| 研究課題/領域番号 |
21360016
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
王 学論 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 主任研究員 (80356609)
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| 研究分担者 |
清水 三聡 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 研究チーム長 (10357212)
小倉 睦郎 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 主任研究員 (90356717)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
15,860千円 (直接経費: 12,200千円、間接経費: 3,660千円)
2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
2010年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2009年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
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| キーワード | 光物性 / エバネッセント光 / リッジ構造 / 指向性 / 空気伝播光 / 結合 / GaAs / GaN / FDTD / 光取り出し効率 / AlGaAs / 放射パターン / MOCVD / 光取出し効率 / SiO_2 / 屈折率 |
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| 研究概要 |
光学的手法を用いて微細リッジ構造において発現するエバネッセント光の空気伝播光変換現象を調べた。その結果、リッジ表面にSiO_2膜を堆積させると、半導体・SiO_2膜およびSiO_2膜・空気との二つの界面においてエバネッセント光の結合効果が発現し、光の取出し効率が約1.5倍増大されることが判明した。さらに、発光領域をリッジの中心に局在させると、光が指向性を持って放射される現象も明らかにした。
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