不純物ナノ構造の局所光応答とスケーラブル光子デバイスの実現

• 研究課題/領域番号: 21246052
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 神戸大学
• 研究代表者: 小島 磨 (2010-2012) 神戸大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (00415845); 和田 修 (2009) 神戸大学, 工学研究科, 教授 (90335422)
• 研究分担者: 喜多 隆 神戸大学, 大学院・工学研究科, 教授 (10221186) ; 小島 磨 神戸大学, 工学研究科, 助教 (00415845)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 45,110千円 (直接経費: 34,700千円、間接経費: 10,410千円); 2012年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円); 2011年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円); 2010年度: 16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円); 2009年度: 13,650千円 (直接経費: 10,500千円、間接経費: 3,150千円)
• キーワード: 窒素ペア / 励起子 / 光子デバイス / GaAs / 不純物 / アイソエレクトロニック発光 / 光子放出

研究概要

半導体中の不純物の電子状態は均一であり、理想的な量子ドットとして扱うことができる。このような均一な電子状態を有する量子ドットでは不純物密度の制御によって励起子と光の相互作用を連続的に制御でき、窒素濃度に依存したデバイス性能の制御を実現できる。本研究ではGaAs への窒素のδドーピング技術を開発し、窒素ペアに束縛された励起子の微細構造を明らかにした。また、磁場によって励起子微細構造を精密に制御し、共振器によるスケーラブルな励起子光子相互作用を明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Enhancement of Optical Anisotropy by Interconnection Effect along Growth Direction in Multistacked Quantum Dots (2013)
  • 著者名/発表者名: H. Tanaka, O. Kojima, T. Kita,and K. Akahane
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: Vol. 52 号: 1R ページ: 012001-012001
  • DOI: 10.7567/jjap.52.012001
  • NAID: 40019557209
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of Pumping on Propagation Velocities of Confined Exciton Polaritons in GaAs/AlxGa1-xAs Double Heterostructure Thin Films Under Resonant and Non-Resonant Probe Conditions (2013)
  • 著者名/発表者名: O. Kojima, S. Ohta, T. Kita, and T. Isu
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: Vol. 113 号: 1
  • DOI: 10.1063/1.4772717
  • NAID: 120005301743
  • 査読あり
• [雑誌論文] Carrier Dynamics of the Intermediate State in InAs/GaAs Quantum Dots Coupled in a Photonic Cavity under Two-Photon Excitation (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kita, T. Maeda, and Y. Harada
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 巻: Vol. 86 号: 3
  • DOI: 10.1103/physrevb.86.035301
  • NAID: 120005465536
  • 査読あり
• [雑誌論文] Quantum beats of type-I and type-II excitons in an InxGa1-xAs/GaAs strained single quantum well (2012)
  • 著者名/発表者名: O. Kojima, K. Mizoguchi, and M. Nakayama
  • 雑誌名: J. Appl. Phys 巻: Vol. 112 号: 4
  • DOI: 10.1063/1.4748339
  • NAID: 120005300040
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of quantum beat oscillations and ultrafast relaxation of excitons confined in GaAs thin films by controlling probe laser pulses (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Ohta, O. Kojima, T. Kita, and T. Isu
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: Vol. 111 号: 2
  • DOI: 10.1063/1.3676429
  • NAID: 120003891479
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of Quantum Beat Oscillations and Ultrafast Relaxation of Excitons Confined in GaAs Thin Films by Controlling Probe Laser Pulses (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Ohta
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 巻: 111
  • 査読あり
• [雑誌論文] Near-Field Photoluminescence Spectroscopy of CdTe/Cd0.75Mn0.25Te Tilted Superlattices (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 9 ページ: 262-265
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dynamics of above-barrier state excitons in multi-stacked quantum dots (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Kojima, N. Tobita, T. Kita, K. Akahane
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: Vol. 110 号: 9
  • DOI: 10.1063/1.3660210
  • NAID: 120003644242
  • 査読あり
• [雑誌論文] Extremely Uniform Bound Exciton States in Nitrogen δ-doped GaAs Studied by Photoluminescence Spectroscopy in External Magnetic Fields (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: Vol. 110 号: 8
  • DOI: 10.1063/1.3654015
  • NAID: 120003609782
  • 査読あり
• [雑誌論文] Depolarization Effect on Optical of Exciton States Confined in GaAs Thin Films (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Kojima, S. Hamano, T. Kita, and O. Wada
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: Vol. 110 号: 8
  • DOI: 10.1063/1.3653228
  • 査読あり
• [雑誌論文] Depolarization Effect on Optical of Exciton States Confined in GaAs Thin Films (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Yamashita, O. Kojima, T. Kita, and T. Isu
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: Vol. 110 号: 4
  • DOI: 10.1063/1.3624667
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of Phase Shifts in a Vertical Cavity Quantum Dot Switch (2011)
  • 著者名/発表者名: C. Y. Jin, O.Kojima, T. Kita, O. Wada, and M. Hopkinson
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: Vol. 98 号: 23
  • DOI: 10.1063/1.3596704
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dephasing of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Kojima, S. Watanabe, T. Kita, O. Wada, and T. Isu
  • 雑誌名: J. Phys. Soc. Jpn 巻: Vol. 80, No. 3 号: 3 ページ: 034704-034704
  • DOI: 10.1143/jpsj.80.034704
  • NAID: 210000108943
  • 査読あり
• [雑誌論文] Propagation velocity of excitonic polaritons confined in GaAs thin films (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Kojima, S. Watanabe, T. Kita, O. Wada, and T. Isu
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: Vol. 8, No. 2 号: 2 ページ: 378-380
  • DOI: 10.1002/pssc.201000480
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interaction Between Conduction-band Edge and Nitrogen-related Localized Levels in Nitrogen δ-doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: Vol. 8, No. 2 号: 2 ページ: 365-367
  • DOI: 10.1002/pssc.201000515
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bound biexciton luminescence in nitrogen δ-doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada
  • 雑誌名: Phys.Status Solidi B 巻: Vol. 248, No. 2 号: 2 ページ: 464-467
  • DOI: 10.1002/pssb.201000653
  • 査読あり
• [雑誌論文] xcitation power dependence of nonlinear optical response of excitons in GaAs/AlAs superlattices (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Yamashita, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and K. Akahane
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: Vol. 8, No. 1 号: 1 ページ: 50-53
  • DOI: 10.1002/pssc.201000674
  • 査読あり
• [雑誌論文] Intraband relaxation process in highly stacked quantum dots (2011)
  • 著者名/発表者名: O. Kojima, M. Mamizuka, T. Kita, O. Wada, and K. Akahane
  • 雑誌名: Phys. Status Solidi C 巻: Vol. 8, No. 1 号: 1 ページ: 46-49
  • DOI: 10.1002/pssc.201000661
  • 査読あり
• [雑誌論文] Extremely Uniform Bound Exciton States in Nitrogen δ-doped GaAs Studied by Photoluminescence Spectroscopy in External Magnetic Fields (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 巻: 110
  • 査読あり
• [雑誌論文] Depolarization Effect on Optical of Exciton States Confined in GaAs Thin Film (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Yamashita
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 巻: 110
  • 査読あり
• [雑誌論文] Observation of Phase Shifts in a Vertical Cavity Quantum Dot Switch (2011)
  • 著者名/発表者名: C.Y.Jin
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 巻: 98
  • 査読あり
• [雑誌論文] Optical and Magnetic Properties in Epitaxial GdN Thin Films (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Yoshitomi
  • 雑誌名: Phys.Rev.B 巻: 83
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dephasing of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films (2011)
  • 著者名/発表者名: O.Kojima
  • 雑誌名: J.Phys.Soc.Jpn. 巻: 80
  • NAID: 40018753727
  • 査読あり
• [雑誌論文] Bound Biexciton Luminescence in Nitrogen δ-doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 雑誌名: Physica Status Solidi B 巻: 248 ページ: 464-467
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interaction Between Conduction-band Edge and Nitrogen-related Localized Levels in Nitrogen δ-doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 雑誌名: Physica Status Solid C 巻: 8 ページ: 365-367
  • 査読あり
• [雑誌論文] Excitation Power Dependence of Nonlinear Optical Response of Excitons in GaAs/AlAs Superlattices (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Yamashita
  • 雑誌名: Physica Status Solid C 巻: 8 ページ: 50-53
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interaction Between Conduction-band Edge and Nitrogen-related Localized Levels in Nitrogen δ-doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 ページ: 365-367
  • 査読あり
• [雑誌論文] Excitation Power Dependence of Nonlinear Optical Response of Excitons in GaAs/AlAs Super (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Yamashita
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 ページ: 50-53
  • 査読あり
• [雑誌論文] Broadband Light Sources using InAs Quantum Dots with InGaAs Strain-Reducing Layers (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Tsuda
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 ページ: 331-333
  • 査読あり
• [雑誌論文] Propagation Velocity of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films (2011)
  • 著者名/発表者名: O.Kojima
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 ページ: 378-380
  • 査読あり
• [雑誌論文] Intraband Reraxation Process in Highly Stacked Quantum Dots (2011)
  • 著者名/発表者名: O.Kojima
  • 雑誌名: Physica Status Solidi C 巻: 8 ページ: 46-49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Detailed design and characterization of all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a vertical cavity (2010)
  • 著者名/発表者名: DOI:10.1002/pssc.201000661
  • 雑誌名: IEEE J. Quantum Electron. 巻: Vol. 46 号: 11 ページ: 1582-1589
  • DOI: 10.1109/jqe.2010.2053916
  • 査読あり
• [雑誌論文] Detailed design and characterization of all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a vertical cavity (2010)
  • 著者名/発表者名: C. Jin, S. Ohta, M. Hopkinson, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: Vol. 96 号: 15
  • DOI: 10.1063/1.3396187
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature dependence of photoluminescence characteristics of excitons in stacked quantum dots and quantum dot chains (2010)
  • 著者名/発表者名: O. Kojima, H. Nakatani, T. Kita, O. Wada, K. Akahane
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. 巻: Vol. 107 号: 7
  • DOI: 10.1063/1.3366711
  • NAID: 120002139275
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vertical Stacking of InAs Quantum dot for Polarization-insensitive Semiconductor Optical Amplifiers (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue
  • 雑誌名: Journal of Physics : Conference Series 巻: 245
  • 査読あり
• [雑誌論文] Detailed Design and Characterization of All-Optical Switches Based on InAs/GaAs Quantum Dots in a Vertical Cavity (2010)
  • 著者名/発表者名: C.Y.Jin
  • 雑誌名: IEEE Journal of Quantum Electronics 巻: 46 ページ: 1582-1589
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impurity Doping in Self-assembled InAs/GaAs Quantum Dots by Selection of Growth Steps (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 108
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polarization Control of Electroluminescence form Vertically Stacked InAs/GaAs Quantum dots (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 96
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature-Dependent Carrier Tunneling for Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots with a GaAsN Quantum well Injector (2010)
  • 著者名/発表者名: C.Y.Jin
  • 雑誌名: Applied Physics Letters 巻: 96
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature Dependence of Photoluminescence Characteristics of Excitons in Stacked Quantum Dots and Quantum Dot Chains (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Kojima
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 107
  • NAID: 120002139275
  • 査読あり
• [雑誌論文] Statistical Fluctuation of Magnetization in Mn-Composition Modulated CdMnTe Quantum Wires (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 雑誌名: J.Appl.Phys 107(印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Temperature dependence of photoluminescence characteristics of excitons in stacked quantum dots and quantum dot chains (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Kojima
  • 雑誌名: J.Appl.Phys 107(印刷中)
  • NAID: 120002139275
  • 査読あり
• [雑誌論文] ertical-geometry all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a cavity (2009)
  • 著者名/発表者名: C. Jin, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, and K. Akahane
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: Vol. 95 号: 2
  • DOI: 10.1063/1.3180704
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of Thermoreflectance Signals and Characterization of Thermal Conductivity of Metal Thin Films (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Miyake
  • 雑誌名: Rev.Sci.Instrum. 80
  • 査読あり
• [雑誌論文] Vertical-Geometry All-Optical Switches Based on InAs/GaAs Quantum Dots in a Cavity (2009)
  • 著者名/発表者名: C.Y.Jin
  • 雑誌名: Appl.Phys.Lett. 95
  • 査読あり
• [雑誌論文] Anisotropic Linear Polarization Luminescence in CdTe/CdMnTe Quantum Wires (2009)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 雑誌名: Journal of Luminescence 129 ページ: 1448-1453
  • 査読あり
• [雑誌論文] Exciton Responce Controlled by Introducing a Spacer Layer in Nitrided InAs Quantum Dots (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Mamizuka
  • 雑誌名: physica status solidi C 9
  • 査読あり
• [雑誌論文] Transient Reflectivity Responce with Negative Time Delay Caused by Femtosecond Pulse Propagation in GaAs Thin Films (2009)
  • 著者名/発表者名: S.Watanabe
  • 雑誌名: physica status solidi C 9
  • 査読あり
• [雑誌論文] 原子層窒素ドープGaAsを用いた励起子微細構造の制御と光子源に向けた展開 (2009)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 雑誌名: 応用物理 78 ページ: 355-359
  • NAID: 10024751604
  • 査読あり
• [学会発表] 窒素を高密度デルタドープした GaAs の磁気光学特性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘、山本益輝、馬場健、喜多隆
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
• [学会発表] 窒素デルタドーピングによる GaAs 電子状態の制御 (2012)
  • 著者名/発表者名: 山本益輝、木村航平、原田幸弘、喜多隆
  • 学会等名: 第23回光物性研究会
  • 発表場所: 大阪市立大学
  • 年月日: 2012-12-07
• [学会発表] GaAs エピタキシャル界面への窒素デルタドーピングと超高均一発光 (2012)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議(NCCG-42)
  • 発表場所: 九州大学筑紫キャンパス 特別講演(招待講演)
  • 年月日: 2012-11-10
• [学会発表] 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線幅の温度依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(招待講演)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] Control of Electronic Structure of GaAs Using Nitrogen δ-doping Technique (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, and T. Kita
  • 学会等名: The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
• [学会発表] 光共振器構造中の InAs/GaAs 量子ドットにおける2 段階光吸収の増強 (2012)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘、前田剛志、喜多隆
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学、松山大学
• [学会発表] III-V族量子構造を用いたナノフォトニクス応用 (2012)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: シリコン・フォトニクス時限研究専門委員会第17回研究会
  • 発表場所: 神戸大学(招待講演)
• [学会発表] Delocalization of Electronic States Formed by Nitrogen Pairs in GaAs (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Yamamoto, K. Kimura, Y. Harada, and T. Kita
  • 学会等名: 31th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Izu
• [学会発表] Strong Electron-Hole Correlation in Bound Exciton in Nitrogen δ-Doped GaAs (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
  • 学会等名: The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter, Nanostructured and Molecular Materials
  • 発表場所: Groningen
• [学会発表] Extremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, and T. Kita
  • 学会等名: International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
  • 発表場所: Nara
• [学会発表] GaAs エピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆、原田幸弘
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(招待講演)
• [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子における励起子一格子相互作用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第22回光物性研究会
  • 発表場所: 熊本大学
  • 年月日: 2011-12-19
• [学会発表] Effect of Capping Layer Growth on Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 愛知県産業労働センター
  • 年月日: 2011-09-28
• [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 日本物理学会2011年秋季大会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2011-09-21
• [学会発表] Interaction of Quantized Exciton Polaritons with Nonre sonant Pump Pulse in GaAs Thin Films (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Ohta
  • 学会等名: 12th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems
  • 発表場所: Paris
  • 年月日: 2011-09-12
• [学会発表] GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光 (2011)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第72回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] 窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線の起源 (2011)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第72回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 山形大学
  • 年月日: 2011-08-29
• [学会発表] Capping Layer Dependence of Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 学会等名: 第30回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖
  • 年月日: 2011-06-29
• [学会発表] Optical Phase Shifter Using Quantum Dots in a Vertical Cavity (2011)
  • 著者名/発表者名: C.Y.Jin
  • 学会等名: 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-22
• [学会発表] Diamagnetic Shift of Exciton Bound to the Nitrogen Pairs in GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 学会等名: 38th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Berlin
  • 年月日: 2011-05-22
• [学会発表] 自己形成量子ドット成長過程のその場観察と新規光デバイスの作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: 日本表面科学会第67回表面科学研究会
  • 発表場所: 機械振興会館(東京都)(招待講演)
  • 年月日: 2011-02-02
• [学会発表] GaAs 中の窒素ペアに束縛された励起子における励起子一格子相互作用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆
  • 学会等名: 第22回光物性研究会
  • 発表場所: 熊本大学
• [学会発表] ffect of Capping Layer Growth on Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
  • 学会等名: 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Aichi
• [学会発表] GaAs 中の窒素ペアに束縛された励起子分子の磁気光学特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆
  • 学会等名: 日本物理学会 2011 年秋季大会
  • 発表場所: 富山大学、21pPSA-37
• [学会発表] GaAs 中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光 (2011)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘、久保輝宜、井上知也、小島磨、喜多隆
  • 学会等名: 第72回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 山形大学
• [学会発表] Capping Layer Dependence of Bound Exciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, T.Kubo, T. Inoue, O. Kojima, and T. Kita
  • 学会等名: 30th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: Biwako
• [学会発表] Diamagnetic Shift of Exciton Bound to the Nitrogen Pairs in GaAs (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, T. Kubo, T. Inoue, O. Kojima, T. Kita
  • 学会等名: 38th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Germany
• [学会発表] GaAs中の窒素等電子トラップ束縛励起子の発光ダイナミクス (2010)
  • 著者名/発表者名: 久保輝宜
  • 学会等名: 第21回光物性研究会
  • 発表場所: 大阪市立大学(大阪府)
  • 年月日: 2010-12-10
• [学会発表] 窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフト (2010)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第21回光物性研究会
  • 発表場所: 大阪市立大学(大阪府)
  • 年月日: 2010-12-10
• [学会発表] 自己形成量子ドットの精密な成長制御と3次元構造化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: 平成22年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会
  • 発表場所: 東北大学(宮城県)(招待講演)
  • 年月日: 2010-11-26
• [学会発表] 量子ドットの多層積層化に伴う偏光異方性の発現と制御 (2010)
  • 著者名/発表者名: 池内佑一郎
  • 学会等名: 日本材料学会半導体エレクトロニクス研究部門平成22年度第2回研究会
  • 発表場所: 大阪府立大学(大阪府)
  • 年月日: 2010-11-20
• [学会発表] 量子ドット超格子によるキャリアダイナミックス制御 (2010)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: 第6回 量子ナノ材料セミナー
  • 発表場所: 独立行政法人物質・材料研究機構(茨城県)(招待講演)
  • 年月日: 2010-10-01
• [学会発表] A Tunnel Injection Structure for Speeding up Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quan-Tum Dots Using a GaNAs Quantum-Well Injector (2010)
  • 著者名/発表者名: C.Y.Jin
  • 学会等名: 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: 東京大学(東京都)
  • 年月日: 2010-09-22
• [学会発表] III-V半導体中不純物制御と励起子物性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)(招待講演)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Magneto-Photoluminescence Spectroscopy of Exciton Fine Structure in Nitrogen δ-Doped GaAs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 学会等名: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors
  • 発表場所: Seoul(韓国)
  • 年月日: 2010-07-25
• [学会発表] Bound Biexciton Luminescence in Nitrogen δ-Doped GaAs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 学会等名: The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials
  • 発表場所: Brisbane(オーストラリア)
  • 年月日: 2010-07-13
• [学会発表] Excitation Power Dependence of Nonlinear Optical Response of Excitons in GaAs/AIAs Superlattices (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Yamashita
  • 学会等名: The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials
  • 発表場所: Brisbane(オーストラリア)
  • 年月日: 2010-07-12
• [学会発表] Intraband Rlaxation Process in Highly Stacked Quantum Dots (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Kojima
  • 学会等名: The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials
  • 発表場所: Brisbane(オーストラリア)
  • 年月日: 2010-07-12
• [学会発表] Interaction Between Conduction-Band Edge and Nitrogen-Related Localized Levels in Nitrogen-δ-Doped GaAs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松シンボルタワー国際会議場(香川県)
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] Control of Polarization Properties of Electroluminescence from Vertically-Stacked InAs/GaAs Quantum Dots for 1.3 μm-Band Semiconductor Optical Amplifiers (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松シンボルタワー国際会議場(香川県)
  • 年月日: 2010-06-04
• [学会発表] All-optical Switch Using InAs Quantum dots in a Vertical Cavity (2010)
  • 著者名/発表者名: C.Y.Jin
  • 学会等名: 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: 高松シンボルタワー国際会議場(香川県)
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Broadband Light Source Using InAs Quantum Dots With InGaAs Strain-Reducing Layers (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Tsuda
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松シンボルタワー国際会議場(香川県)
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Optical and Ferromagnetic Properties of GdN Thin Films (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Yoshitomi
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松シンボルタワー国際会議場(香川県)
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Propagation Velocity of Excitonic Polaritons Confined in GaAs Thin Films (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Kojima
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: 高松シンボルタワー国際会議場(香川県)
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Emission Properties of Excitons Strongly Localized to Nitrogen Pairs in GaAs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Harada
  • 学会等名: The International Conference Nanophotonics 2010
  • 発表場所: 筑波国際会議場(茨城県)(招待講演)
  • 年月日: 2010-05-30
• [学会発表] Vertical Stacking of InAs Quantum dot for Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifiers (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue
  • 学会等名: Quantum Dot 2010
  • 発表場所: Nottingham(英国)
  • 年月日: 2010-04-30
• [学会発表] Direct Impurity Doping into InAs Quantum Dots by Utilizing Self-Assembling Growth Steps (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Sasayama
  • 学会等名: Quantum Dot 2010
  • 発表場所: Nottingham(英国)
  • 年月日: 2010-04-30
• [学会発表] Vertical-Geometry All-Optical Switches Based on InAs/GaAs Quantum Dots in a Cavity (2010)
  • 著者名/発表者名: C.Y.Jin
  • 学会等名: SPIE Photonics West
  • 発表場所: Moscone Center(米国)
  • 年月日: 2010-01-23
• [学会発表] Vertically-Stacked InAs Quantum Dots for Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifiers (2010)
  • 著者名/発表者名: O.Kojima
  • 学会等名: SPIE Photonics West
  • 発表場所: Moscone Center(米国)
  • 年月日: 2010-01-23
• [学会発表] Exciton Fine Structures of Ordered Nitrogen Pairs in GaAs Fabricated by Using Reconstructed Surface (2010)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: Symposium on Surface and Nano Science 2010
  • 発表場所: 雫石プリンスホテル(岩手県)
  • 年月日: 2010-01-15
• [学会発表] III-V 半導体中不純物制御と励起子物性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘、喜多隆
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(招待講演)
• [学会発表] Magneto-Photoluminescence Spectroscopy of Exciton Fine Structure in Nitrogen ・-Doped GaAs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, Y. Horiuchi, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada
  • 学会等名: The 30th International Conference on the Physics of Semiconductors
  • 発表場所: Seoul, Korea
• [学会発表] Bound Biexciton Luminescence in Nitrogen ・-Doped GaAs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada
  • 学会等名: The 9th International Conference on Excitonic and Photonic Processes in Condensed and Nano Materials
  • 発表場所: Brisbane, Australia
• [学会発表] Interaction between Conduction-Band Edge and Nitrogen-Related Localized Levels in Nitrogen ・-Doped GaAs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Takamatsu
• [学会発表] Emission properties of excitons strongly localized to nitrogen pairs in GaAs (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada and T. Kita
  • 学会等名: The International Conference on Nanophotonics 2010
  • 発表場所: Tsukuba(Invited Talk)
• [学会発表] GaAs中の窒素等電子束縛励起子における励起子ダイナミックス (2009)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第20回光物性研究会
  • 発表場所: 大阪市立大学(大阪府)
  • 年月日: 2009-12-11
• [学会発表] Vertical-stacking of InAs quantum dots for polarization-insensitive semiconductor optical amplifiers (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue
  • 学会等名: Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009
  • 発表場所: 神戸大学(兵庫県)
  • 年月日: 2009-12-01
• [学会発表] Direct Impurity Doping into Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Sasayama
  • 学会等名: Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009
  • 発表場所: 神戸大学(兵庫県)
  • 年月日: 2009-12-01
• [学会発表] Effects of In-Plain Exciton Transfer on Intraband Relaxation Process in Stacked InAs Quantum Dots (2009)
  • 著者名/発表者名: M.Mamizuka
  • 学会等名: Workshop on Information, Nano, and Photonics Technology 2009
  • 発表場所: 神戸大学(兵庫県)
  • 年月日: 2009-12-01
• [学会発表] Narrowband Ultraviolet Light Emitting Devices Using Rare-Earth Ions (2009)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: International Symposium for Phosphor Materials 2009
  • 発表場所: NSTホール(新潟県)
  • 年月日: 2009-11-04
• [学会発表] GaAs中窒素配列構造の制御とスケーラブル光子デバイスに向けた基礎サイエンス (2009)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「半導体サイエンスと半導体テクノロジーの融合-技術を先導する半導体サイエンスを目指して-」
  • 発表場所: 茂庭荘(宮城県)
  • 年月日: 2009-10-16
• [学会発表] GaAs中の窒素等電子束縛励起子微細構造におけるポピュレーション (2009)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 日本物理学会2009年秋季大会
  • 発表場所: 熊本大学(熊本県)
  • 年月日: 2009-09-27
• [学会発表] Exciton Polarization Splitting of Nitrogen Pairs in GaAs (2009)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: Semicon Nano 2009
  • 発表場所: 阿南工業高校(徳島県)
  • 年月日: 2009-08-09
• [学会発表] Magnetic-Field Control of Exciton Fine Structure Splitting in Nitrogen Delta-Doped GaAs (2009)
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: International Conference on Modulated Semiconductor Structures
  • 発表場所: 神戸国際会議場(兵庫県)
  • 年月日: 2009-07-19
• [学会発表] Polarization controlled emission from electronically coupled stacked InAs quantum dots (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Inoue
  • 学会等名: International Conference on Modulated Semiconductor Structures
  • 発表場所: 神戸国際会議場(兵庫県)
  • 年月日: 2009-07-19
• [学会発表] Magnetic-field control of exciton fine structure splitting in nitrogen ・-doped GaA (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Harada, O. Kojima, T. Kita, and O. Wada
  • 学会等名: The 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems and the 14th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
  • 発表場所: Kobe
• [学会発表] Control of Electronic Structure of GaAs Using Nitrogen δ-doping Technique
  • 著者名/発表者名: M. Yamamoto
  • 学会等名: The17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Nara
• [学会発表] Strong Electron-Hole Correlation in Bound Exciton in Nitrogen δ-Doped GaAs
  • 著者名/発表者名: Y. Harada
  • 学会等名: The 10th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Mattar, Nanostructured and Molecular Materials
  • 発表場所: Groningen
• [学会発表] Extremely Uniform Excitonic States in Nitrogen δ-Doped GaAs
  • 著者名/発表者名: Y. Harada
  • 学会等名: International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications
  • 発表場所: Nara
  • 招待講演
• [学会発表] 窒素を高密度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川
• [学会発表] 窒素デルタドーピングによるGaAs電子状態の制御
  • 著者名/発表者名: 山本益輝
  • 学会等名: 第23回光物性研究会
  • 発表場所: 大阪
• [学会発表] GaAsエピタキシャル界面への窒素デルタドーピングと超高均一発光
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: 第42回結晶成長国内会議
  • 発表場所: 福岡
  • 招待講演
• [学会発表] 光共振器構造中のInAs/GaAs量子ドットにおける2段階光吸収の増強
  • 著者名/発表者名: 原田幸弘
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
• [学会発表] III-V族量子構造を用いたナノフォトニクス応用
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 学会等名: シリコン・フォトニクス時限研究専門委員会第17回研究会
  • 発表場所: 神戸
• [学会発表] Delocalization of Electronic States Formed by Nitrogen Pairs in GaAs
  • 著者名/発表者名: M. Yamamoto
  • 学会等名: 31th Electronic Materials Symposium
  • 発表場所: 伊豆
• [図書] 自己組織化ハンドブック (2009)
  • 著者名/発表者名: 喜多隆
  • 総ページ数: 2
  • 出版者: 株式会社エヌ・ティー・エス
• [備考]
  • URL: http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/
• [備考] フォトニック材料学研究室
  • URL: http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/
• [備考]
  • URL: http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/
• [備考]
  • URL: http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/
• [備考]
  • URL: http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/