| 研究課題/領域番号 |
21340091
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
ファン Y.ハロルド (HWANG Harold Y. / HWANG HaroldY.) 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 特任研究員 (30361611)
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| 研究分担者 |
疋田 育之 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (50466827)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2011年度: 5,460千円 (直接経費: 4,200千円、間接経費: 1,260千円)
2010年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2009年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
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| キーワード | 強相関系 / 酸化物ヘテロ界面 / チタン酸ストロンチウム / パルスレーザ堆積法 / δドーピング / 高移動度二次元電子ガス / 二次元超伝導 / 超伝導 / 二次元電子ガス / 遷移金属酸化物 / メゾスコピック系 |
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| 研究概要 |
原子レベルで制御された遷移金属酸化物ヘテロ構造は、新たな電子物性を開拓する舞台として注目されている。本研究では、高移動度電子が数nmに閉じ込められた二次元電子ガスを遷移金属酸化物界面にて実現した。2つの絶縁体からなるLaALO_3/SrTiO_3ヘテロ界面に生じる二次元電子ガスを、外部電圧やLaALO_3表面の電荷量を制御することで変調することに成功した。伝導性SrTiO_3を絶縁性SrTiO_3の間に挟んだデルタドープ構造では、二次元量子振動に加え、低温にて二次元超伝導相を観測した。
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