| 研究課題/領域番号 |
21360023
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
長谷川 繁彦 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50189528)
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| 研究分担者 |
周 逸凱 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60346179)
朝日 一 大阪大学, 産業科学研究所, 特任教授 (90192947)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2012
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| 研究課題ステータス |
完了 (2012年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2012年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2011年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2010年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2009年度: 9,750千円 (直接経費: 7,500千円、間接経費: 2,250千円)
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| キーワード | 走査型トンネル顕微鏡 / スピンエレクトロニクス / 分子線エピタキシー / 希薄磁性半導体 / トンネル現象 / スピン依存状態密度 / ショットキー接合 / 界面・表面物性 / スピン偏極 / 走査型プローブ顕微鏡 / 表面・界面物性 / MBE(分子線エピタキシー) |
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| 研究概要 |
走査型トンネル顕微鏡を用いたスピン依存弾道電子マッピング法に必要な要素技術である,スピン注入源である強磁性電極材料の選定と評価,スピン検出を行う希薄磁性半導体の創製と評価,弾道電子マッピング測定法・解析法の開発を行った.
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