シリコンデバイスとの融合を可能にする水平配向カーボンナノチューブの創製

• 研究課題/領域番号: 21310074
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ材料・ナノバイオサイエンス
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 吾郷 浩樹 九州大学, 先導物質化学研究所, 准教授 (10356355)
• 研究分担者: 高橋 厚史 九州大学, 大学院・工学研究院, 教授 (10243924)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円); 2011年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円); 2010年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円); 2009年度: 7,410千円 (直接経費: 5,700千円、間接経費: 1,710千円)
• キーワード: カーボンナノチューブ / シリコンウエハー / 配向成長 / CVD

研究概要

シリコンを基盤とするLSIは広範に利用されているが、デバイスの微細化を通じた集積化は限界に近づきつつあり、ポストシリコンとして様々な材料が検討されている。特に、単層カーボンナノチューブ(SWNT)は、規則的な一次元ナノ構造と優れたデバイス特性から将来のエレクトロニクスへの応用が期待されている。そのような観点から、SWNTをシリコンデバイスと融合することは大きな意味を持つが、シリコンウエハー上でSWNTの集積化や電子構造を制御する技術を開発する必要がある。
そこで、本研究では、微細加工技術などのトップダウン的手法を発展させ高密度配向SWNTをSi基板上で合成し、Si表面での水平配向SWNTの創製を通じて集積化を実現することで、これまで築かれてきたSiデバイスと融合した高性能デバイスを作製することを目的とした。昨年度は、電子ヒームリソグラフィでパターニングした基板に対して、リアクティブイオンエッチングと呼ばれるドライプロセスで加工して、シリコン基板表面に数百nmの幅をもつトレンチ構造を作製し、そのトレンチのエッジに沿ってSWNTが水平配向することを見出した。しかし、トレンチの形状がシャープでなかったため、SWNTの配向度は十分高いとはいえなかった。そこで、今年度は、シリコンの結晶面に依存した化学反応性の違いを利用する、異方性エッチングと呼ばれるウエットプロセスでシリコン表面にトレンチを作製した。その結果、SWNTの配向度を向上させることが出来た。また、成長メカニズムの検討から、反応ガスの方向に沿った配向成長と組み合わせることで、従来よりも高い密度で配向SWNTを合成することに成功した。これらの結果に加え、サファイア上でのSWNTの配向成長やグラフェンの触媒成長に関しても検討を行い、いくつかの興味深く、かつ重要な結果を得ることができた。

研究成果

• [雑誌論文] Synthesis of large-area, homogeneous, single layer graphene by annealing amorphous carbon on Co and Ni (2011)
  • 著者名/発表者名: C.M.Orofeo, H.Ago, B.Hu, M.Tsuji
  • 雑誌名: Nano Research 巻: (印刷中)
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes on anisotropically etched silicon substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: C.M.Orofeo, H.Ago, T.Ikuta, K.Takahashi, M.Tsuji
  • 雑誌名: Nanoscale 巻: 2(9) ページ: 1708-1714
  • NAID: 120005227164
  • 査読あり
• [雑誌論文] STEM observation of tungsten tips sharpened by field-assisted oxygen etching (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Onoda, S.Mizuno, H.Ago
  • 雑誌名: Surface Science 巻: 604(13-14) ページ: 1094-1099
  • NAID: 120005227443
  • 査読あり
• [雑誌論文] Patterned growth of graphene over epitaxial catalyst (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, I.Tanaka, M.Tsuji, K.Ikeda
  • 雑誌名: Small 巻: 6(11) ページ: 12226-1233
  • 査読あり
• [雑誌論文] Orthogonal growth of horizontally-aligned single-walled carbon nanotube arrays (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, T.Nishi, K.Imamoto, N.Ishigami, M.Tsuji, T.Ikuta, K.Takahashi
  • 雑誌名: Journal of Physical Chemistry C 巻: 114(30) ページ: 12925-12930
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial growth of faceted Co nanoparticles on sapphire surfaces (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Ogawa, H.Ago, M.Tsuji
  • 雑誌名: Chemistry Letters 巻: 39(9) ページ: 964-965
  • NAID: 10027184784
  • 査読あり
• [雑誌論文] Methods to horizontally align single-walled carbon nanotubes on amorphous substrate (2010)
  • 著者名/発表者名: C.M.Orofeo, H.Ago, N.Yoshihara, M.Tsuji
  • 雑誌名: Journal Novel Carbon Resource Sciences 巻: 2 ページ: 36-40
  • 査読あり
• [雑誌論文] Epitaxial chemical vapor deposition growth of single-layer graphene over cobalt film crystallized on sapphire (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, Y.Ito, N.Mizuta, K.Yoshida, B.Hu, C.M.Orofeo, M.Tsuji, K.Ikeda, S.Mizuno
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 4(12) ページ: 7407-7414
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effective patterning of metal nanoparticles on sapphire surface for aligned growth of single-walled carbon nanotubes (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, R.Ohdo, M.Tsuji, T.Ikuta, K.Takahashi
  • 雑誌名: Journal of Nanoscience and Nanotechnology 10(6) ページ: 3867-3872
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of water vapor on diameter distribution of SWNTs grown over Fe/MgO based catalysts (2010)
  • 著者名/発表者名: B.Hu, H.Ago, N.Yoshihara, M.Tsuji
  • 雑誌名: Journal of Physical Chemistry C 114(9) ページ: 3850-3856
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct growth of bent carbon nanotubes on surface engineered sapphire (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, K.Imamoto, T.Nishi, M.Tsuji, T.Ikuta, K.Takahashi
  • 雑誌名: Journal of Physical Chemistry C 113(30) ページ: 13121-13124
  • 査読あり
• [雑誌論文] Recent development in technology for horizontally-aligned growth of single-walled carbon nanotubes (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, C.M.Orofeo, N.Ishigami, N.Yoshihara, M.Tsuji
  • 雑誌名: Sensors and Meterials 21(7) ページ: 321-330
  • 査読あり
• [雑誌論文] 単層カーボンナノチューブの水平配向成長とデバイス応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 雑誌名: 化学工業 60(5) ページ: 348-353
• [学会発表] ナノエレクトロニクスを目指したグラフェンと単層ナノチューブの成長制御 (2011)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: 九州シンクロトロン光研究センター SAGA-LSセミナー
  • 発表場所: 佐賀
  • 年月日: 2011-03-23
• [学会発表] 炭素源および成長温度が水平配向単層カーボンナノチューブの直径に与える影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 綾垣喬史, 吾郷浩樹, 辻正治
  • 学会等名: 第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] 結晶性Coナノ粒子のエピタキシャル成長とナノチューブ触媒への応用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 小川友以, 吾郷浩樹, 辻正治
  • 学会等名: 第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] サファイア上で結晶化した金属触媒上での単層グラフェンのエピタキシャルCVD成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹, 伊藤由人, 胡宝山, C.M.Orofeo, 辻正治, 水田典章, 池田賢一, 水野清義
  • 学会等名: 第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2011-03-09
• [学会発表] エピタキシャル金属薄膜上での単層グラフェンの大気圧CVD成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: 九大応力研主催「九大グラフェン研究会」
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2011-02-04
• [学会発表] CVDによるグラフェンの成長制御 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: ナノカーボン物質の基礎と応用:現状と展望に関する若手研究会
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2010-12-27
• [学会発表] Temperature dependent growth of monolayer graphene on epitaxial Cu film (2010)
  • 著者名/発表者名: B.Hu, H.Ago, Y.Ito, M.Tsuji, N.Mizuta, S.Mizuno
  • 学会等名: MRS 2010 Fall Meeting
  • 発表場所: 米国ボストン
  • 年月日: 2010-12-02
• [学会発表] Epitaxial Growth of Single-layer Graphene over Crystalline Metal Films Deposited on Sapphire (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, Y.Ito, B.Hu, M.Tsuji, N.Mizuta, S.Mizuno
  • 学会等名: MRS 2010 Fall Meeting
  • 発表場所: 米国ボストン
  • 年月日: 2010-11-29
• [学会発表] Epitaxial growth of single-layer graphene over metal films crystallized on sapphire (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, Y.Ito, B.Hu, M.Tsuji, N.Mizuta, K.Ikeda, S.Mizuno
  • 学会等名: Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2010)
  • 発表場所: 大分
  • 年月日: 2010-11-25
• [学会発表] Atmospheric synthesis of monolayer graphene over epitaxial Cu(111)film (2010)
  • 著者名/発表者名: B.Hu, H.Ago, Y.Ito, M.Tsuji
  • 学会等名: Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2010)
  • 発表場所: 大分
  • 年月日: 2010-11-25
• [学会発表] Epitaxial growth of faceted Co nanoparticles and their application to carbon nanotube growth (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Ogawa, H.Ago, M.Tsuji
  • 学会等名: Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections (CSE2010)
  • 発表場所: 大分
  • 年月日: 2010-11-25
• [学会発表] エレクトロニクス応用を目指したグラフェンとナノチューブの成長制御 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: 豊田中央研究所講演会
  • 発表場所: 愛知
  • 年月日: 2010-11-18
• [学会発表] Effects of carbon source and growth temperature on diameter of horizontally-aligned single-walled carbon nanotubes on sapphire (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Ayagaki, H.Ago, M.Tsuji
  • 学会等名: CSS 12 (The 12th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)
  • 発表場所: 韓国
  • 年月日: 2010-11-17
• [学会発表] カーボンナノチューブとグラフェンの触媒成長-単結晶基板による高次構造制御- (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: ニューダイヤモンドフォーラム(NDF)平成22年度第2回研究会「カーボン材料の生成プロセスの最前線」
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2010-11-16
• [学会発表] Crystal plane dependence of graphene films grown by CVD (2010)
  • 著者名/発表者名: J.Suzuki, H.Ago, M.Tsuji
  • 学会等名: CSS12 (The 12th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2010-11-16
• [学会発表] Facile synthesis of large-area monolayer graphene films on epitaxial cobalt and nickel (2010)
  • 著者名/発表者名: C.M.Orofeo, H.Ago, M.Tsuji
  • 学会等名: CSS 12 (The 12th Cross Straits Symposium on Materials, Energy, and Environmental Sciences)
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2010-11-16
• [学会発表] 水平配向成長させた単層カーボンナノチューブのナノプロービング解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 福井宗利, 吾郷浩樹, 布施潤一, 今本健太, 西徹志, 辻正治, 奈良安彦
  • 学会等名: 第30回LSIテスティングシンポジウム
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2010-11-12
• [学会発表] Epitaxial growth of faceted Co nanoparticles and their application to carbon nanotube growth (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Ogawa, H.Ago, M.Tsuji
  • 学会等名: Global COE International Workshop-6th International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences-
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2010-11-12
• [学会発表] Reduction of metal nanoparticle catalyst size for the growth of small-diameter single-walled carbon nanotubes (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Ayagaki, H.Ago, M.Tsuji
  • 学会等名: Global COE International Workshop-6th International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences-
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2010-11-12
• [学会発表] エレクトロニクス応用を目指したナノカーボンの創製-熱CVDによるカーボンナノチューブとグラフェンの成長と構造制御- (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: 日本機械学会熱工学コンファレンス2010 プレコンファレンス・セミナー(化学反応と熱利用技術)
  • 発表場所: 新潟
  • 年月日: 2010-10-29
• [学会発表] グラフェンとカーボンナノチューブの触媒成長-ナノエレクトロニクス応用を目指して- (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: 電子情報技術産業協会(JEITA)「ナノカーボンエレクトロニクス技術分科会」
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2010-10-12
• [学会発表] エレクトロニクス応用を目指したカーボンナノチューブとグラフェンの触媒成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: 黒鉛化合物研究会
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2010-10-01
• [学会発表] 単結晶CuおよびCo薄膜上に合成したグラフェンのLEEDによる研究 (2010)
  • 著者名/発表者名: 水田典章, 伊藤由人, 胡宝山, 吾郷浩樹, 水野清義
  • 学会等名: 日本物理学会 2010年秋季大会
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] Cu触媒上での単層グラフェンのCVD成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 胡宝山, 吾郷浩樹, 伊藤由人, 辻正治, 水田典章, 水野清義
  • 学会等名: 2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] エピタキシャルCo触媒上での単層グラフェンのCVD成長(II) (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤由人, 吾郷浩樹, 胡宝山, 辻正治, 水田典章, 水野清義
  • 学会等名: 2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] 異方性エッチングをしたシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: C.M.Orofeo, 吾郷浩樹, 生田竜也, 高橋厚史, 辻正治
  • 学会等名: 2010年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 異方性エッチングを施したシリコン基板上での単層カーボンナノチューブの水平配向成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: C.M.Orofea, 吾郷浩樹, 生田竜也, 高橋厚史, 辻正治
  • 学会等名: 第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] エピタキシャルなCu薄膜を用いた単層グラフェンの大気圧CVD成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 胡宝山, 吾郷浩樹, 伊藤由人, 辻正治, 馬込栄輔, 隅谷和嗣, 水田典章, 水野清義
  • 学会等名: 第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] サファイア上のCo結晶膜を触媒とした単層グラフェンのエピタキシャルCVD成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤由人, 吾郷浩樹, 胡宝山, 辻正治, 水田典章, 水野清義
  • 学会等名: 第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2010-09-05
• [学会発表] エピタキシャル触媒上でのCVDによるグラフェン成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤由人, 吾郷浩樹, 田中伊豆美, 辻正治, 水田典章, 水野清義
  • 学会等名: 第47回化学関連支部合同九州大会
  • 発表場所: 北九州
  • 年月日: 2010-07-10
• [学会発表] グラフェンのCVD成長における結晶面依存性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 鈴木純也, 吾郷浩樹, 辻正治
  • 学会等名: 第47回化学関連支部合同九州大会
  • 発表場所: 北九州
  • 年月日: 2010-07-10
• [学会発表] サファイア上でのCoナノ粒子の結晶成長とナノチューブ触媒への応用 (2010)
  • 著者名/発表者名: 小川友以, 吾郷浩樹, 辻正治, 山木準一
  • 学会等名: 第47回化学関連支部合同九州大会
  • 発表場所: 北九州
  • 年月日: 2010-07-10
• [学会発表] 低出力スパッタによる金属触媒の微粒子化と水平配向カーボンナノチューブの細径化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 綾垣喬史, 吾郷浩樹, 辻正治
  • 学会等名: 第47回化学関連支部合同九州大会
  • 発表場所: 北九州
  • 年月日: 2010-07-10
• [学会発表] Controlled Growth of Carbon Nanotubes and Graphene (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago
  • 学会等名: The 1st China-Japan Young Scientist Forum 第27回中国化学会(中国化学会・日本化学会主催)
  • 発表場所: 中国アモイ
  • 年月日: 2010-06-20
• [学会発表] CVD Growth of Graphene over Epitaxial Metal Catalyst (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Ito, H.Ago, M.Tsuji, N.Mizuta, S.Mizuno
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
  • 発表場所: 香川
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Orthogonal Growth of Horizontally-Aligned Single-Walled Carbon Nanotube Arrays on Sapphire (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, T.Nishi, K.Imamoto, N.Ishigami, M.Tsuji, T.Ikuta, K.Takahashi
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
  • 発表場所: 香川
  • 年月日: 2010-06-01
• [学会発表] Catalytic Growth of Rectangular and Triangular Graphene Films over Epitaxial Metal Films (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, I.Tanaka, M.Tsuji, K.Ikeda
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
  • 発表場所: 香川
  • 年月日: 2010-05-31
• [学会発表] Effect of water vapor on diameter distribution of SWNTs over Fe/MgO based catalysts (2010)
  • 著者名/発表者名: B.Hu, H.Ago, N.Yoshihara, M. Tsu
  • 学会等名: The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2010)
  • 発表場所: 香川
  • 年月日: 2010-05-31
• [学会発表] Controlled Growth of Carbon Nanotubes and Graphene for Future Carbon Electronics (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: 5大学附置研究所アライアンス「物質・デバイス領域共同研究拠点事業」拠点発足記念シンポジウム
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2010-03-24
• [学会発表] エピタキシャル触媒上でのCVDによるグラフェン成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤由人, 吾郷浩樹, 辻正治, 水野清義
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 単層カーボンナノチューブの二方向への水平配向成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹, 西徹志, Carlo M.Orofeo, 石神直樹, 辻正治, 生田竜也, 高橋厚史
  • 学会等名: 2010年春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] エレクトロニクス応用を目指したカーボンナノチューブとグラフェンの成長制御 (2010)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 学会等名: 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会(プラズマナノバイオトロニクスの基礎研究)
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2010-02-23
• [学会発表] Patterned growth of graphene on epitaxial catalyst (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, I.Tanaka, M.Tsuji, K.Ikeda
  • 学会等名: MRS 2009 Fall Meeting
  • 発表場所: 米国ボストン
  • 年月日: 2009-12-02
• [学会発表] Direct growth of bent carbon nanotubes on surface engineered sapphire (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, K.Imamoto, T.Nishi, M.Tsuji, T.Ikuta, K.Takahashi, M.Fukui
  • 学会等名: MRS 2009 Fall Meeting
  • 発表場所: 米国ボストン
  • 年月日: 2009-11-30
• [学会発表] Growth of orthogonal single-walled carbon nanotube arrays on sapphire (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Nishi, H.Ago, K.Imamoto, N.Ishigami, M.Tsuji, T.Ikuta, K.Takahashi
  • 学会等名: MRS 2009 Fall Meeting
  • 発表場所: 米国ボストン
  • 年月日: 2009-11-30
• [学会発表] Direct growth of orthogonal single-walled carbon nanotube arrays on sapphire (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Nishi, H.Ago, C.M.Orofeo, M.Tsuji
  • 学会等名: The Third International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences(Global COE Symposium)
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2009-11-03
• [学会発表] Diameter-controlled growth of horizontally-aligned carbon nanotubes (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Ayagaki, H.Ago, N.Ishigami, M.Tsuji
  • 学会等名: The Third International Symposium on Novel Carbon Resource Sciences(Global COE Symposium)
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2009-11-03
• [学会発表] 高分子の熱分解によるグラフェン成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹, 田中伊豆美, 池田賢一, 辻正治
  • 学会等名: 2009年秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] Direct Growth of Orthogonal Single-Walled Carbon Nanotube Arrays (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Nishi, H.Ago, C.M.Orofeo, N.Ishigami, M.Tsuji, T.Ikuta, K.Takahashi
  • 学会等名: 第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2009-09-03
• [学会発表] Bending Horizontally-Aligned Carbon Nanotubes during Growth (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, K.Imamoto, T.Nishi, M.Tsuji, T.Ikuta, K.Takahashi, M.Fukui
  • 学会等名: 第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2009-09-02
• [学会発表] Catalytic Growth of Graphene over Epitaxial Metal Film (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago, I.Tanaka, M.Tsuji, K.Ikeda
  • 学会等名: 第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: つくば
  • 年月日: 2009-09-01
• [学会発表] Controlled synthesis and application of horizontally-aligned carbon nanotubes (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago
  • 学会等名: Carbon Materials for Energy Devices and Environmental Protections(CSE2009)
  • 発表場所: 中国(青島)
  • 年月日: 2009-08-31
• [学会発表] サファイア表面における単層カーボンナノチューブの二方向への配向成長 (2009)
  • 著者名/発表者名: 西徹志, 吾郷浩樹, 今本健太, 石神直樹, 辻正治
  • 学会等名: 第46回化学関連支部合同九州大会
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2009-07-11
• [学会発表] 水平配向カーボンナノチューブの直径制御に関する研究 (2009)
  • 著者名/発表者名: 綾垣喬史, 吾郷浩樹, 石神直樹, 辻正治
  • 学会等名: 第46回化学関連支部合同九州大会
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2009-07-11
• [学会発表] Synthesis and application of horizontally aligned single-walled carbon nanotubes (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago
  • 学会等名: Global COE International Workshop
  • 発表場所: 福岡
  • 年月日: 2009-06-19
• [学会発表] Growth Mechanism, Characterization, and Structure Control of Aligned Carbon Nanotubes (2009)
  • 著者名/発表者名: H.Ago
  • 学会等名: International Symposium on Carbon Nanotube Nanoelectronics 2009
  • 発表場所: 仙台
  • 年月日: 2009-06-11
• [図書] カーボンナノチューブ・グラフェンハンドブック 第1章1-1-1[5] 水平配向SWNT (2011)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 出版者: (株)コロナ社(印刷中)
• [図書] 炭素学 基礎編第3章 4.大環状芳香族分子 (2011)
  • 著者名/発表者名: 吾郷浩樹
  • 出版者: (株)化学同人(印刷中)
• [備考]
  • URL: http://nano.cm.kyushu-u.ac.jp/ago/
• [備考]
  • URL: http://nano.cm.kyushu-u.ac.jp/ago/