| 研究課題/領域番号 |
21310087
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
マイクロ・ナノデバイス
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| 研究機関 | 上智大学 |
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研究代表者 |
菊池 昭彦 上智大学, 理工学部, 准教授 (90266073)
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| 連携研究者 |
岸野 克巳 上智大学, 理工学部, 教授 (90134824)
野村 一郎 上智大学, 理工学部, 准教授 (00266074)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
19,370千円 (直接経費: 14,900千円、間接経費: 4,470千円)
2011年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2010年度: 6,370千円 (直接経費: 4,900千円、間接経費: 1,470千円)
2009年度: 8,580千円 (直接経費: 6,600千円、間接経費: 1,980千円)
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| キーワード | ナノ光デバイス / ナノ電子デバイス / ガリウムナイトライド / ナノウォール / 半導体レーザ / FET / 窒化物半導体 / 選択成長 / 電界効果トランジスタ / ナノ結晶 / 分子線エピタキシー / 半導体超微細化 / GaN / ナノコラム |
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| 研究概要 |
人為的に形状制御が可能な薄膜板状GaNナノ結晶であるGaNナノウォールのRF-MBE選択成長技術を確立し、ナノウォール結晶は貫通転位抑制機構により高品質結晶成長が可能であることを見出した。また、GaNナノウォール上部形状制御技術、InGaN発光層の内在条件と発光特性のナノウォール形状依存性を明らかにした。GaNナノウォールからの室温光励起発振の観測および世界に先駆けてのAlGaN/GaNヘテロ構造ナノFETの動作検証により、光・電子デバイス応用の可能性を実証した。
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