| 研究課題/領域番号 |
21340086
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
物性Ⅰ
|
|---|
| 研究機関 | 独立行政法人理化学研究所 |
|---|
研究代表者 |
香村 芳樹 独立行政法人理化学研究所, 放射光イメージング利用システム開発ユニット, ユニットリーダー (30270599)
|
|---|
| 研究分担者 |
田中 義人 独立行政法人理化学研究所, 物質系放射光利用システム開発ユニット, ユニットリーダー (80260222)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
|
| 配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2012年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2011年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2010年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2009年度: 6,110千円 (直接経費: 4,700千円、間接経費: 1,410千円)
|
|---|
| キーワード | X 線動的回折理論の新しい描像 / 全反射を伴わないX 線導波管 / 歪み結晶 / 極低発散角の出射光 / ダイヤモンド単結晶 / ヘテロエピタキシャル結晶 / ベリー位相項の観察 / 分散面のギャップ / X線動的回折理論の新しい描像 / 全反射を伴わないX線導波管 / 格子歪み / 極低発散角のビーム形成 / 量子ドットの特性評価 / エピタキシャル結晶界面 / 新しい動的X線回折理論検証 / サブミクロンスケールの結晶歪み / 高感度歪み計測 / 結晶歪みの制御 / Berry位相 / 動的X線回折理論の新しい描像 / 導波管現象のOn/OFF制御 / 高速応答性 / 歪みに対する高感度 / Berry位相項の観察 / 偏光依存性 |
|---|
| 研究概要 |
我々は、歪んだ単結晶にブラッグ角近くの入射角でX 線をあて、理論予言されていた巨大横滑り現象を観察する事に成功した。横すべり量は、結晶中の格子配列の歪み量に比例し、波長が短いほど顕著となる。我々は、湾曲させ歪ませたシリコン単結晶に、X 線を当て、5mm の横滑り現象を世界で初めて実証した。次にX 線精密制御に展開するため、ヘテロエピタキシャル結晶界面付近の原子レベル歪みを利用する事にした。界面付近の格子歪みにより、照射X 線が2 方向へ分岐し、横すべりを繰り返し伝播する現象が初めて観測された。
|
