| 研究課題/領域番号 |
21340102
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
摂待 力生 大阪大学, 大学院・理学研究科, 准教授 (00251041)
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| 連携研究者 |
大貫 惇睦 大阪大学, 大学院・理学研究科, 教授 (40118659)
杉山 清寛 大阪大学, 大学院・理学研究科, 准教授 (00187676)
菅原 仁 神戸大学, 大学院・理学研究科, 教授 (60264587)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
19,630千円 (直接経費: 15,100千円、間接経費: 4,530千円)
2011年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2010年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2009年度: 10,270千円 (直接経費: 7,900千円、間接経費: 2,370千円)
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| キーワード | フェルミ面 / ドハース・ファンアルフェン効果 / 量子臨界点 / 磁性 / 超伝導 |
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| 研究概要 |
本研究では,量子臨界領域で発現する重い電子系超伝導と磁性との相関を研究した。特に,空間反転対称性を持たない圧力誘起超伝導体CeIrSi_3に着目した。CeIrSi_3では,約2GPaの加圧により反強磁性が消失し超伝導が出現するが,磁場の印可により反強磁性は復活する。磁場下では,加圧とともに磁場誘起反強磁性相は,低温・強磁場領域に近づき,超伝導上部臨界磁場が著しく増大することを明らかにした
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