| 研究課題/領域番号 |
21360316
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
舟窪 浩 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 准教授 (90219080)
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| 研究分担者 |
和田 智志 山梨大学, 医学工学総合研究部, 教授 (60240545)
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| 連携研究者 |
和田 智志 山梨大学, 医学工学総合研究部, 教授 (60240545)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2011年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2010年度: 4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2009年度: 9,490千円 (直接経費: 7,300千円、間接経費: 2,190千円)
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| キーワード | 単結晶 / チタン酸ジルコン酸鉛 / 基礎特性 / 単結晶膜 |
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| 研究概要 |
MOCVD法を用いて作製した高品質のPb(Zr, Ti) O_3膜を用いて、これまで実験的に明らかになっていなかった基礎物性を明らかにすることを試みた。その結果、分極値の結晶方位依存性や非分極軸のドメインの体積分率依存性等の基礎特性を実験的に初めて明らかにした。分極値は、分極値の電界印階方向と分極軸のなす角度の関係から説明できた。また分極軸配向の体積分率に直線的に変化した。
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