研究課題
基盤研究(B)
次世代の放射光発生装置で要求される強磁場・短周期の周期磁場生成をめざし、バルク超伝導体を用いた新しい方法について研究を行った。バルク超伝導体をソレノイド磁石中に周期的に配置するシンプルな構造のアンジュレータの開発を行い、温度6 Kの環境下で、磁極間隔4 mm、周期10 mm、磁場強度0. 85 Tの強力な周期磁場生成に成功した。本研究により、次世代放射光発生装置の性能を格段に高める基盤技術が確立された。
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