| 研究課題/領域番号 |
21360163
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
石川 靖彦 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (60303541)
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| 研究分担者 |
志村 考功 大阪大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (90252600)
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| 連携研究者 |
和田 一実 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30376511)
近藤 高志 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (60205557)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2011年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2010年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
2009年度: 11,570千円 (直接経費: 8,900千円、間接経費: 2,670千円)
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| キーワード | シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / 発光 / MBE、エピタキシャル / 半導体物性 / 光物性 / 光源技術 / 微小共振器 |
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| 研究概要 |
Si基板上にエピタキシャル成長したGe層を用い、電流注入型1. 5μm帯発光素子を実現することを目的として、研究を実施した。Si上Ge-pinダイオードにおいて、直接遷移による1. 5μm帯電流注入発光を観測した。発光の高効率化には、Geの伝導帯「点へ電子を注入し、価電子帯「点の正孔と再結合させることが効果的である。Г点に伝導帯下端をもつGaAsを電子注入に用いるn-GaAs/i-Ge/p-Siダイオードの作製を進めた。
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