| 研究課題/領域番号 |
21360336
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
構造・機能材料
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
池田 浩也 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (00262882)
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| 研究分担者 |
石田 明広 静岡大学, 工学部, 教授 (70183738)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
17,420千円 (直接経費: 13,400千円、間接経費: 4,020千円)
2011年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
2010年度: 10,140千円 (直接経費: 7,800千円、間接経費: 2,340千円)
2009年度: 4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
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| キーワード | 熱電変換材料 / シリコンナノ構造 / ゼーベック係数 / SOI基板 / KFM(表面電位顕微鏡) |
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| 研究概要 |
ナノ構造の導入によりシリコン系熱電変換材料の性能を向上するとともに,ナノスケール材料を評価するための新しい測定法の確立を目指した.極薄シリコン膜のゼーベック係数(温度差1℃に対する熱起電力)を不純物濃度にて制御すると,高濃度領域で不純物バンドの影響が顕著になった.そのため,外部電圧によるゼーベック係数制御の可能性を示した.また,表面電位顕微鏡によるゼーベック係数測定技術をほぼ確立した.
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