研究課題/領域番号 |
21246109
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
材料加工・処理
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研究機関 | 大阪大学 |
研究代表者 |
菅沼 克昭 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (10154444)
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研究分担者 |
金 槿銖 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (90304857)
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研究協力者 |
根本 規生 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 安全信頼性推進部技術開発室, 技術領域リーダ
中川 剛 日本アビオニクス株式会社, 情報システム事業部第二技術部, エキスパート
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研究期間 (年度) |
2009-04-01 – 2013-03-31
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研究課題ステータス |
採択後辞退 (2012年度)
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配分額 *注記 |
45,630千円 (直接経費: 35,100千円、間接経費: 10,530千円)
2012年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2010年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
2009年度: 23,400千円 (直接経費: 18,000千円、間接経費: 5,400千円)
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キーワード | 電気接続・配線 / ウィスカ / 温度サイクル / 真空 / 酸化 / 宇宙機器 / 信頼性 / 金属物性 / 微細接続 / 高密度実装 |
研究概要 |
すずウィスカは、衛星の機器故障を引き起こし深刻な問題となっているが、未だにメカニズムが未解明であった。本研究では、 過去に取り組み例の無い真空中の温度サイクル環境におけるウィスカ形成を調べ、大気中よりも真空中に於いてウィスカが細く長く成長することを明らかにした。さらに、すず表面の酸化膜の存在が影響することを突き止め、真空中ばかりで無く、大気中における温度サイクル・ウィスカ成長メカニズムを解明した。
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