| 研究課題/領域番号 |
21360471
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
原子力学
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
大島 武 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (50354949)
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| 研究分担者 |
小野田 忍 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究職 (30414569)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
18,070千円 (直接経費: 13,900千円、間接経費: 4,170千円)
2011年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2010年度: 8,840千円 (直接経費: 6,800千円、間接経費: 2,040千円)
2009年度: 7,540千円 (直接経費: 5,800千円、間接経費: 1,740千円)
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| キーワード | 放射線工学 / ビーム科学 / 炭化ケイ素(SiC) / MOSキャパシタ / 容量変化 / ゲート酸化膜リーク電流 / Mosキャパシタ / イオンビーム誘起過渡電流 / 界面準位 / 炭化ケイ素(Sic) / イオン照射効果 / 電荷収集 / 結晶損傷 / 界面準立 |
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| 研究概要 |
炭化ケイ素(SiC)金属-酸化膜-半導体(MOS)デバイスの重イオン誘起酸化膜破壊(SEGR)の機構解明を目的に、SiC MOSキャパシタに酸素やニッケルといった重イオンを入射し、誘起電荷の挙動とゲート印加電圧の関係を明らかにした。加えて、イオン照射中のゲート酸化膜からのリーク電流を評価することで、イオンのエネルギー付与(LET)が大きい場合は、多量に発生した電荷が引き金となりSEGRが発生することを明らかにした。
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