| 配分額 *注記 |
18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円)
2011年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
2010年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円)
2009年度: 9,880千円 (直接経費: 7,600千円、間接経費: 2,280千円)
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| 研究概要 |
対向ターゲット式スパッタ法で適当な下地層上に形成したFeCoB薄膜は異方的な残留歪みにより500Oeの高い異方性磁界を誘起する.この効果はB添加量が5%程度で最大となった.また,極薄のSi/NiFe層でFeCoB層を分割した多層膜ではNiFe層の(111)配向度が向上し, FeCo結晶子の(110)配向度が向上した.また,多層化によりブロッホ磁壁の発生が抑制できる磁区制御技術の開発に成功した.強磁性共鳴周波数は膜の異方性磁界で決まる値に一致し,最高で9. 2GHzとすることができた.
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