| 研究課題/領域番号 |
21360149
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
志村 考功 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90252600)
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| 連携研究者 |
渡部 平司 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90379115)
細井 卓司 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (90452466)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
17,940千円 (直接経費: 13,800千円、間接経費: 4,140千円)
2011年度: 4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2010年度: 5,980千円 (直接経費: 4,600千円、間接経費: 1,380千円)
2009年度: 7,670千円 (直接経費: 5,900千円、間接経費: 1,770千円)
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| キーワード | 作成・評価技術 / Ge on insulator / 液相エピタキシャル成長 / 急速昇温加熱 / ゲルマニウム / シリコンゲルマニウム / 選択成長 / バックゲートトランジスタ / 電子デバイス / 半導体 / 結晶成長 |
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| 研究概要 |
単結晶ゲルマニウムを絶縁膜上に形成したGOI構造は、次世代の電子デバイス用基板材料として注目されている。そのため、良好な結晶性を持つゲルマニウム層を形成できるGOI構造の作製技術が望まれている。本研究では、非晶質ゲルマニウムを短時間の熱処理で単結晶化する方法を提案し、この手法の優位性を検証した。このGOI構造を用いてトランジスタを作製しその電気特性を評価したところ良好な結果を得た。これらの結果は、この手法の有用性を示しており、次世代電子デバイスへの適用が期待できる。
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