| 研究課題/領域番号 |
21360002
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
末益 崇 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40282339)
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| 研究分担者 |
秋山 賢輔 神奈川県産業技術センター, 主任研究員 (70426360)
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| 連携研究者 |
関口 隆史 物質・材料研究機構, グループリーダー (00179334)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
16,510千円 (直接経費: 12,700千円、間接経費: 3,810千円)
2011年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
2010年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2009年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
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| キーワード | 新機能材料 / 半導体シリサイド / マイクロチャネルエピタキシー / MOCVD / 鉄シリサイド / 種結晶 / 赤外受光素子 / ホール測定 / 量子効率 / 原子状水素 / MBE / 格子不整合 |
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| 研究概要 |
原子状水素援用分子線エピタキシー法により、Si基板上にエピタキシャル成長したアンドープβ-FeSi_2膜において、従来よりも2桁以上のキャリア密度低減に成功し、10^<16>cm^<-3>台の電子密度を実現した。また、SOI基板上に熱反応堆積法で形成した大きさ約0.1μmのβ-FeSi_2島を種結晶として、有機金属気相成長法を用いることで、非晶質SiO_2膜上ではなく種結晶の部分のみを核として横方向に選択成長することに成功し、1μm以上の粒径をもつβ-FeSi_2の形成に成功した。
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