| 研究課題/領域番号 |
21510108
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ構造科学
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| 研究機関 | 岡山理科大学 |
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研究代表者 |
中川 幸子 岡山理科大学, 理学部, 教授 (10098585)
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| 研究分担者 |
森下 和功 京都大学, エネルギー理工学研究所, 准教授 (80282581)
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| 連携研究者 |
山崎 泰規 東京大学, 特任教授 (30114903)
斎藤 博 岡山理科大学, 名誉教授 (20013526)
大石 正和 岡山理科大学, 名誉教授 (40068911)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2009年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | HCI(多価イオン) / 計算機シミュレーション / 電子・フォノン相互作用 / コヒーレントフォノン / 表面改質 / 近接場効果 / 低速イオンビーム / HOPG/ダイヤモンド炭素系 / HOPG / ダイヤモンド炭素系 |
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| 研究概要 |
低速高電離イオン(HCI)は固体表面に電子励起による高原状・層状的膨らみ(ヒロック)を作る。我々はその形成機構を、『電子励起過程に続く局在フォノンの協力現象的な緩和』と予測した。その物質依存性の解明に、原子の集積状態により電子状態が大きく変わる炭素系固体に注目し、ヒロック形成のもっとも重要な機動力が、フェムト秒で働く光学フォノンとピコ秒で働く音響フォノンに因るとする「2フォノンモデル」を確立した。
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