| 研究課題/領域番号 |
21360022
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
木村 健二 京都大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50127073)
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| 研究分担者 |
鈴木 基史 京都大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (00346040)
中嶋 薫 京都大学, 大学院・工学研究科, 助教 (80293885)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2011年度: 3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2010年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2009年度: 9,360千円 (直接経費: 7,200千円、間接経費: 2,160千円)
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| キーワード | ノイズ低減 / 高分解能RBS / 高分解能ERDA / 軽元素分析 / 位置検出器 |
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| 研究概要 |
高分解能ラザフォード後方散乱法における検出感度は主にスペクトロメーターのバックグランド・ノイズで決定される。バックグランド・ノイズの主な原因は、スペクトロメーターの内壁で散乱されたイオンと検出器のダーク・ノイズである。これらを減少させる方法を開発し、最大で200分の1まで減少させることができた。これにより、シリコン中のヒ素の検出感度を10 ppmまで向上できることがわかった。
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