| 研究課題/領域番号 |
21360306
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 名古屋大学 (2011)
東京大学 (2009-2010) |
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研究代表者 |
山本 剛久 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20220478)
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| 研究分担者 |
溝口 照康 東京大学, 工学系研究科, 准教授 (70422334)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
16,120千円 (直接経費: 12,400千円、間接経費: 3,720千円)
2011年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2010年度: 6,240千円 (直接経費: 4,800千円、間接経費: 1,440千円)
2009年度: 5,720千円 (直接経費: 4,400千円、間接経費: 1,320千円)
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| キーワード | チタン酸ストロンチウム / 転位 / 細線 / ドーパント / 原子構造 / 電子状態 / 粒界 / 高分解能像 / 小傾角粒界 / 陽イオン不定比 / 粒界構造ユニット / PLD / ナノワイヤー / 走査透過型電子顕微鏡 / 二重ショットキー障壁 / ナノ材料 |
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| 研究概要 |
結晶中の一次元欠陥の一つである転位は、転位コアを中心とした数ナノメートルの領域に応力場が存在するため、転位線に沿って高速な拡散を示すことが知られている。この特異な現象を利用して転位コアへ添加物などを優先的に拡散させるとバルク中に転位コアを中心としたナノ細線を作製することが可能となる。本研究では、この現象を利用してチタン酸ストロンチウムや化合物半導体の転位へドーパントを添加してナノ細線を作製し、その物性について調べた。
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