| 研究課題/領域番号 |
21360012
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 広島大学 |
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研究代表者 |
中島 安理 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (70304459)
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| 研究分担者 |
横山 新 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 教授 (80144880)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)
2011年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
2010年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
2009年度: 13,390千円 (直接経費: 10,300千円、間接経費: 3,090千円)
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| キーワード | 有機 / 分子エレクトロニクス / フラッシュメモリ / 有機分子 / フラーレン / シリコン |
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| 研究概要 |
不揮発性メモリのために、フラーレンを含む有機ポリマー上に有機ポリマーのトンネル絶縁膜を堆積したスタックゲート構造を開発した。キャパシターの容量-電圧特性において、キャリアがポリマー中のフラーレンに注入される事によるフラットバンドシフトが観測された。また長時間の保持特性も得られた。更にバイアス電圧印加停止直後の保持特性において、フラーレンを含む有機ポリマー中での電荷の再分布を示唆する現象を観測した。
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