| 研究課題/領域番号 |
21360035
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用光学・量子光工学
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| 研究機関 | 徳島大学 |
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研究代表者 |
井須 俊郎 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 特任教授 (00379546)
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| 研究分担者 |
北田 貴弘 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 特任准教授 (90283738)
森田 健 徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 特任講師 (30448344)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,460千円 (直接経費: 14,200千円、間接経費: 4,260千円)
2011年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2010年度: 6,500千円 (直接経費: 5,000千円、間接経費: 1,500千円)
2009年度: 7,930千円 (直接経費: 6,100千円、間接経費: 1,830千円)
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| キーワード | 光エレクトロニクス / 超高速全光スイッチ / 量子ドット / 微小共振器 / MBE,エピタキシャル / 光スイッチ / 非線形光学応答 / キャリア緩和 / 化合物半導体多層膜 / 超高速光スイッチ / 光カー効果 |
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| 研究概要 |
InGaAs格子緩和層内に埋め込んだInAs量子ドットを含むGaAs/ AlAs多層膜共振器構造をGaAs基板上に分子線エピタキシー法により作製し、その非線形光学応答特性を明らかにした。ErドープによりInAs量子ドットの超高速キャリア緩和が実現できることを明らかにし、1ピコ秒程度の応答時間の共振器構造において量子ドットを用いることにより2桁以上の大きな非線形光学応答が得られることを検証した。
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