高品質CVDダイヤモンドを用いた高機能電子デバイス開発の基礎研究

• 研究課題/領域番号: 21246011
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 伊藤 利道 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (00183004)
• 研究分担者: 毎田 修 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (40346177)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 45,240千円 (直接経費: 34,800千円、間接経費: 10,440千円); 2012年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円); 2011年度: 11,310千円 (直接経費: 8,700千円、間接経費: 2,610千円); 2010年度: 18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円); 2009年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
• キーワード: CVDダイヤモンド / マイクロ波プラズマCVD / 微斜面(001)基板 / ホウ素ドープ / 燐ドープ / 粒子検出器 / パワーデバイス / 不純物バンド伝導 / マイクロ波プラズマＣＶＤ / ホウ素ドープダイヤモンド / 燐ドープダイヤモンド / 微斜面基板 / 放射線検出器 / 自立膜 / 不純物伝導 / ダイヤモンド検出器 / ダイヤモンドパワーデバイス / p型ダイヤモンド / n型ダイヤモンド / 紫外線検出器 / 軟X線検出器

研究概要

高電力密度マイクロ波プラズマ気相合成法を用いた (001)微斜面基板上のホモエピ成長がダイヤモンド膜の高品質化・高堆積速度化に有効であることを実証し、高濃度ドープでの機能性低下が抑制可能な新規キャリア制御方法を見出した。また、深紫外線や軟X線の低電圧検出特性を格段に改善し、高放射線照射下の Si・ダイヤモンド複合型サーベイメータの有用性を実証し、室温動作ノーマリオフ型 p-i-p FET デバイス構造を提案した。

研究成果

• [雑誌論文] Survey meter combining CVD diamond and silicon detectors for wide range of dose rates and high accumulated doses (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Sato, A. Yamaguchi, O. Maida, T. Ito
  • 雑誌名: Radiation Meas 巻: Vol.47 ページ: 266-271
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sensitivity improvement of γ-ray detector fabricated with self-standing CVD diamond by attaching heavy element film (2012)
  • 著者名/発表者名: H. Sato, O. Maida, T. Ito
  • 雑誌名: Diam. Relat. Mater. 巻: Vol.29 ページ: 2-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sensitivity improvement of γ-ray detector fabricated with self-standing CVD diamond by attaching heavy element film (2012)
  • 著者名/発表者名: Hidenori Sato
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: vol. 29 ページ: 2-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Survey meter combining CVD diamond and silicon detectors for wide range of dose rates and high accumulated doses (2012)
  • 著者名/発表者名: H.Sato
  • 雑誌名: Radiation Measurements 巻: Vol.47 号: 4 ページ: 266-271
  • DOI: 10.1016/j.radmeas.2012.02.011
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hall data analysis of heavily boron-doped CVD diamond films using a model considering an impurity band well separated from valence bands (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Aono, O. Maida, T. Ito
  • 雑誌名: Diam. Relat. Mater 巻: Vol.20 ページ: 1357-1362
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduced influences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their ultraviolet detector performance (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Maida, H. Sato, M. Kanasugi, S. Iguchi, T. Ito
  • 雑誌名: Diam. Relat. Mater. 巻: Vol.20 ページ: 242-245
  • 査読あり
• [雑誌論文] Hall data analysis of heavily boron-doped CVD diamond films using a model considering an impurity band well separated from valence bands (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Aono
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: Vol.20 号: 10 ページ: 1357-1362
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2011.08.008
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structure optimization of diamond personal dosimeters based on Monte Carlo simulations (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Sato
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: 20 ページ: 140-144
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reduced influences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their ultraviolet detector performance (2011)
  • 著者名/発表者名: O.Maida
  • 雑誌名: Diamond and Related Materials 巻: 20 ページ: 242-245
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement in low-voltage performance of surface-electrode soft-X-ray detectors composed of undoped homo- epitaxial CVD/HPHT Ib diamond layers (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Kanasugi, Y. Iwakaji, T. Yamamoto, O. Maida, Y. Takeda, Y. Saitoh, T. Ito
  • 雑誌名: Nucl. Instr. Methods Phys. Research A 巻: Vol.621 ページ: 650-655
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces fabricated using micro- wave-plasma chemical-vapor-deposition method (2010)
  • 著者名/発表者名: S. Iguchi, O. Maida, T. Ito
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.518
  • 査読あり
• [雑誌論文] Abnormal current increases induced under high electric fields in asymmetrical graphite-intrinsic diamond-graphite structures fabricated with high-quality homoepitaxial chemical-vapor-deposited diamond layers (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Hamada
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 107
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-standing device-duality single-crystalline diamond films on vicinal(001) surfaces fabricated using microwave-plasma chemical-vapor-deposition method (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Iguchi
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: 518
  • 査読あり
• [雑誌論文] Improvement in low-voltage performance of surface-electrode soft-X-ray detectors composed of undoped homoepitaxial CVD/HPHT Ib diamond layers (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Kanasugi
  • 雑誌名: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 巻: 621 ページ: 650-655
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron detection performance of diamond avalanche diode (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Morishita
  • 雑誌名: Journal of Vacuum Science and Technology B 巻: 28 ページ: 1169-1172
  • 査読あり
• [雑誌論文] Abnormal current increases induced under high electric fields in asymmetrical graphite-intrinsic diamond-graphite structures fabricated with high-quality homoepitaxial chemical-vapor-deposited diamond layers (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Hamada
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 107(印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Self-standing device-duality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces fabricated using microwave-plasma chemical-vapor-deposition method (2010)
  • 著者名/発表者名: S.Iguchi
  • 雑誌名: Thin Solid Films (発表決定)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of diamond ultraviolet detec-tors fabricated with high-quality single- crystal- line chemical vapor deposition films (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Iwakaji, M. Kanasugi, O. Maida, T. Ito
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: Vol.94
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of diamond ultraviolet detectors fabricated with high-quality single-crystalline chemical vapor deposition films (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Iwakaji
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 94
  • 査読あり
• [学会発表] Micro- wave-plasma chemical-vapor-deposition homo- epitaxial processes suitable for heavily P-doped diamond films on vicinal (001) surfaces (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Tada,H. Nishio, O. Maida, T. Ito
  • 学会等名: 11th Asia Pacific Conf. on Plasma Sci. and Technol.
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2012-10-02
• [学会発表] ホウ素ドープ単結晶CVDダイヤモンドの高濃度ドープ領域における特性評価II (2012)
  • 著者名/発表者名: 森玲央奈
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] Carrier Transport Property of Heavily Boron-Doped Degenerate Diamond Single-crystalline Thin Layers Etched with Hydrogen Plasma (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kuki
  • 学会等名: 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Microwave-Plasma Chemical-Vapor-Deposition Homoepitaxial Processes Suitable for Heavily P-Doped Diamond Films on Vicinal (001) Surfaces (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Tada
  • 学会等名: 11th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology
  • 発表場所: Kyoto, Japan
• [学会発表] Improvement on device performance of lateral p-i-p diamond transistors with underlain thin nitrogen-doped layer (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Ukida
  • 学会等名: International Symposium on Materials Science and Innovation for Sustainable Society
  • 発表場所: ホテル阪急エキスポパーク(大阪府)
  • 年月日: 2011-11-29
• [学会発表] Performance of radiation-tolerant diamond detector fabricated with self-standing single-crystalline CVD film (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Sato
  • 学会等名: 15th International Conference on Thin Films
  • 発表場所: 京都テルサ(京都府)
  • 年月日: 2011-11-09
• [学会発表] Improvement on p-type performance of CVD diamond by isolating thin heavily-boron-doped layer as innumerable islands (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Maida, M. Aono, T. Ito
  • 学会等名: 15th Intl. Conf. on Thin Films
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Growth of phosphorus-doped homoepitaxial CVD diamond on vicinal (001) substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Nishio
  • 学会等名: 15th International Conference on Thin Films
  • 発表場所: 京都テルサ(京都府)
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] Improvement on P-type performance of CVD diamond by isolating thin heavily-boron-doped layer as innumerable islands (2011)
  • 著者名/発表者名: O.Maida
  • 学会等名: 15th International Conference on Thin Films
  • 発表場所: 京都テルサ(京都府)
  • 年月日: 2011-11-08
• [学会発表] (001)微斜面基板上の高濃度燐ドープダイヤモンドのMWPCVD成長における基板温度の適正化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 多田周平
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] ホウ素ドープ単結晶CVDダイヤモンドの高濃度ドープ領域における特性評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 森玲央奈
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] 高濃度ホウ素ドープCVDダイヤモンド単結晶薄膜における水素プラズマエッチング効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 九鬼知博
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] (001)微斜面基板上の燐ドープCVDダイヤモンド薄膜におけるホモエピタキシャル成長プロセスの適正化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西尾晴樹
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] CVDダイヤモンドを用いたパワートランジスタの作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 浮田昂史
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] 単結晶CVDダイヤモンドを用いた位置敏感検出器の作製と評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 勝本健太
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] 走査型プローブ顕微鏡を用いた単結晶CVDダイヤモンド薄膜の大気下における電気的特性評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 大島光
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-30
• [学会発表] (001)微斜面基板上のホモエピタキシャルCVDダイヤモンド薄膜におけるδ燐ドープ積層構造の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西尾晴樹
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会(2011年春季)
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 厚木
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 移動度の異なる複数のキャリア群を考慮した輸送モデルによる高濃度ホウ素ドープCVDダイヤモンドにおけるHallデータの解析 (2011)
  • 著者名/発表者名: 青野雅之
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会(2011年春季)
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 厚木
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] CVDダイヤモンド薄膜における局所的電気的諸特性の走査型プローブ顕微鏡による大気圧下の微視的評価 (2011)
  • 著者名/発表者名: 市川喬啓
  • 学会等名: 第58回応用物理学関係連合講演会(2011年春季)
  • 発表場所: 神奈川工科大学, 厚木
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] CVDダイヤモンド薄膜の局所的電気特性の導電性探針AFMを用いた大気中評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 市川喬啓
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 吹田
  • 年月日: 2010-11-05
• [学会発表] (001)微斜面基板における燐ドープCVDダイヤモンド薄膜のホモエピタキシャル成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 西尾晴樹
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 吹田
  • 年月日: 2010-11-05
• [学会発表] (001)微斜面基板におけるCVDダイヤモンド成長の端面効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 浮田昂史
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 吹田
  • 年月日: 2010-11-05
• [学会発表] 高品質(001)微斜面CVDダイヤモンド基板における高濃度窒素ドープ (2010)
  • 著者名/発表者名: 石川裕之
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 吹田
  • 年月日: 2010-11-05
• [学会発表] 高温高圧合成基板によるホモエピタキシャルCVDダイヤモンド膜への影響評価とその低減 (2010)
  • 著者名/発表者名: 毎田修
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 吹田
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] ホウ素ドープp型CVDダイヤモンド薄膜のナノ構造化による高機能化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 青野雅之
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 吹田
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] FIBを用いたCVDダイヤモンド微細電極の形成とその特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 五十嵐透
  • 学会等名: 第51回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 吹田
  • 年月日: 2010-11-04
• [学会発表] Carrier transport property of heavily boron-doped degenerate diamond single-crystalline thin layers etched with hydrogen plasma (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Kuki, O. Maida, T. Ito
  • 学会等名: 2012 Intl. Conf. on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Kyoto. Japan
  • 年月日: 2010-09-26
• [学会発表] 微斜面基板におけるCVDダイヤモンド成長の端面効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 浮田昂史
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会(2010年秋季)
  • 発表場所: 長崎大学, 長崎
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] 高品質(001)微斜面CVDダイヤモンド基板における高濃度窒素ドープ (2010)
  • 著者名/発表者名: 石川裕之
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会(2010年秋季)
  • 発表場所: 長崎大学, 長崎
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] (001)微斜面基板における燐ドープCVDダイヤモンド薄膜のホモエピタキシャル成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 西尾晴樹
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会(2010年秋季)
  • 発表場所: 長崎大学, 長崎
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] ホウ素ドープ層のナノ構造化によるp型CVDダイヤモンドの高機能化II (2010)
  • 著者名/発表者名: 青野雅之
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会(2010年秋季)
  • 発表場所: 長崎大学, 長崎
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] CVDダイヤモンド放射線検出器の耐放射線性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 佐東秀徳
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会(2010年秋季)
  • 発表場所: 長崎大学, 長崎
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] FIBを用いたCVDダイヤモンド微細電極の形成とその特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 五十嵐透
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会(2010年秋季)
  • 発表場所: 長崎大学, 長崎
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] 導電性探針AFMによるCVDダイヤモンドの局所的電気特性の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 市川喬啓
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会(2010年秋季)
  • 発表場所: 長崎大学, 長崎
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Fabrication of self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces and its application to the high-energy photon detectors (2010)
  • 著者名/発表者名: O. Maida, S. Iguchi, T. Igarashi, H. Sato, T. Ito
  • 学会等名: 21st European Conf. on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2010)
  • 発表場所: Budapest, Hungary
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] Investigation of diamond radiation detectors combined with heavy elements (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Sato, A. Yamaguchi, M. Maida, T. Ito
  • 学会等名: 21st European Conf. on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2010)
  • 発表場所: Budapest, Hungary
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] Fabrication of self-standing device-quality single-crystalline diamond films on vicinal (001) surfaces and its application to the high-energy photon detectors (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Maida
  • 学会等名: The 21st European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2010)
  • 発表場所: Budapest, Hungary
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] Hall data analysis of heavily-boron-doped CVD diamond films based on a two-type carrier model and their application to improvement on p-type performance of CVD diamond (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Aono
  • 学会等名: The 21st European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2010)
  • 発表場所: Budapest, Hungary
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] Investigation of diamond radiation detectors combined with heavy elements (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Sato
  • 学会等名: The 21st European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides (Diamond 2010)
  • 発表場所: Budapest, Hungary
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] Reduced influ- ences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their UV detector performance (2010)
  • 著者名/発表者名: O. Maida, S. Iguchi, T. Ito
  • 学会等名: 4th Intl. Conf. on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
  • 発表場所: Suzhou, China
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] Growth and characterization of heavily phosphorus-doped homoepitaxial (001) diamond films grown using high-power-density MWPCVD method with a conventional quartz-tube chamber (2010)
  • 著者名/発表者名: M. Maida, T. Hidaka, T. Ito
  • 学会等名: 4th Intl. Conf. on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
  • 発表場所: Suzhou, China
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] Structure optimization of diamond personal dosimeters based on Monte Carlo simulations (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Sato
  • 学会等名: The 4-th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
  • 発表場所: Suzhou, China
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] Growth and characterization of heavily phosphorus-doped homoepitaxial (001) diamond films grown using high-power-density MWPCVD method with a conventional quartz-tube chamber (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Maida
  • 学会等名: The 4-th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
  • 発表場所: Suzhou, China
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] Reduced influences of the HPHT substrates on the electronic quality of homoepitaxial CVD diamond layers and on their UV detector performance (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Maida
  • 学会等名: The 4-th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2010)
  • 発表場所: Suzhou, China
  • 年月日: 2010-05-17
• [学会発表] リンドープCVDダイヤモンド-電極界面構造のHRTEM解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 林尚史
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] ホウ素ドープ層のナノ構造化によるp型CVDダイヤモンドの高機能化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 青野雅之
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 重元素併用型ダイヤモンド放射線検出器の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 佐東秀徳
  • 学会等名: 第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(平塚市)
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] Effectiveness of (001) vicinal substrates on fabrication of high-quality diamond films using high-power-density microwave-plasma chemical-vapor-deposition method (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Maida
  • 学会等名: The 5th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  • 発表場所: Tohoku University, Sendai
  • 年月日: 2010-01-29
• [学会発表] 高出力MWPCVD法により作製した高品質ダイヤモンド単結晶自立膜の評価II (2009)
  • 著者名/発表者名: 井口翔太
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] マイクロ波プラズマCVD法による高品質窒素ドープダイヤモンド厚膜合成とその評価II (2009)
  • 著者名/発表者名: 砂田泰英
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 高濃度燐ドープダイヤモンド薄膜のホモエピタキシャル成長と電気的特性評価II (2009)
  • 著者名/発表者名: 日高輝洋
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 高電力密度マイクロ波プラズマCVD法により作製した高濃度ホウ素ドープダイヤモンド薄膜の評価(II) (2009)
  • 著者名/発表者名: 美濃越裕介
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山市)
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] Self-standing high-quality single-crystalline diamond films fabricated using high-power microwave-plasma CVD method (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Iguchi
  • 学会等名: The 10th International Symposium on Sputtering and Plasma Processes
  • 発表場所: Kanazawa Kokusai Hotel, Kanazawa
  • 年月日: 2009-07-08
• [学会発表] 高濃度ホウ素ドープした(001)微斜面基板上のホモエピタキシャルCVDダイヤモンド層の特性評価
  • 著者名/発表者名: 森 玲央奈
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会(2012年秋季)
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド積層構造におけるμmオーダーで相互に分離された縮退p型領域からの正孔拡散
  • 著者名/発表者名: 市川 大地
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会(2012年秋季)
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] 高濃度ホウ素ドープ縮退ダイヤモンド単結晶CVD薄膜におけるキャリア輸送特性の水素プラズマ照射時間依存性
  • 著者名/発表者名: 九鬼 知博
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会(2012年秋季)
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] 燐ドープCVDダイヤモンド薄膜におけるオーミック電極形成と高機能化
  • 著者名/発表者名: 多田 周平
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会(2012年秋季)
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] 単結晶CVDダイヤモンド層を用いた位置敏感検出器構造の検討
  • 著者名/発表者名: 勝本 健太
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会(2012年秋季)
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] CVDダイヤモンド薄膜上に形成した電極の局所的特性に関するケルビンフォース顕微鏡による大気中評価
  • 著者名/発表者名: 大島 光
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会(2012年秋季)
  • 発表場所: 愛媛大学・松山大学
• [学会発表] 微斜面（001）CVDダイヤモンド薄膜における表面修飾状態の評価とその大気中安定性
  • 著者名/発表者名: 内田 直樹
  • 学会等名: 第53回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 甲南大学
• [学会発表] 微細柱状構造高品質CVDダイヤモンドの作製プロセスの適正化とデバイス応用
  • 著者名/発表者名: 橋本 竜一
  • 学会等名: 第53回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 甲南大学
• [学会発表] CVDダイヤモンドを用いたp-i-p型パワーデバイスの素子構造及び作製プロセスの検討
  • 著者名/発表者名: 早川 光
  • 学会等名: 第53回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 甲南大学
• [学会発表] 高配向多結晶CVDダイヤモンドにおける高濃度ホウ素ドープ層の高品質化
  • 著者名/発表者名: 溝端 勇介
  • 学会等名: 第53回真空に関する連合講演会
  • 発表場所: 甲南大学
• [学会発表] マイクロ波プラズマプロセスによる非縮退高濃度ホウ素ドープ単結晶CVDダイヤモンド層の積層構造化とそのキャリア輸送特性
  • 著者名/発表者名: 九鬼 知博
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会(2013年春季)
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] MWPCVDプロセスによるp-i-p型ダイヤモンドFETの構造適正化
  • 著者名/発表者名: 早川 光
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会(2013年春季)
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 高濃度ホウ素ドープCVDダイヤモンドにおける電気化学電極特性の結晶品質依存性
  • 著者名/発表者名: 溝端 勇介
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会(2013年春季)
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 縮退p型CVDダイヤモンド層の分離孤立型に基づくホウ素アクセプタの実効的活性化エネルギーの低減
  • 著者名/発表者名: 市川 大地
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会(2013年春季)
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [備考] ホームページ
  • URL: http://daiyan.eei.eng.osaka-u.ac.jp/
• [備考] 大阪大学工学研究科伊藤研究室
  • URL: http://daiyan.eei.eng.osaka-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://daiyan.eei.eng.osaka-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www.eng.osaka-u.ac.jp/ja/department/
• [備考]
  • URL: http://daiyan.eei.eng.osaka-u.ac.jp/
• [備考]
  • URL: http://www.eng.osaka-u.ac.jp/ja/department/
• [備考]
  • URL: http://daiyan.eei.eng.osaka-u.ac.jp/