電気多重極子を利用した超高密度強誘電体ゲート不揮発性論理演算素子の創製

• 研究課題/領域番号: 21360153
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 大阪府立大学
• 研究代表者: 藤村 紀文 大阪府立大学, 大学院・工学研究科, 教授 (50199361)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2011
• 研究課題ステータス: 完了 (2011年度)
• 配分額: 18,200千円 (直接経費: 14,000千円、間接経費: 4,200千円); 2011年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円); 2010年度: 5,850千円 (直接経費: 4,500千円、間接経費: 1,350千円); 2009年度: 9,230千円 (直接経費: 7,100千円、間接経費: 2,130千円)
• キーワード: 高密度メモリ / 不揮発性論理演算素子 / 強誘電体メモリ / 電気多重極子

研究概要

分極機能型強誘電体ゲート電界効果トランジスタの特性におよぼす電気多重極子の効果を精査し、その指導原理を構築することを目的とした検討を行った。インピーダンス分光と集中定数モデルを用いた解析から、極性半導体の自発分極の効果により低電圧でのオンオフ動作が可能であることを明らかにした。また低温プロセスや微細化プロセスの開発も行った.低温プロセスで作製した分極機能型強誘電体ゲート電界効果トランジスタのチャネル移動度に及ぼす強誘電分極ドメインの影響を調べた結果、キャリアは強誘電体分極ドメイン壁によって散乱されるが、強誘電体を単分極化することで高い移動度が得られることが明らかになった。

研究成果

• [雑誌論文] Local pH control by electrolysis for ZnO epitaxial deposition on a Pt cathode (2012)
  • 著者名/発表者名: S. Yagi, Y. Kondo, Y. Satake, A. Ashida, N. Fujimura
  • 雑誌名: Electrochimica Acta 巻: Vol.62 ページ: 348-353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Local pH control by electrolysis for ZnO epitaxial deposition on a Pt cathode (2012)
  • 著者名/発表者名: S.Yagi, Y.Kondo, Y.Satake, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Electrochimica Acta 巻: 62 ページ: 348-353
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct piezoelectric properties of (100) and (111) BiFeO_3 epitaxial thin films (2012)
  • 著者名/発表者名: K.Ujimoto, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Electrochimica Acta 巻: 100 ページ: 1029011-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] 酸化亜鉛単結晶基板の極性面の違いによる表面処理方法とエピタキシャル成長過程の相違材料 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中村立, 藤村紀文
  • 雑誌名: 材料 巻: 60巻 ページ: 983-987
  • 査読あり
• [雑誌論文] ZnO crystal growth on microelectrode by electrochemical deposition method IOP Conf (2011)
  • 著者名/発表者名: Y. Kondo, A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura
  • 雑誌名: Series : Materials Science and Engineering 巻: Vol.18 ページ: 920431-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of ferroelectric polarization domain structure on electronic transport property of ferroelectric ZnO heterostructure (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Yamada, T. Fukushima, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: Vol.50
  • NAID: 210000071264
  • 査読あり
• [雑誌論文] Initial growth process in electrochemical deposition of ZnO (2011)
  • 著者名/発表者名: A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: Vol.50
  • NAID: 210000070523
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate thin film transistor using resistor-capacitor lumped constant circuit (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Fukushima, K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: Vol.50
  • NAID: 210000070295
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electronic transport property of a YbMnO_3/ZnO heterostructure (2011)
  • 著者名/発表者名: H. Yamada, T. Fukushima, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 雑誌名: Journal of The Korean Physical Society 巻: Vol.58 ページ: 792-796
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of robust PbLa(Zr,Ti)O_3 capacitor structures using insulating oxide encapsulation layers for FeRAM integration (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Saito, T.Tsuji, K.Izumi, Y.Hirota, N.Okamoto, K.Kondo, T.Yoshimura, N.Fujimura, A.Kitajima, A.Oshima
  • 雑誌名: Electronics Letters 巻: 47 ページ: 486-487
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electronic transport property of a YbMnO_3/ZnO heterostructure (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Yamada, T.Fukushima, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of The Korean Physical Society 巻: 58 ページ: 792-796
  • 査読あり
• [雑誌論文] Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate thin film transistor using resistor-capacitor lumped constant circuit (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Fukushima, K.Maeda, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50
  • NAID: 210000070295
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ce-induced reconstruction of Si(001) surface structures (2011)
  • 著者名/発表者名: D.Shindo, S.Sakurai, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50 ページ: 657011-4
  • NAID: 40018868730
  • 査読あり
• [雑誌論文] Initial growth process in electrochemical deposition of ZnO (2011)
  • 著者名/発表者名: A.Ashida, N.Nouzu, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50
  • NAID: 210000070523
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct piezoelectricity of PZT films and application to vibration energy harvesting (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Miyabuchi, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of The Korean Physical Society 巻: 59 ページ: 2524-2527
  • 査読あり
• [雑誌論文] Structural analysis and electrical properties of pure Ge_3N_4 dielectric layers formed by an atmospheric-pressure nitrogen plasma (2011)
  • 著者名/発表者名: R.Hayakawa, M.Yoshida, K.Ide, Y.Yamashita, H.Yoshikawa, K.Kobayashi, S.Kunugi, T.Uehara, N.Fujimura
  • 雑誌名: J.Appl.Phys. 巻: 110 ページ: 641031-5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of ferroelectric polarization domain structure on electronic transport property of ferroelectric ZnO heterostructure (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Yamada, T.Fukushima, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50
  • NAID: 210000071264
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of direct piezoelectric effect in 31 and 33 modes for application to vibration energy harvester (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Miyabuchi, T.Yoshimura, S.Murakami, N.Fujimura
  • 雑誌名: Jpn.J.Appl.Phys. 巻: 50
  • NAID: 210000071302
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of lattice misfit strain on crystal system and ferroelectric property of BiFeO_3 epitaxial thin films (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ujimoto, H.Izumi, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: IOP Conf.Series : Materials Science and Engineering 巻: 18 ページ: 920641-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] ZnO crystal growth on microelectrode by electrochemical deposition method (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Kondo, A.Ashida, N.Nouzu, N.Fujimura
  • 雑誌名: IOP Conf.Series : Materials Science and Engineering 巻: 18 ページ: 920431-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of direct piezoelectric properties for vibration energy harvesting (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, H.Miyabuchi, S.Murakami, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: IOP Conf.Series : Materials Science and Engineering 巻: 18 ページ: 920261-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] Characterization of field effect transistor with TiO_2 nanotube channel fabricated by dielectrophoresis (2011)
  • 著者名/発表者名: M.Ishii, M.Terauchi, T.Yoshimura, T.Nakayama, N.Fujimura
  • 雑誌名: IOP Conf.Series : Materials Science and Engineering 巻: 18 ページ: 820191-4
  • 査読あり
• [雑誌論文] 酸化亜鉛単結晶基板の極性面の違いによる表面処理方法とエピタキシャル成長過程の相違 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中村立, 藤村紀文
  • 雑誌名: 材料 巻: 60 ページ: 983-987
  • NAID: 130001396965
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface preparation of ZnO single-crystal substrate for the epitaxial growth of ZnO thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: Vol.318 ページ: 516-518
  • 査読あり
• [雑誌論文] 定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製 (2010)
  • 著者名/発表者名: 芦田淳, 藤村紀文
  • 雑誌名: 材料 巻: 59巻 ページ: 681-685
  • NAID: 130000335799
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication and magneto-transport properties of Zn^<0.88-x> Mg_xMn^<0.12> O/ZnO heterostructures grown on ZnO single-crystal substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Masuko, T. Nakamura, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 雑誌名: Advances in Science and Technology 巻: Vol.75 ページ: 1-8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct piezoelectric properties of Mn-doped ZnO epitaxial films (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Yoshimura, H. Sakiyama, T. Oshio, A. Ashida, N. Fujimura
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.49
  • NAID: 40016982491
  • 査読あり
• [雑誌論文] The effects of aluminum doping for the magnetotransport property of Si:Ce thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Shindo, K.Fujii, T.Terao, S.Sakurai, S.Mori, K.Kurushima, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 107
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dielectric behavior of YMnO_3 epitaxial thin film at around magnetic phase transition temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Maeda, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Advances in Science and Technology 巻: 67 ページ: 176-181
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication and magneto-transport properties of Zn_<0.88-x>Mg_xMn_<0.12>O/ZnO heterostructures grown on ZnO single-crystal substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Masuko, T.Nakamura, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Advances in Science and Technology 巻: 75 ページ: 1-8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Ferroelectric Properties of Magnetoferroelectric YMnO_3 Epitaxial Films at around the Neel Temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, K.Maeda, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Key Engineering Materials 巻: 445 ページ: 144-147
  • 査読あり
• [雑誌論文] Local piezoelectric and conduction properties of BiFeO_3 epitaxial thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ujimoto, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 49
  • 査読あり
• [雑誌論文] Surface preparation of ZnO single-crystal substrate for the epitaxial growth of ZnO thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Nakamura, K.Masuko, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 318 ページ: 516-518
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct Piezoelectric Properties of Mn-Doped ZnO Epitaxial Films (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, H.Sakiyama, T.Oshio, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 49 ページ: 0215011-3
  • NAID: 40016982491
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of carrier concentration of p-type transparent conducting CuScO_2(0001)epitaxial films (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Kakehi, K.Satoh, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 518 ページ: 3097-3100
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth process observation of homoepitaxial ZnO thin films using optical emission spectra during pulsed laser deposition (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Nakamura, K.Masuko, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 518 ページ: 2971-2974
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of cathodic potential for deposition of ZnO by constant-current electrochemical method (2010)
  • 著者名/発表者名: N.Nouzu, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 518 ページ: 2957-2960
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of Mg doping on structural, optical, and electrical properties of CuScO_2(0001)epitaxial films (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Kakehi, K.Satoh, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Vacuum Surface Engineering, Surface Instrumentation & Vacuum Technology 84 ページ: 618-621
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of carrier modulation in channel of ferroelectric-gate transistors having polar semiconductor (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Fukushima, T.Yoshimura, K.Masuko, K.Maeda, A.Ashida, N.Fujimura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 518 ページ: 3026-3029
  • 査読あり
• [雑誌論文] ZnMnO/ZnOヘテロ構造の作製とその磁気輸送特性(Fabrication and magneto-transport properties of ZnMnO/ZnO heterostructures) (2010)
  • 著者名/発表者名: 益子慶一郎、芦田淳、吉村武, 藤村紀文
  • 雑誌名: 多元系機能材料研究会 平成21年度活動報告書 (掲載予定) ページ: 5-10
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth process observation of homoepitaxial ZnO thin films using optical emission spectra during pulsed laser deposition (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Nakamura, K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.518 ページ: 2971-2974
  • 査読あり
• [雑誌論文] Control of cathodic potential for deposition of ZnO by constant-current electrochemical method (2009)
  • 著者名/発表者名: N. Nouzu, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.518 ページ: 2957-2960
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of carrier modulation in channel of ferroelectric-gate transistors having polar semiconductor (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Fukushima, T. Yoshimura, K. Masuko, K. Maeda, A. Ashida, N. Fujimura
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.518 ページ: 3026-3029
  • 査読あり
• [雑誌論文] Contribution of s-d exchange interaction to magnetoresistance of ZnO-based (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 雑誌名: Physical Review B 巻: Vol.80 ページ: 1253131-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron transport properties of Zn^<0.88> Mn^<0.12> O/ZnO modulation-doped heterostructures (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Masuko, A. Ashida, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Vacuum Science & Technology B 巻: Vol.27 ページ: 1760-1764
  • 査読あり
• [雑誌論文] Polarization Switching Behavior of YMnO_3 Thin Film at around Magnetic Phase Transition Temperature (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Maeda, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48
  • 査読あり
• [雑誌論文] Contribution of s-d exchange interaction to magnetoresistance of ZnO-based heterostructures with a magnetic barrier (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Masuko, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Physical Review B 80 ページ: 1253131-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron transport properties of Zn_0.88Mn_0.12O/ZnO modulation-doped heterostructures (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Masuko, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Journal of Vacuum Science & Technology B 27 ページ: 1760-1764
  • 査読あり
• [雑誌論文] Magnetic Properties of Uniformly Ce-Doped Si Thin Films with n-Type Conduction (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Terao, K.Fujii, D.Shindo, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 48 ページ: 33003-33003
  • NAID: 40016500909
  • 査読あり
• [雑誌論文] Amorphous Carbon Film Deposition for Hydrogen Barrier in FeRAM Integration by Radio Frequency Plasma Chemical Vapor Deposition Method (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Saito, K.Izumi, Y.Hirota, N.Okamoro, K.Kondo, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 雑誌名: Electrochemical Society Transactions 25 ページ: 693-698
  • 査読あり
• [学会発表] 希薄磁性半導体Si:Ce薄膜の磁気・伝導特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 宮田祐輔, 高田浩史, 奥山祥孝, 藤村紀文
  • 学会等名: 第3回U3-マテリアルデザインフォーラム
  • 発表場所: 中之島サテライト(大阪府)
  • 年月日: 2012-03-29
• [学会発表] TiO_2ナノチューブFETの電気伝導およびガスセンシング特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文
  • 学会等名: 第3回U3-マテリアルデザインフォーラム
  • 発表場所: 中之島サテライト(大阪府)
  • 年月日: 2012-03-29
• [学会発表] Al/AlN/Si積層構造の正および逆圧電特性の評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 第3回U3-マテリアルデザインフォーラム
  • 発表場所: 中之島サテライト(大阪府)
  • 年月日: 2012-03-29
• [学会発表] La置換したBiFeO_3薄膜の作製と圧電特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 若園佳佑, 川原祐作, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 第3回U3-マテリアルデザインフォーラム
  • 発表場所: 中之島サテライト(大阪府)
  • 年月日: 2012-03-29
• [学会発表] ZnO極性表面上へのペンタセン薄膜の成長と表面ポテンシャル評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, 呉承俊, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕
  • 学会等名: 平成23年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会
  • 発表場所: 京都工芸繊維大学(京都府)
  • 年月日: 2012-03-24
• [学会発表] P(VDF-TeFE)/ZnOヘテロ構造の電子輸送特性のチャネル膜厚依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 山田裕明, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] ZnOチャネル上へのナノギャップ電極の形成と伝導特性評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 野村侑平, 山田裕明, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] 大気非平衡プラズマを用いて低温成長したZnO薄膜の成長形態 (2012)
  • 著者名/発表者名: 野瀬幸則, 上原剛, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] 格子歪を用いたBiFeO_3エピタキシャル薄膜の正圧電特性の増幅 (2012)
  • 著者名/発表者名: 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] TiO_2ナノチューブFETの電気伝導機構 (2012)
  • 著者名/発表者名: 石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] 圧電式振動発電素子の特性向上に対する物質科学的アプローチ (2012)
  • 著者名/発表者名: 吉村武, 村上修一, 宮渕弘樹, 川原祐作, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)(招待講演)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] Evaluation of piezoelectric properties of Al/AlN/Si stack structure for CMOS compatible MEMS (2012)
  • 著者名/発表者名: K.Ujimoto, C.Vladimir, I.D.Wolf, M.Jambunathan, D.M.Karabacak, B.D.Bois, S.Seven, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 六方晶YMnO_3薄膜の光誘起電流 (2012)
  • 著者名/発表者名: 奥村優太, 湯川博喜, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] YbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の光誘起物性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 高濃度CeドーピングがSi:Ce薄膜の成長形態に及ぼす影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 奥山祥孝, 高田浩史, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] Si:Ce薄膜の磁気・輸送特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 宮田祐輔, 高田浩史, 奥山祥孝, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた磁性半導体Si:Ceの電界効果 (2012)
  • 著者名/発表者名: 高田浩史, 奥山祥孝, 宮田祐輔, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] ZnO極性表面上に成長したペンタセン薄膜の表面電位測定 (2012)
  • 著者名/発表者名: 中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, 呉承俊, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] P(VDF-TrFE)薄膜における結晶化が電気特性に及ぼす影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 谷地宣紀, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] YbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 増田佑介, 湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 強誘電体MEMS振動発電素子の試作とモデリング (2012)
  • 著者名/発表者名: 宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] 電気化学成長Cu_2O薄膜の配向制御 (2012)
  • 著者名/発表者名: 佐藤俊祐, 芦田淳, 近藤雄祐, 八木俊介, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2012年春季第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学(東京都)
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] Low temperature growth of ZnO films usingatmospheric pressure N_2/O_2plasma (2012)
  • 著者名/発表者名: Y. Nose, T. Uehara, N. Fujimura
  • 学会等名: 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
  • 発表場所: Chubu University(Aichi, Japan)
  • 年月日: 2012-03-07
• [学会発表] Low temperature growth of ZnO films using atmospheric pressure N_2/O_2 plasma (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Nose, T.Uehara, N.Fujimura
  • 学会等名: 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
  • 発表場所: 中部大学(愛知県)
  • 年月日: 2012-03-07
• [学会発表] YbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の光誘起物性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成23年度第1回半導体エレクトロニクス部門委員会研究会
  • 発表場所: 神戸大学(兵庫県)
  • 年月日: 2011-10-21
• [学会発表] Si:Ce薄膜における三倍周期構造の形成過程 (2011)
  • 著者名/発表者名: 奥山祥孝, 高田浩史, 藤村紀文
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] PZT薄膜における33モード正圧電特性の結晶構造および方位依存性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] ZnOチャネルFeFETの電子輸送特性における強誘電ドメインの影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 大気圧非平衡プラズマを用いたZnO薄膜の低温成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 野瀬幸則, 中村立, 上原剛, 藤村紀文
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] TiO_2ナノチューブチャネルFETのガスセンサ特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] 極性を有するZnO基板上のペンタセン薄膜の成長過程 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, 呉承俊, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] BiFeO_3エピタキシャル薄膜におけるドメイン構造と圧電特性の相関 (2011)
  • 著者名/発表者名: 川原祐作, 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] BiFeO_3エピタキシャル薄膜の正圧電特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学(山形県)
  • 年月日: 2011-08-31
• [学会発表] Fabrication of MFS capacitor using P(VDF-TeFE) organic ferroelectric layer on Si:Ce DMS films (2011)
  • 著者名/発表者名: H.Takata, S.Sakurai, D.Shindo, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 学会等名: 第30回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
  • 年月日: 2011-06-30
• [学会発表] The magnetic property of Si:Ce DMS with three-fold periodically surface structure (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Okuyama, D.Shindo, S.Sakurai, N.Fujimura
  • 学会等名: 第30回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
  • 年月日: 2011-06-30
• [学会発表] 強誘電体の分極状態とZnO薄膜の電子輸送特性の相関 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 第28回強誘電体応用会議
  • 発表場所: コープイン京都(京都府)
  • 年月日: 2011-05-26
• [学会発表] PZT薄膜の31,33モードにおける正圧電特性とエナジーハーベスタ応用 (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文
  • 学会等名: 第28回強誘電体応用会議
  • 発表場所: コープイン京都(京都府)
  • 年月日: 2011-05-26
• [学会発表] Influence of crystal system on ferroelectric properties of (001) BiFeO_3 epitaxial thin films (2011)
  • 著者名/発表者名: K.Ujimoto, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 学会等名: 2011 MRS Spring Meeting
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 2011-04-25
• [学会発表] P(VDF-TeFE)/ZnOヘテロ構造の電子輸送特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 第2回U3-マテリアルデザインフォーラム
  • 発表場所: ソフトピアジャパンセンター(岐阜県)
  • 年月日: 2011-03-28
• [学会発表] 強誘電体BiFeO_3薄膜の分極ドメインおよび伝導領域の微視的観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 川原祐作, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 第2回U3-マテリアルデザインフォーラム
  • 発表場所: ソフトピアジャパンセンター(岐阜県)
  • 年月日: 2011-03-28
• [学会発表] YbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の作製とその分光特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 第2回U3-マテリアルデザインフォーラム
  • 発表場所: ソフトピアジャパンセンター(岐阜県)
  • 年月日: 2011-03-28
• [学会発表] 強磁性強誘電体YbMnO_3薄膜の組成制御とその磁気および誘電特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 奥村優太, 前田和弘, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 第2回U3-マテリアルデザインフォーラム
  • 発表場所: ソフトピアジャパンセンター(岐阜県)
  • 年月日: 2011-03-28
• [学会発表] 大気圧非平衡酸窒素プラズマを用いたZnO-CVD装置の開発 (2011)
  • 著者名/発表者名: 野瀬幸則, 井手康太, 上原剛, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] PZT薄膜の33モードにおける正圧電特性II (2011)
  • 著者名/発表者名: 宮渕弘樹, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] YbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の光吸収特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 湯川博喜, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] Zn極性及びO極性ホモエピタキシャルZnO薄膜の表面構造 (2011)
  • 著者名/発表者名: 中村立, 長田貴弘, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] TiO_2ナノチューブのガスセンサ特性の評価(2) (2011)
  • 著者名/発表者名: 石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] Si:Ce薄膜におけるCeの固溶状態がその磁気特性に及ぼす影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 奥山祥孝, 櫻井周作, 進藤大輔, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 有機強誘電体P(VDF-TeFE)を用いた磁性半導体Si:Ceの電界効果 (2011)
  • 著者名/発表者名: 高田浩史, 櫻井周作, 進藤大輔, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-26
• [学会発表] 電気化学的手法によるZnOロッドの作製とその形態制御 (2011)
  • 著者名/発表者名: 近藤雄祐, 能津直哉, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-25
• [学会発表] 成長初期層制御による電気化学堆積ZnO連続薄膜の作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 能津直哉, 近藤雄祐, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-25
• [学会発表] 背面露光法により作製した強誘電体ゲートTFTの電気特性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 野村侑平, 福島匡泰, 前田和弘, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 強誘電体の分極がZnO薄膜の伝導特性に与える影響II (2011)
  • 著者名/発表者名: 山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] BiFeO_3エピタキシャル薄膜の微細構造が圧電特性におよぼす影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第58回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県)
  • 年月日: 2011-03-24
• [学会発表] 成長初期層制御した平坦化電気化学堆積ZnO薄膜 (2010)
  • 著者名/発表者名: 能津直哉, 近藤雄祐, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 日本材料学会平成22年度第2回半導体エレクトロニクス部門研究会
  • 発表場所: 大阪府立大学(大阪府)
  • 年月日: 2010-11-20
• [学会発表] ZnO crystal growth on micro electrode by electrochemical deposition method (2010)
  • 著者名/発表者名: Y. Kondo, A. Ashida, N. Nouzu, N. Fujimura
  • 学会等名: 3rd international congress on ceramics
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2010-11-15
• [学会発表] Effect of lattice misfit strain on crystal system and ferroelectric property of BiFeO_3 epitaxial thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ujimoto, H.Izumi, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 学会等名: 3rd international congress on ceramics
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2010-11-15
• [学会発表] Charactrization of direct piezoelectric effect for vibration energy harvesting (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, H.Miyabuchi, S.Murakami, A.Ashida, N.Fujimura
  • 学会等名: 3rd international congress on ceramics
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2010-11-15
• [学会発表] ZnO thin films grown by electrochemical deposition method with pulsed electrolytic current and its electrical conductivity (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Ashida, T.Okuma, T.Nagata, N.Fujimura
  • 学会等名: 3rd international congress on ceramics
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2010-11-15
• [学会発表] Characterization of Electric Transport of Field Effect Transistor with TiO_2 Nanotube Channel (2010)
  • 著者名/発表者名: M.Ishii, M.Terauchi, T.Yoshimura, T.Nakayama, N.Fujimura
  • 学会等名: 3rd international congress on ceramics
  • 発表場所: Osaka, Japan
  • 年月日: 2010-11-15
• [学会発表] Characterization of direct piezoelectric properties of PZT films for vibration energy harvesting (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, H.Miyabuchi, A.Ashida, N.Fujimura
  • 学会等名: The 3rd international symposium on innovations in advanced materials for optics & electronics
  • 発表場所: Toyama, Japan
  • 年月日: 2010-10-18
• [学会発表] Initial growth process in the electrochemical deposition of ZnO (2010)
  • 著者名/発表者名: A.Ashida, N.Nouzu, N.Fujimura
  • 学会等名: 17th international conference on ternary and multinary compounds
  • 発表場所: Baku, Azerbaijan
  • 年月日: 2010-09-28
• [学会発表] Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate TFT using RC distributed constant circuit (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Fukushima, K. Maeda, T. Yoshimura, A. Ashida, N. Fujimura
  • 学会等名: 2010International conference on solid state devices and materials
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] Impedance analysis of controlled-polarization-type ferroelectric-gate TFT using RC distributed constant circuit (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Fukushima, K.Maeda, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 学会等名: 2010 International conference on solid state devices and materials
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2010-09-23
• [学会発表] Device characterization of controlled polarization type ferroelectric gate TFT (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Yoshimura, T. Fukushima, A. Ashida, N. Fujimura
  • 学会等名: 17th international workshop on oxide electronics
  • 発表場所: Hyogo, Japan
  • 年月日: 2010-09-20
• [学会発表] 強誘電体ゲートTFTのRC分布定数回路を用いたインピーダンス解析 (2010)
  • 著者名/発表者名: 福島匡泰, 前田和弘, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 強誘電体の分極がZnO薄膜の伝導特性に及ぼす影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山田裕明, 福島匡泰, 高田浩史, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] TiO_2ナノチューブのガスセンサ特性の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 石井将之, 寺内雅裕, 吉村武, 中山忠親, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] PZT薄膜の33モードにおける正圧電特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 宮渕弘樹, 氏本勝也, 吉村武, 村上修一, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] BiFeO_3薄膜の正・逆圧電特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] YMnO_3薄膜の酸素含有量の制御とその誘電特性におよぼす影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 前田和弘, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] YbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の作製と磁性および電気的特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 湯川博喜, 廣瀬浩次, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] 電気化学堆積法による微細電極上ZnO成長II (2010)
  • 著者名/発表者名: 近藤雄祐, 能津直哉, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-15
• [学会発表] Ce添加に伴うSi:Ce薄膜の表面平坦化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 進藤大輔, 櫻井周作, 高田浩史, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Si:Ceへの電界効果応用に向けた有機強誘電体PVDF-TeFEの誘電特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 高田浩史, 櫻井周作, 進藤大輔, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] 大気圧非平衡プラズマを用いたSi基板の酸窒化 (2010)
  • 著者名/発表者名: 井手康太, 野瀬幸則, 吉村武, 芦田淳, 上原剛, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度秋季第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎県)
  • 年月日: 2010-09-14
• [学会発表] Surface preparation of ZnO single-crystal substrate for the epitaxial growth of ZnO thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Nakamura, K.Masuko, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 学会等名: The 16th international conference on crystal growth
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 2010-08-10
• [学会発表] Influence of target surface miorostructure on the morphological and electrical properties of pulsed laser deposited BiFeO_3 epitaxial thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ujimoto, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 学会等名: The 16th international conference on crystal growth
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 2010-08-09
• [学会発表] Polarization switching behavior of magnetoferroelectric RMnO_3 epitaxial films at around the magnetic phase transition temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Yoshimura, K.Maeda, A.Ashida, N.Fujimura
  • 学会等名: The 8th Japan-Korea conference on ferroelectrics
  • 発表場所: Himeji, Japan
  • 年月日: 2010-08-06
• [学会発表] Electronic transport property of YbMnO_3/ZnO heterostructure (2010)
  • 著者名/発表者名: H. Yamada, T. Fukushima, S. Sakamoto, K. Masuko, T. Yoshimura, N. Fujimura
  • 学会等名: The 8th Japan-Korea conference on ferroelectrics
  • 発表場所: Himeji, Japan
  • 年月日: 2010-08-04
• [学会発表] Direct piezoelectricity of PZT films and application to vibration energy harvesting (2010)
  • 著者名/発表者名: H.Miyabuchi, T.Yoshimura, S.Murakami, N.Fujimura
  • 学会等名: The 8th Japan-Korea conference on ferroelectrics
  • 発表場所: Himeji, Japan
  • 年月日: 2010-08-04
• [学会発表] Fabrication and magneto-transport properties of Zn_<0.88-x>Mg_xMn_<0.12>O/ZnO heterostructures grown on ZnO single-crystal substrates (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Masuko, T.Nakamura, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 学会等名: 12th international conference on modern materials and technologies
  • 発表場所: Montecatini Terme, Italy
  • 年月日: 2010-06-11
• [学会発表] Polarization switching of YMnO_3 thin films at around magnetic transition temperature (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Maeda, T.Yoshimura, A.Ashida, N.Fujimura
  • 学会等名: 12th International Conference on Modern Materials and Technologies
  • 発表場所: Montecatini Terme, Italy
  • 年月日: 2010-06-11
• [学会発表] BiFeO_3エピタキシャル薄膜のナノ領域圧電・伝導特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 氏本勝也, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 第27回強誘電体応用会議
  • 発表場所: コープイン京都(京都府)
  • 年月日: 2010-05-26
• [学会発表] RMnO_3/ZnOへテロ構造デバイスのチャネル伝導特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山田裕明, 福島匡泰, 吉村武, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 強誘電体薄膜の正圧電特性と振動発電素子への応用 (2010)
  • 著者名/発表者名: 宮渕弘樹、吉村武、村上修一、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] RMnO_3/ZnOヘテロ構造デバイスのチャネル伝導特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 山田裕明、福島匡泰、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-19
• [学会発表] 分極機能型強誘電体ゲートTFTのデバイス特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 福島匡泰, 吉村武, 前田和弘, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東海大学(神奈川県)
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] Si:Ce(3×3)再構成表面を用いたCe高濃度ドーピングとその磁気特性に及ぼす影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 櫻井周作、進藤大輔、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 分極機能型強誘電体ゲートTFTのデバイス特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 福島匡泰、吉村武、前田和弘、芦田淳、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-18
• [学会発表] 電荷秩序型強誘電体YbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の電気伝導特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 廣瀬浩次、吉村武、芦田淳、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] Pt電極上YbFe_2O_4エピタキシャル薄膜の成長とその電気特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 湯川博喜、廣瀬浩次、吉村武、芦田淳、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] BiFeO_3エピタキシャル薄膜の強誘電特性に対する格子不整合歪の影響 (2010)
  • 著者名/発表者名: 氏本勝也、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 磁性強誘電体YMnO_3薄膜のネール点近傍における強誘電性分極反転ダイナミクス (2010)
  • 著者名/発表者名: 前田和弘、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 誘電泳動法によって作製したTiO_2ナノチューブFETの電気伝導特性の評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 石井将之、寺内雅裕、吉村武、中山忠親、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] 電気化学堆積法による微細電極上ZnO成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 近藤雄祐、能津直哉、芦田淳、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 平成22年度春季第57回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2010-03-17
• [学会発表] ガン型プラズマ源を用いた大気圧プラズマ半導体窒化プロセス (2010)
  • 著者名/発表者名: 藤村紀文
  • 学会等名: 大気圧プラズマ研究会
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2010-02-10
• [学会発表] The effects of aluminum doping for the magneto-transport property of Si:Ce thin films (2010)
  • 著者名/発表者名: D.Shindo, K.Fujii, T.Terao, S.Sakurai, N.Fujimura
  • 学会等名: 11th Joint Magnetism and Magnetic Materials(MMM)Intermag Conference
  • 発表場所: ワシントンDC、アメリカ
  • 年月日: 2010-01-21
• [学会発表] 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移温度近傍における強誘電性分極反転ダイナミクス (2009)
  • 著者名/発表者名: 前田和弘、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度第1回半導体エレクトロニクス部門研究会
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2009-12-19
• [学会発表] Si:Ce薄膜3×3表面再構成構造の高濃度Ceドーピングへの応用に関する検討 (2009)
  • 著者名/発表者名: 櫻井周作、寺尾岳見、進藤大輔、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度第1回半導体エレクトロニクス部門研究会
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2009-12-19
• [学会発表] ZnMnO/ZnOヘテロ構造のスピン依存伝導 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤村紀文
  • 学会等名: 2009多元系機能材料研究会
  • 発表場所: 岡山
  • 年月日: 2009-12-12
• [学会発表] マルチフェロイクス物性の基礎と展望:強相関系物質のデバイス (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤村紀文
  • 学会等名: イムラ材研研究会
  • 発表場所: 愛知
  • 年月日: 2009-11-10
• [学会発表] チタニアナノチューブの電気伝導特性の評価 (2009)
  • 著者名/発表者名: 石井将之、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 第29回エレクトロセラミックス研究討論会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-10-24
• [学会発表] 磁性強誘電体RMnO_3エピタキシャル薄膜のネール温度近傍における強誘電特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉村武、前田和弘、深江圭佑, 芦田淳、藤村紀文
  • 学会等名: 第29回エレクトロセラミックス研究討論会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-10-23
• [学会発表] ガン型プラズマ源を用いた大気圧プラズマ半導体プロセス (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤村紀文
  • 学会等名: 大気圧プラズマ研究会
  • 発表場所: 茨城
  • 年月日: 2009-10-12
• [学会発表] Amorphous Carbon Film Deposition for Hydrogen Barrier in FeRAM Integration by Radio Frequency Plasma Chemical Vapor Deposition Method (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Saito, K.Izumi, Y.Hirota, N.Okamoro, K.Kondo, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 学会等名: The 216th ECS Meeting, Euro CVD 17 and CVD 17, and the 11th International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells(SOFC-XI)216回電気化学学会Meeting、17回ヨーロッパCVD、11回固体酸素燃料電池に関する国際シンポジウム
  • 発表場所: ウィーン、オーストリア
  • 年月日: 2009-10-07
• [学会発表] インピーダンス分光法による分極機能型強誘電体ゲートTFTの動作特性の解析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉村武, 福島匡泰, 芦田淳, 藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山県)
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] インピーダンス分光法による分極機能型強誘電体ゲートTFTの動作特性の解析 (2009)
  • 著者名/発表者名: 吉村武、福島匡泰、芦田淳、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] Si:Ce薄膜の磁気輸送特性に及ぼすアクセプタドーピングの効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: 進藤大輔、藤井賢治、寺尾岳見、櫻井周作、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] 高濃度Ceドーピングを目的としたSi:Ce薄膜(3×3)表面再構成構造の応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 櫻井周作、寺尾岳見、進藤大輔、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-11
• [学会発表] ガン型プラズマ源を用いた大気圧非平衡窒素プラズマ (2009)
  • 著者名/発表者名: 井手康太、吉村武、芦田淳、上原剛、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 電荷秩序型強誘電体YbFe_2O_4薄膜の成長におよぼす酸素分圧の効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: 廣瀬浩次、吉村武、芦田淳、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] BiFeO_3エピタキシャル薄膜の微視的圧電・伝導特性 (2009)
  • 著者名/発表者名: 氏本勝也、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の分極反転に及ぼす磁気スピン間相互作用の影響 (2009)
  • 著者名/発表者名: 前田和弘、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-10
• [学会発表] 電気化学堆積ZnO薄膜の成長初期過程 (2009)
  • 著者名/発表者名: 能津直哉、先山晴香、芦田淳、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 平成21年度秋季第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] 圧電体薄膜のグリーンデバイス応用 (2009)
  • 著者名/発表者名: 藤村紀文
  • 学会等名: 半導体プロセス基礎討論会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-07-14
• [学会発表] Si:Ce薄膜の磁気輸送特性に及ぼすアクセプタドーピングの効果 (2009)
  • 著者名/発表者名: D.Shindo, K.Fujii, T.Terao, S.Sakurai, N.Fujimura
  • 学会等名: 第28回電子材料シンポジウム
  • 発表場所: 滋賀
  • 年月日: 2009-07-09
• [学会発表] 磁性強誘電体YMnO_3薄膜の磁気相転移点近傍における分極反転挙動 (2009)
  • 著者名/発表者名: 前田和弘、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 第26回強誘電体応用会議
  • 発表場所: 京都
  • 年月日: 2009-05-29
• [学会発表] 反磁性強誘電体YMnO_3薄膜のネール点近傍における分極反転挙動 (2009)
  • 著者名/発表者名: 前田和弘、吉村武、藤村紀文
  • 学会等名: 第一回機能物性酸化物/薄膜研究会
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2009-04-24
• [学会発表] Fabrication and magneto-transport properties of Zn_0.88Mn_0.12O/ZnO (2009)
  • 著者名/発表者名: K.Masuko, T.Nakamura, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 学会等名: 6th international symposium on transparent oxide thin films for electronics and optics(TOEO-6)
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-04-16
• [学会発表] Control of cathodic potential for deposition of ZnO by constant current electrochemical method (2009)
  • 著者名/発表者名: N.Nouzu, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 学会等名: 6th international symposium on transparent oxide thin films for electronics and optics(TOEO-6)
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-04-15
• [学会発表] Surface Morphology of Homoepitaxial ZnO Thin Films Grown on Zn-polar ZnO Substrates (2009)
  • 著者名/発表者名: T.Nakamura, K.Masuko, A.Ashida, T.Yoshimura, N.Fujimura
  • 学会等名: 6th international symposium on transparent oxidethin films for electronics and optics(TOEO-6)
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2009-04-15
• [備考]
  • URL: http://www.pe.osakafu-u.ac.jp/pe7/