPd_2Siおよび高配向性PdSiの形成を実現できる。一方、Si(110)基板上においては、このような配向性を示すシリサイド成長は優位には見られず、Ti中間層挿入によるPd_2Si凝集の抑制効果も高くない。すなわち、Ti中間層によるPd/Si反応、結晶構造制御には、基板の面方位が影響することが明らかになった。
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