| 研究課題/領域番号 |
21360025
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
|
|---|
| 研究機関 | 独立行政法人宇宙航空研究開発機構 |
|---|
研究代表者 |
廣瀬 和之 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 准教授 (00280553)
|
|---|
| 連携研究者 |
野平 博司 東京都市大学, 工学部, 教授 (30241110)
小林 大輔 独立行政法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 助教 (90415894)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
|
| 配分額 *注記 |
16,250千円 (直接経費: 12,500千円、間接経費: 3,750千円)
2011年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2010年度: 4,810千円 (直接経費: 3,700千円、間接経費: 1,110千円)
2009年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
|
|---|
| キーワード | 界面 / 誘電率 / 光電子分光 / シリコン / 酸化膜S / 表面 / シリコン酸化膜 / 第一原理計算 / 第一原理計 |
|---|
| 研究概要 |
光電子分光を利用する解析手法で, Si基板上に形成したSiO_2の光学的誘電率は, Si(100)基板上とSi(110)基板上でほぼ一致するが, Si(111)基板上では大きいことを明らかにした.その原因を第一原理分子軌道計算を用いて考察した結果, SiO_2/Si(111)界面近傍では, 他の界面近傍と比べてSi-O結合距離がおよそ0.8%程度長くなっているためであることが示唆された.
|
