研究課題
基盤研究(C)
金属多層膜や金属細線構造などの量子構造を用いて、近藤効果を電子的および磁気的に制御することを目指した研究を行った。金属多層膜においては、量子井戸準位が量子井戸の幅の関数として明瞭に変化し、それに伴って近藤温度やファノ効果におけるスペクトルの非対称性が変化する様子が観測された。また、金属細線構造としては、1次元構造を有するシリコン基板表面に貴金属を成長させたストライプ状薄膜を詳細に調べた。積層欠陥列の存在により、表面状態の電子は強い閉じこめを受け、1次元的電子状態を形成することがわかった。
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