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窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色LEDの開発

研究課題

研究課題/領域番号 21360007
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関三重大学

研究代表者

平松 和政  三重大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50165205)

研究分担者 三宅 秀人  三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (70209881)
元垣内 敦司  三重大学, 大学院・工学研究科, 助教 (00303751)
研究期間 (年度) 2009 – 2011
研究課題ステータス 完了 (2011年度)
配分額 *注記
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2011年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
2010年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2009年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
キーワードエピタキシャル成長 / 選択成長 / 非極性 / 窒化物半導体 / 発光ダイオード / MOVPE / m面 / ファセット制御 / 転位 / 歪み / GaN / ファセット変調構造
研究概要

本研究では、連続広帯域スペクトルを有する白色LEDを開発することにより、「波長ばらつきの問題」と「演色性の問題」を同時に解決し、照明に適したLEDの実現を目指すことを目的として、a面GaN上への選択成長とm面の平坦なGaN膜の作製を行った。成長温度と成長圧力を制御することで、ファセットを制御した選択成長を行うことができ、さらにこの知見を利用して、m面の平坦なGaN膜を得ることができた。これらの成果を活用すれば、連続広帯域スペクトルを有する白色LEDの開発が可能になる。

報告書

(4件)
  • 2011 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2010 実績報告書
  • 2009 実績報告書
  • 研究成果

    (177件)

すべて 2012 2011 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (51件) (うち査読あり 49件) 学会発表 (118件) 図書 (2件) 備考 (6件)

  • [雑誌論文] Effects of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN2012

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, H.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi

      巻: vol.9 号: 3-4 ページ: 499-502

    • DOI

      10.1002/pssc.201100712

    • 関連する報告書
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    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE2012

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Phys.Status Solidi

      巻: vol.9 号: 3-4 ページ: 576-579

    • DOI

      10.1002/pssc.201100797

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書 2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Microstructure of AlN Grown on a Nucleation Layer on a Sapphire Substrate2012

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Kuwahara, M. Mitsuhara and N. Kuwano
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 5

    • NAID

      10030155844

    • 関連する報告書
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    • 査読あり
  • [雑誌論文] Orientation dependence of polarized Raman spectroscopy for nonpolar, semi-polar, and polar bulk GaN substratesr2012

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, D. Jinno, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Orientation dependence of polarized Raman spectroscopy for nonpolar, semi-polar, and polar bulk GaN substrates2012

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Daiki Jinno, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hiroshi Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 100 号: 1

    • DOI

      10.1063/1.3674983

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      2011 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Microstructure of AlN grown on a nucleation layer on sapphire substrate2012

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu, T.Kuwahara, M.Mitsuhara, N.Kuwano
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Express

      巻: Volime 5 No.2 号: 2 ページ: 025501-025501

    • DOI

      10.1143/apex.5.025501

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    • 査読あり
  • [雑誌論文] Strain control of GaN grown on 3C-SiC/Si substrate using AlGaN buffer layer2011

    • 著者名/発表者名
      H.Fang, Y.Takaya, S.Ohuchi, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Asamura, K.Kawamura
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 9 号: 3-4 ページ: 550-553

    • DOI

      10.1002/pssc.201100332

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    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and Y. Shimahara
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50

    • NAID

      40019010401

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  • [雑誌論文] Stress analysis of a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrate2011

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Harima
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 8 ページ: 2066-2068

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  • [雑誌論文] Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth2011

    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, S. Yang, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 8 ページ: 2069-2071

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  • [雑誌論文] HVPE grown thick ALN on trench-patterned substrate2011

    • 著者名/発表者名
      K. Fujita, K. Okuura, H. Miyake, K. Hiramatsu and H. Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 8 ページ: 1483-1486

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    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN2011

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimahara, H. Miyake, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and Y. Shimahara
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028209557

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  • [雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011

    • 著者名/発表者名
      S. Yang, R. Miyagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, and H. Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028155120

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      2011 研究成果報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of Deep-Ultraviolet-Light-Source Tube Using Si-Doped AlGaN2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, Y.Shimahara
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS EXPRESS

      巻: 4 号: 4 ページ: 042103-042103

    • DOI

      10.1143/apex.4.042103

    • NAID

      10028209557

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      2011 実績報告書
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  • [雑誌論文] HVPE grown thick ALN on trench-patterned substrate2011

    • 著者名/発表者名
      K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Hirayama
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 8 号: 5 ページ: 1483-1486

    • DOI

      10.1002/pssc.201001130

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  • [雑誌論文] Control of AlN buffer/sapphire substrate interface for AlN growth2011

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 8 号: 7-8 ページ: 2069-2071

    • DOI

      10.1002/pssc.201001186

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  • [雑誌論文] Stress analysis of a-plane GaN grown on r-plane sapphire substrates2011

    • 著者名/発表者名
      Bei Ma, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hiroshi Harima
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: 8 号: 7-8 ページ: 2066-2068

    • DOI

      10.1002/pssc.201001166

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  • [雑誌論文] Growth of High-Quality Si-Doped AlGaN by Low-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, Y.Shimahara
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 50 号: 9R ページ: 095502-095502

    • DOI

      10.1143/jjap.50.095502

    • NAID

      40019010401

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  • [雑誌論文] Raman Scattering Spectroscopy of Residual Stresses in Epitaxial AlN Films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 4

    • NAID

      10028155120

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    • 著者名/発表者名
      B. Ma, R. Miyagawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

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      巻: 1201

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    • 著者名/発表者名
      R. Miyagawa, J. Wu, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

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    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, H. Asamura, K. Kawamura, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

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  • [雑誌論文] Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions2010

    • 著者名/発表者名
      W. Hu, B. Ma, D. Li, R. Miyagawa, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

    • NAID

      40017033737

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  • [雑誌論文] Study of High-Quality and Crack-Free GaN Growth on 3C-SiC/Separation by Implanted Oxygen2010

    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, H.Asamura, K.Kawamura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 49

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    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

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    • 著者名/発表者名
      B.Ma, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Material Research Society Symposium Proceedings

      巻: 1201

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  • [雑誌論文] Effects of the AlN Interlayer on the Distribution and Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/AlN/GaN Heterojunctions2010

    • 著者名/発表者名
      W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 49

    • NAID

      40017033737

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    • 著者名/発表者名
      J. Wu, K. Okuura, K. Fujita, K. Okumura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 4473-4477

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    • 著者名/発表者名
      J. Wu, K. Okuura, H. Miyake, and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 2

    • NAID

      10027011951

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  • [雑誌論文] Nitridating r-plane sapphire to improve crystal qualities and surface morphologies of a-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, W. Hu, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 95

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  • [雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 3801-3805

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  • [雑誌論文] Effects of initial conditions and growth temperature on the properties of nonpolar a-plane AlN grown by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi(c)

      巻: 6

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  • [雑誌論文] In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltalic effect in a-plane GaN2009

    • 著者名/発表者名
      W. Hu, B. Ma, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 94

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  • [雑誌論文] Growth of undoped and Zn-doped GaN nanowires2009

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, S. Koide, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2970-2972

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  • [雑誌論文] Photoluminesence study of Si-doped a-plane GaN grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      D. Li, B. Ma, R. Miyagawa, M. Narukawa, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2906-2909

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  • [雑誌論文] Optical properties of MOVPE-grown a-plane GaN and AlGaN2009

    • 著者名/発表者名
      M. Narukawa, R. Miyagawa, B. Ma, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2903-2905

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  • [雑誌論文] Structural and electrical properties of Si-doped a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      B. Ma, R. Miyagawa, W. Hu, D. Li, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2899-2902

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    • 著者名/発表者名
      Y. Katagiri, S. Kishino, K. Okuura, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 311 ページ: 2831-2833

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  • [雑誌論文] Low-pressure HVPE growth of crack-free thick AlN on a trench-patterned AlN template2009

    • 著者名/発表者名
      Y.Katagiri, S.Kishino, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2831-2833

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      B.Ma, R.Miyagawa, W.Hu, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
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      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2899-2902

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    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, R.Miyagawa, B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2903-2905

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      D.Li, B.Ma, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2906-2909

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    • 著者名/発表者名
      M.Narukawa, S.Koide, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2970-2972

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      W.Hu, B.Ma, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
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    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c) 6

      ページ: 5478-5481

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of initial stages on the crystal quality of nonpolar a-plane AlN on r-plane sapphire by low-pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, D.Li, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 3801-3805

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Nitridating r-plane sapphire to improve crystal qualities and surface morphologies of a-plane GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, W.Hu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters 95

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of Substrate Plane on the Growth of High Quality AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express 2

    • NAID

      10027011951

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Influence ofoff-cutangleof r-plane sapphireonthecrystalqualityof nonpolar a-plane AlNbyLP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okuura, K.Fujita, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 4473-4477

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政, 元垣内敦司, 他4名
    • 雑誌名

      新インターユニバーシティ 半導体工学((株) オーム社)

      ページ: 1-46

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [雑誌論文]2009

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 宮川鈴衣奈, 他35名
    • 雑誌名

      窒化物基板および講師整合基板の成長とデバイス特性((株) シーエムシー出版)

      ページ: 119-127

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 非極性自立GaN結晶のラマン散乱分光による評価2012

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 神野大樹, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-18
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 3C-SiC/Si基板上GaN成長におけるAlN中間層の効果2012

    • 著者名/発表者名
      高谷佳史, 方浩, 三宅秀人, 平松和政, 浅村英俊, 川村啓介, 奥秀彦
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-17
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE法によるm面GaN自立基板上へのGaN選択成長2012

    • 著者名/発表者名
      神野大樹, Bei Ma, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-17
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術2012

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] a面・n面サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2012

    • 著者名/発表者名
      強力尚紀, 高木雄太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 溝加工AlN基板上へのAlNのMOVPE成長におけるSiドーピング効果2012

    • 著者名/発表者名
      西尾剛, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Si-doped AlGaN量子井戸構造の減圧MOVPE法による成長と発光特性2012

    • 著者名/発表者名
      落合俊介, 福世文嗣, 三宅秀人, 平松和政, 吉田治正, 小林祐二
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE法によるAlN成長におけるサファイア界面制御とTEM観察2012

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政, 桑原崇彰, 光原昌寿, 桑野範之
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-16
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] HVPE法AlN成長におけるボイドを用いた歪み・転位低減技術2012

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人,平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 窒化物半導体における特異構造の理解と制御2012

    • 著者名/発表者名
      平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会(招待講演)
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス
    • 年月日
      2012-03-15
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] 窒化物半導体における特異構造の理解と制御2012

    • 著者名/発表者名
      平松和政
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学早稲田キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2012-03-15
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈、楊士波、三宅秀人、平松和政、桑原崇彰、桑野範之、光原昌寿
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス桂ホール
    • 年月日
      2011-11-17
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也、三宅秀人、平松和政、龍祐樹、桑原崇彰、桑野範之
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス桂ホール
    • 年月日
      2011-11-17
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 溝加工AlN上でのMOVPE法におけるAlN成長速度の異方性2011

    • 著者名/発表者名
      楊士波, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-31
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Si-doped AlGaN多重量子井戸の作製と発光特性2011

    • 著者名/発表者名
      落合俊介, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-31
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 非極性自立基板を用いたGaNホモエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      神野大樹, Bei Ma, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 減圧HVPE法を用いたAlN成長における転位密度の低減2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/a面Sapphire上への厚膜AIN成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] AlNのMOVPE成長におけるキャリアガスの影響2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス
    • 年月日
      2011-08-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by lowpressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Takagi, Y Miyagawa, R Miyake, H Hiramatsu, K
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-14
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Influence of carrier gas and growth temperature on MOVPE growth of AlN2011

    • 著者名/発表者名
      Miyagawa, R; Yang, S; Miyake, H; Hiramatsu, K
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-11
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Raman analysis of HVPE-grown free-standing gallium nitride with various orientations2011

    • 著者名/発表者名
      Ma, B; Jinno, D; Miyake, H; Hiramatsu, K; Harima, H
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-11
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Strain control of GaN grown on 3C-SiC/Si substrate using AlGaN buffer layer2011

    • 著者名/発表者名
      Fang, H; Takaya, Y; Ohuchi, S; Miyake, H; Hiramatsu, K; Asamura, H; Kawamura, K
    • 学会等名
      The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Scottish Exhibition and Conference Center(グラスゴー・イギリス)
    • 年月日
      2011-07-11
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Effects of carrier gas and temperature on MOVPE growth of AlN2011

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of crack-free thick AlN film on a-plane sapphire by low-pressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication and emission properties of Si-doped AlGaN multiple quantum wells2011

    • 著者名/発表者名
      S.Ochiai, Y.Shimahara, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム(EMS-30)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      2011-06-30
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 3C-SiC/Si基板上AlGaN-buffer層を用いたGaN成長の歪み制御2011

    • 著者名/発表者名
      高谷佳史、大内澄人、方浩、三宅秀人、平松和政、浅村英俊、川村啓介
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 無極性・半極性自立基板を用いたGaNホモエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      神野大樹、馬ベイ、方浩、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 深い溝加工の6H-SiC基板を用いた減圧HVPE法によるAlN成長2011

    • 著者名/発表者名
      強力尚紀、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 自立GaN結晶を用いたラマン散乱分光の面方位依存性2011

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ、神野大樹、三宅秀人、平松和政、播磨弘
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス
    • 年月日
      2011-06-18
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] 250 nm emission from Si-doped AlGaN and its quantum wells upon excitation by electron beam2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida, T.Fujita, T.Kuwahara, N.Kuwano
    • 学会等名
      The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル
    • 年月日
      2011-05-26
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Raman scattering spectroscopy of residual stresses in epitaxial AlN films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル
    • 年月日
      2011-05-23
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Study on interface for AlN growth on sapphire substrate2011

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 5th Asia-pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2011)
    • 発表場所
      鳥羽国際ホテル
    • 年月日
      2011-05-23
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2011

    • 著者名/発表者名
      楊士波、宮川鈴衣奈、三宅秀人、平松和政、播磨弘
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
    • 年月日
      2011-05-19
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御2011

    • 著者名/発表者名
      大内澄人、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
    • 年月日
      2011-05-19
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いたHVPE法によるAlN厚膜成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス、電子部品・材料、シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学東山キャンパスベンチャービジネスラボラトリー
    • 年月日
      2011-05-19
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Ultraviolet light source using MOVPE grown Si-doped AlGaN on AlN/sapphire2011

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Shimahara, S. Ochiai, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka, H. Yoshida
    • 学会等名
      E-MRS Spring Meeting(招待講演)
    • 発表場所
      ニース(フランス)
    • 年月日
      2011-05-11
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Ultraviolet light source using MOVPE grown Si-doped AlGaN on AlN/sapphire2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      E-MRS Spring Meeting
    • 発表場所
      Congress Center(ニース、フランス)(招待講演)
    • 年月日
      2011-05-11
    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [学会発表] Homo-epitaxial growth of thick AlN film by HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake
    • 学会等名
      7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII 2011)
    • 発表場所
      高野山大学
    • 年月日
      2011-03-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] PETフィルム上バイナリ型回折凸レンズにおける緑色光の配光制御2011

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司, 荒川和哉, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価(2)2011

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2011

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 奥村健太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 福山博之
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 周期溝加工c面AlN/a面Sapphire上への減圧HVPE法によるAlN成長2011

    • 著者名/発表者名
      高木雄太, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Si-doped AlGaN超格子の作製と発光評価2011

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 島原佑樹, 落合俊介, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正, 桑野範之
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE法による選択成長を用いたGaN基板の反り制御2011

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 直井弘之, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第58回 応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(予稿集DVD)
    • 年月日
      2011-03-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Shimahara, S. Ochiai, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials(ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2011-03-07
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Deep-Ultraviolet Emission Si-doped AlGaN Excited by Electron Beam2011

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, S.Ochiai, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2011)
    • 発表場所
      名古屋工業大学
    • 年月日
      2011-03-07
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Raman scattering spectroscopy for epitaxial AlN films2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yang, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      アメリカ サンフランシスコ
    • 年月日
      2011-01-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] AlN homo-epitaxial growth on sublimation-AlN substrate by low-pressure HVPE2011

    • 著者名/発表者名
      T.Nomura, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryuu, Y.Yamada
    • 学会等名
      SPIE Photonic West
    • 発表場所
      アメリカ サンフランシスコ
    • 年月日
      2011-01-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] r面サファイア上a面GaN成長における反りのその場観察2010

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] サファイア基板上AlN成長における界面層評価2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 楊士波, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 選択成長を用いて形成したボイドによるGaN膜の反り制御2010

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会 年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館
    • 年月日
      2010-12-17
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE growth of Si-doped AlGaN and its application for ultra-violet light source2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      10th Akasaki Research Center Symposium
    • 発表場所
      ルブラ王山(名古屋市)(招待講演)
    • 年月日
      2010-11-26
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 電子線励起法による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製と特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 野村拓也, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      電子情報通信学会研究会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2010-11-11
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 短焦点距離バイナリ型回折レンズにおける回折効率の周期内凸部占有率依存性2010

    • 著者名/発表者名
      荒川和哉, 元垣内敦司, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      日本光学会年次学術講演会
    • 発表場所
      中央大学 駿河台記念館
    • 年月日
      2010-11-09
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication and characterization of binary diffractive lens with the 100μm-order-focal length2010

    • 著者名/発表者名
      A. Motogaito, K. Arakawa, Y. Nakayama, H. Miyake and K. Hiramatsu
    • 学会等名
      16th Microoptics Conference(MOC2010)
    • 発表場所
      新竹(台湾)
    • 年月日
      2010-11-02
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Fabrication and characterization of binary diffractive lens with the 100μm-order-focal length2010

    • 著者名/発表者名
      A.Motogaito, K.Arakawa, Y.Nakayama, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      16^<th> Microoptics Conference (MOC2010)
    • 発表場所
      台湾 新竹
    • 年月日
      2010-11-02
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Study on Light Control and LED Lighting Application2010

    • 著者名/発表者名
      K. Hiramatsu and A. Motogaito
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting(招待講演)
    • 発表場所
      ソウル(韓国)
    • 年月日
      2010-10-11
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting(招待講演)
    • 発表場所
      ソウル(韓国)
    • 年月日
      2010-10-11
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Fabrication Deep-violet Light Source using MOVPE-grown Si-doped AlGaN2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
    • 発表場所
      韓国 ソウル(招待講演)
    • 年月日
      2010-10-11
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Study on Light Control and LED Lighting Application2010

    • 著者名/発表者名
      K.Hiramatsu, A.Motogaito
    • 学会等名
      Korea-Japan Workshop on Semiconductor for Energy Saving and Harvesting
    • 発表場所
      韓国 ソウル(招待講演)
    • 年月日
      2010-10-11
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Stress Analysis of a-plane GaN Grown on r-plane Sapphire Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, J.Zhang, H.Miyake, K.Hiramatsu, H.Harima
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカ タンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Interface Control of AlN Buffer and Sapphire Substrate for AlN Growth2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, S.Yang, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN-2010)
    • 発表場所
      アメリカ タンパ
    • 年月日
      2010-09-20
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] サファイア上へのAlN成長における界面層の評価2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 選択成長により形成されたボイドを利用したGaN膜の反り制御2010

    • 著者名/発表者名
      大内澄人, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] r面サファイア上a面GaNの反り異方性2010

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 電子線励起による深紫外光源用Si-doped AlGaNの作製2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 福世文嗣, 岡田知幸, 高岡秀嗣, 吉田治正
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価2010

    • 著者名/発表者名
      楊士波, 宮川鈴衣奈, 張紀才, 三宅秀人, 平松和政, 播磨弘
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 昇華法AlN基板上への減圧HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長2010

    • 著者名/発表者名
      野村拓也, 奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修, 山田陽一
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのAlN横方向成長2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学
    • 年月日
      2010-09-14
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Structural study of selective-area grown a-plane GaN2010

    • 著者名/発表者名
      B.Ma, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-16
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Study on AlN buffer layer for AlN growth on sapphire substrate by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      第29回電子材料シンポジウム(EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺
    • 年月日
      2010-07-15
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] 短焦点距離バイナリ型回折レンズの構造最適化2010

    • 著者名/発表者名
      荒川和哉、中山裕次、元垣内敦司、三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      第35回光学シンポジウム
    • 発表場所
      東京大学 生産技術研究所
    • 年月日
      2010-07-08
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] HVPE Growth of Thick AlN on Trench-Patterned Sapphire Substrate2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, K.Okuura, K.Fujita, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
    • 発表場所
      フランス モンペリエ
    • 年月日
      2010-07-06
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] LEDの配光制御とLED照明応用2010

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、平松和政
    • 学会等名
      日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第158委員会第83回研究会(招待講演)
    • 発表場所
      三重大学工学部
    • 年月日
      2010-06-24
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] LEDの配光制御とLED照明応用2010

    • 著者名/発表者名
      元垣内敦司、平松和政
    • 学会等名
      日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第158委員会 第83回研究会
    • 発表場所
      三重大学工学部(招待講演)
    • 年月日
      2010-06-24
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] HVPE growth of AlN on trench-patterned 6H-SiC substrates2010

    • 著者名/発表者名
      K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu, O.Eryu
    • 学会等名
      The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-06-04
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] HVPE growth of c-plane AlN on a-plane sapphire using high-temperature buffer layer2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, R.Miyagawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 37th International Conference on Compound Semiconductors (ISCS2010)
    • 発表場所
      高松シンボルタワー
    • 年月日
      2010-06-02
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Deep-ultraviolet luminescence from Si-doped AlGaN grown by low-pressure MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Shimahara, H.Taketomi, H.Miyake, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京
    • 年月日
      2010-05-19
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] HVPE growth of crack-free thick AlN film on trench-patterned AlN template2010

    • 著者名/発表者名
      K.Fujita, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu, J.Norimatsu, H.Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京
    • 年月日
      2010-05-19
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, H. Taketomi, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, F. Fukuyo, T. Okada, H. Takaoka and H. Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED2010)(招待講演)
    • 発表場所
      北京(中国)
    • 年月日
      2010-05-18
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Fabrication of Deep Ultra-violet Light Source using AlGaN on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      H.Miyake, H.Taketomi, Y.Shimahara, K.Hiramatsu, F.Fukuyo, T.Okada, H.Takaoka, H.Yoshida
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED2010)
    • 発表場所
      中国 北京(招待講演)
    • 年月日
      2010-05-18
    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [学会発表] サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における界面制御2010

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-18
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 溝加工6H-SiC基板上への減圧HVPE法によるAlN成長2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Si-doped AlGaNのMOVPE成長と光学特性評価2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学 (平塚市)
    • 年月日
      2010-03-17
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of 247nm Light-Source Using AlGaN on AlN/Sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, et al.
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Low Pressure HVPE Growth of AIN on 6H-SiC2010

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] AlN Growth on Trench-Patterned AlN/Sapphire by Low-Pressure HVPE2010

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Growth of High-Quality AlN on a-Plane Sapphire by HVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Takagi, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      IS Plasma 2010
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2010-03-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Fabrication of ultraviolet-C light source using MOVPE grown AlGaN layer on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      Hideto Miyake
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2010(招待講演)
    • 発表場所
      サンフランシスコ(米国)
    • 年月日
      2010-01-28
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] Fabrication of ultraviolet-C light source using MOVPE grown AlGaN layer on AlN/sapphire2010

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人
    • 学会等名
      SPIE Photonics West 2010
    • 発表場所
      サンフランシスコ (米国)
    • 年月日
      2010-01-28
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Growth of High Quality c-plane AlN on a-plane Sapphire2009

    • 著者名/発表者名
      R.Miyagawa, J.Wu, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン (米国)
    • 年月日
      2009-12-01
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Control of Facet Structures in Selective Area Growth (SAG) of a-plane GaN by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      MRS Fall Meeting
    • 発表場所
      ボストン (米国)
    • 年月日
      2009-12-01
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2009-11-20
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] AlN/sapphire 上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性2009

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス、電子部品・材料、レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • 発表場所
      徳島大学
    • 年月日
      2009-11-19
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE法を用いたa面GaNの選択成長2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 胡衛国, 宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-14
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 減圧HVPE法による溝加工基板上へのAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥浦一輝, 藤田浩平, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 減圧HVPE法による6H-SiC上へのAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      奥村建太, 三宅秀人, 平松和政, 江龍修
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE法による高温AlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2009-11-13
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] A-Plane AlN and AlGaN Growth on R-Plane Sapphire by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島 (韓国)
    • 年月日
      2009-10-22
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009

    • 著者名/発表者名
      H. Miyake, H. Taketomi, Y. Shimahara, K. Hiramatsu, et al.
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(招待講演)
    • 発表場所
      済州島(韓国)
    • 年月日
      2009-10-21
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [学会発表] MOVPE Growth of AlGaN with AlN Mole-Fractiom Control Layer2009

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人, 武富浩幸, 島原佑樹, 平松和政, et al.
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島 (韓国)
    • 年月日
      2009-10-21
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] The In-Plane Anisotropic and Polarized Raman-Active Modes Studies of Nonpolar AlN Grown on 6H-SiC by Low-Pressure HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, K.Okumura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      済州島 (韓国)
    • 年月日
      2009-10-19
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 高Al組成AlGaNのAlN/sapphire 上へのMOVPE成長と発光特性2009

    • 著者名/発表者名
      島原佑樹, 武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 電子線励起によるAlGaNを用いた深紫外光源2009

    • 著者名/発表者名
      武富浩幸, 島原佑樹, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 周期溝加工基板を用いた減圧HVPE法によるAlN厚膜成長2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政, 三宅秀人, 奥浦一輝, 桑野範之
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-09
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長2009

    • 著者名/発表者名
      藤田浩平, 奥浦一輝, 三宅秀人, 平松和政, 乗松潤, 平山秀樹
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 加工サファイア基板上へのMOVPE法によるGaN成長における反射・反りのその場観察2009

    • 著者名/発表者名
      西村将太, 生川光久, 三宅秀人, 平松和政, 深野敦之, 谷口豊
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学
    • 年月日
      2009-09-08
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] In situ monitoring on MOVPE growth of nitride semiconductors2009

    • 著者名/発表者名
      生川満久, 西村将太, 小川原悠哉, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖 (滋賀県守山市)
    • 年月日
      2009-07-10
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Mobility enhancement in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structures2009

    • 著者名/発表者名
      W.Hu, B.Ma, D.Li, R.Miyagawa, M.Narukawa, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界 (中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Influence of off-cut angle of sapphire on the crystal quality of nonpolara-plane AlN by LP-HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      J.Wu, Y.Katagiri, K.Okuura, H.Miyake, K.Hiramatsu
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界 (中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] Effects of r-plane sapphire nitridation on a-plane GaN grown by MOVPE2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on wide gap Semiconductors (APWS 2009)
    • 発表場所
      張家界 (中国)
    • 年月日
      2009-05-26
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] AlN/sapphire 上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光2009

    • 著者名/発表者名
      武富浩幸, 三宅秀人, 平松和政, 他4名
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      豊橋技術科学大学 (豊橋市)
    • 年月日
      2009-05-15
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      馬ベイ, 宮川鈴衣奈, 胡衛国, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス電子部品・材料シリコン材料・デバイス研究会
    • 発表場所
      豊橋技術科学大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] 窒化物半導体のMOVPE成長におけるその場観察2009

    • 著者名/発表者名
      生川満久, 西村将太, 小川原悠哉, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [学会発表] r面サファイア上へのMOVPE法によるa面AlN, AlGaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      宮川鈴衣奈, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学
    • 年月日
      2009-05-15
    • 関連する報告書
      2009 実績報告書
  • [図書] 新インターユニバーシティ半導体工学2009

    • 著者名/発表者名
      平松和政、元垣内敦司, 他4名
    • 出版者
      (株)オーム社
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [図書] 窒化物基板および講師整合基板の成長とデバイス特性2009

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人、宮川鈴衣奈, 他35名
    • 出版者
      (株)シーエムシー出版
    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.opt.elec.mie-u.ac.jp

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考]

    • URL

      http://cute.rc.mie-u.ac.jp

    • 関連する報告書
      2011 研究成果報告書
  • [備考] 三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻オプトエレクトロニクス研究室

    • URL

      http://www.opt.elec.mie-u.ac.jp

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [備考] 三重大学極限ナノエレクトロニクスセンター

    • URL

      http://www.cute.rc.mie-u.ac.jp

    • 関連する報告書
      2011 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.opt.elec.mie-u.ac.jp

    • 関連する報告書
      2010 実績報告書
  • [備考]

    • URL

      http://www.opt.elec.mie-u.ac.jp

    • 関連する報告書
      2009 実績報告書

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公開日: 2009-04-01   更新日: 2016-04-21  

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