| 研究課題/領域番号 |
21360157
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
伊藤 隆司 東京工業大学, ソリューション研究機構, 特任教授 (20374952)
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| 研究分担者 |
黒木 伸一郎 東北大学, 大学院・工学研究科, 助教 (70400281)
中島 安理 広島大学, ナノデバイス・バイオ融合科学研究所, 准教授 (70304459)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
16,770千円 (直接経費: 12,900千円、間接経費: 3,870千円)
2011年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2010年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
2009年度: 7,150千円 (直接経費: 5,500千円、間接経費: 1,650千円)
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| キーワード | Siナノワイヤー / 結晶配向制御 / イオン注入 / チャネリング / 多結晶シリコン / ナノワイヤー / 結晶配向 / チャネリング注入 / TFT |
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| 研究概要 |
コンケーブ状に整形したダブルラインCWレーザビーム照射により非晶質絶縁膜上に3軸配向性を大幅に改善した多結晶Siナノワイヤー成長させ,さらに2方向からのSi^+イオン注入によるチャネリング効果とアニールにより優先的な配向の結晶子を増長させた結晶粒界のほとんどないSiナノワイヤー実現の可能性を実証した.
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