研究課題/領域番号 |
21310085
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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研究機関 | 東北大学 |
研究代表者 |
木村 康男 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (40312673)
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研究分担者 |
平野 愛弓 東北大学, 医工学研究科, 准教授 (80339241)
庭野 道夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (20134075)
青沼 有紀 東北大学, 電気通信研究所, 助教 (80582262)
ラフマン モハンマド (RAHMAN Mohammad) 東北大学, 電気通信研究所, 教育研究支援者 (70620003)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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配分額 *注記 |
19,500千円 (直接経費: 15,000千円、間接経費: 4,500千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2010年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2009年度: 12,740千円 (直接経費: 9,800千円、間接経費: 2,940千円)
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キーワード | ナノ構造作製 / 陽極酸化 / 自己組織化 / 量子ドット / 単電子 / 室温動作 / ポーラスアルミナ / 酸化チタンナノチューブ |
研究概要 |
本研究では、アルミニウムの陽極酸化過程とフォトリソグラフィ技術などのトップダウンプロセスとを組み合わせたハイブリッドプロセスを開発し、それを用いてセルフアライン室温動作単電子トランジスタ(SET)を作製した。さらに、バルブメタルの1つであるチタン(Ti)の陽極酸化過程を制御することにより、酸化チタン(TiO_2)ナノチューブ膜を基板上へ直接形成し、それを微小ガスセンサやDSCなどのデバイスへ応用した。
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