| 研究課題/領域番号 |
21340169
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
斧 高一 京都大学, 工学研究科, 教授 (30311731)
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| 研究分担者 |
江利口 浩二 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70419448)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2009年度: 12,090千円 (直接経費: 9,300千円、間接経費: 2,790千円)
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| キーワード | プラズマ加工 / プラズマ化学 / 表面・界面物性 / 半導体超微細化 / 超微細加工形状 / プラズマエッチング / 反応生成物 / 表面ラフネス |
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| 研究概要 |
半導体集積回路デバイス作製などに不可欠のプラズマを用いた微細加工(プラズマエッチング)における,微細パターン底面・側壁のナノスケールの微小な形状異常や寸法誤差,特に,ナノスケールの表面ラフネス(凹凸)について,プラズマ・プロセス実験と数値シミュレーション(モンテカルロ法をベースとした独自の原子スケールセルモデル,分子動力学法)を駆使して,発現機構を解析・モデル化し,その制御法を考察した.
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