| 研究課題/領域番号 |
21360005
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
斉木 幸一朗 東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (70143394)
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| 研究分担者 |
藤川 安仁 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (70312642)
和田 恭雄 東洋大学, 学際・融合科学研究科, 教授 (50386736)
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| 連携研究者 |
和田 恭雄 東洋大学, 学際・融合科学研究科, 教授 (50386736)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,850千円 (直接経費: 14,500千円、間接経費: 4,350千円)
2011年度: 4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2010年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2009年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
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| キーワード | 有機トランジスタ / ペンタセン / セキシチオフェン / グラフェン電極 / 電界効果 / 化学修飾 / 溶液プロセス / スピンコート / 酸化グラフェン / 界面準位 / グラフォエピタキシー / カーボンナノウォール / 原子間力顕微鏡 / SiO_2表面 |
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| 研究概要 |
金属-有機半導体界面の制御による有機トランジスタの性能向上法を探索した.金電極からセキシチオフェンを成長させることで狭いチャネル内に単結晶性の薄膜を成長させ,移動度の向上が実現した.化学的に剥離したグラフェンを溶液プロセスで有機トランジスタの電極としてゲート絶縁膜上に形成手法を確立し,溶液プロセスによるペンタセン薄膜を塗布した有機トランジスタで高い移動度が得られることを実証した.
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