| 研究課題/領域番号 |
21360066
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
青山 藤詞郎 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (70129302)
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| 研究分担者 |
柿沼 康弘 慶應義塾大学, 理工学部, 准教授 (70407146)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,720千円 (直接経費: 14,400千円、間接経費: 4,320千円)
2011年度: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2010年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2009年度: 7,800千円 (直接経費: 6,000千円、間接経費: 1,800千円)
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| キーワード | 精密位置決め / 加工計測 / 半導体製造 / 固定装置 / 真空プロセス / 半導体製造技術 / 機能性エラストマ / ERゲル / ER流体 / 電気粘着効果 / シリコンウェハ |
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| 研究概要 |
電気で粘着性が変化するERゲル(Electro-rheological Gel, ERG)を真空中で使用可能なウェハ固定装置へ応用し,半導体製造プロセスの高速・高精度化を試みた.真空対応型ERゲルの開発に成功し,真空プロセスにおけるウェハの高速搬送を実現する電気粘着保持機構に応用展開した. Siウェハ高速搬送実験の結果,開発した電気粘着保持機構を備えたエンドエフェクタは,着脱の電気的応答性も高く, 0. 5Gの搬送加速度でもウェハの位置ずれを生じることなく搬送できることを確認した.
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