研究課題/領域番号 |
21360007
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
応用物性・結晶工学
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研究機関 | 三重大学 |
研究代表者 |
平松 和政 三重大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50165205)
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研究分担者 |
三宅 秀人 三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70209881)
元垣内 敦司 三重大学, 大学院・工学研究科, 助教 (00303751)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2010年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2009年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
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キーワード | エピタキシャル成長 / 選択成長 / 非極性 / 窒化物半導体 / 発光ダイオード / MOVPE / m面 / ファセット制御 / 転位 / 歪み / GaN / ファセット変調構造 |
研究概要 |
本研究では、連続広帯域スペクトルを有する白色LEDを開発することにより、「波長ばらつきの問題」と「演色性の問題」を同時に解決し、照明に適したLEDの実現を目指すことを目的として、a面GaN上への選択成長とm面の平坦なGaN膜の作製を行った。成長温度と成長圧力を制御することで、ファセットを制御した選択成長を行うことができ、さらにこの知見を利用して、m面の平坦なGaN膜を得ることができた。これらの成果を活用すれば、連続広帯域スペクトルを有する白色LEDの開発が可能になる。
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