| 研究課題/領域番号 |
21360371
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属生産工学
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| 研究機関 | 関西学院大学 |
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研究代表者 |
西谷 滋人 関西学院大学, 理工学部, 教授 (50192688)
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| 研究分担者 |
吉矢 真人 大阪大学, 工学研究科, 准教授 (00399601)
安田 秀幸 大阪大学, 工学研究科, 教授 (60239762)
中島 英治 九州大学, 総合理工学部, 教授 (80180280)
波多 聡 (波多 聰) 九州大学, 総合理工学部, 准教授 (60264107)
池田 賢一 九州大学, 総合理工学部, 助教 (20335996)
藤原 弘康 京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (10238602)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,330千円 (直接経費: 14,100千円、間接経費: 4,230千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2009年度: 11,440千円 (直接経費: 8,800千円、間接経費: 2,640千円)
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| キーワード | 第一原理計算 / 凝固プロセス / パワーデバイス / 状態図 / 有限温度計算 / 電子顕微鏡観察 / 熱力学測定 |
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| 研究概要 |
パワーデバイスの次世代材料として有望視されている4H-SiCの新奇な結晶成長法として提案された準安定溶媒エピタキシー法(Metastable Solvent Epixaty, MSE)の機構を解明するために第一原理計算をおこなった. phonon計算によって, 4H-SiCの安定性が理論的に導かれた. Si-richな環境において, (0001)面がもっとも安定となり,マイクロパイプを閉塞させる. c-face(0001)面上の炭素の表面拡散の活性化エネルギーが極端に低く, この面がフラットに成長する要因である.
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