| 研究課題/領域番号 |
21360013
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
武内 道一 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, 准教授 (60284585)
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| 研究分担者 |
黒内 正仁 立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション研究機構, ポストドクトルフェロー (10452187)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2011年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2010年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2009年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
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| キーワード | 深紫外発光素子 / 結晶成長 / III族窒化物半導体 / 量子井戸 / AlN / AlGaN / 縦型発光素子 / レーザーリフトオフ |
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| 研究概要 |
基板をはく離することで電極対向面配置型の縦型深紫外LED作製し、大面積化を行うことを目的として研究である。青色LEDに用いられている既存の技術ではサファイア基板とエピGaN層界面をレーザーリフトオフ法ではく離していたのだが、深紫外LEDではサファイア基板とAlN層界面をはく離せねばならない。AlN層はく離に適した成長膜構造開発とともに、結晶の高品質化に努め、数mW超の発光に成功した。サファイア基板以外にもSi基板を用いた試行により、結晶の高品質化、クラック抑制を達成し、ウェットエッチングでSi基板はく離が可能かを実証した。
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