| 配分額 *注記 |
19,240千円 (直接経費: 14,800千円、間接経費: 4,440千円)
2011年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2010年度: 6,630千円 (直接経費: 5,100千円、間接経費: 1,530千円)
2009年度: 8,450千円 (直接経費: 6,500千円、間接経費: 1,950千円)
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| 研究概要 |
半導体中の磁性元素凝集の一例として、II-VI族ベースの磁性半導体(Zn, Cr)Teにおける磁性元素Crの凝集についての研究を行った。分子線エピタキシー(MBE)によりドナー性不純物であるヨウ素をドープした(Zn, Cr)Te薄膜を成長し、MBE成長条件を系統的に変化させ成長した一連の試料に対して透過型電子顕微鏡(TEM)とX線回折(XRD)により構造解析を行い、Cr凝集の成長条件依存性を調べた。その結果、Cr凝集の様子は主として結晶中の平均Cr組成と成長温度に依存して変化し、特に結晶中の平均Cr組成の高い場合には、Cr凝集は母体半導体とは異なる六方晶構造の微結晶Cr_<1-δ>Teとして析出し、その析出量は成長温度と共に増加することが明らかとなった。
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