| 研究課題/領域番号 |
21360155
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
渡邊 幸志 独立行政法人産業技術総合研究所, ダイヤモンド研究ラボ, 主任研究員 (50392684)
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| 連携研究者 |
中島 信一 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進パワーエレクトロニクス研究センター, 客員研究員 (20029226)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
14,300千円 (直接経費: 11,000千円、間接経費: 3,300千円)
2011年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2010年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2009年度: 8,320千円 (直接経費: 6,400千円、間接経費: 1,920千円)
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| キーワード | 電気・電子材料 / ダイヤモンド / 同位体効果 / 同位体 / 超格子 / バンドエンジニアリング / カソードルミネッセンス / ラマン散乱 / 摩擦 / 弾性率 / CVD / エキシトン |
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| 研究概要 |
同位体濃縮されたメタンガスによるマイクロ波プラズマCVDによって、同位体濃縮された12Cと13Cのダイヤモンドを1ナノメートルオーダーで積層させることが出来る事を示した。その結果、そのホモ接合界面に生じたバンドギャップ差によりキャリアが閉じ込めだけでなく、フォノンにおいても閉じ込めが起こる可能性が出てきた。本結果は、同位体ダイヤモンドが、現時点においてダイヤモンドのバンドエンジニアリングの有効な手段の一つとなる可能性を示した。
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