| 研究課題/領域番号 |
21510111
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 山形大学 |
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研究代表者 |
廣瀬 文彦 山形大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50372339)
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| 研究分担者 |
成田 克 山形大学, 大学院・理工学研究科, 助教 (30396543)
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| 連携研究者 |
木村 康男 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (40312673)
庭野 道夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (20134075)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 原子層堆積 / 酸化膜 / 堆積 / MOS / 赤外吸収分光 / 吸着 / 絶縁 / C-V / 励起 / 絶縁膜 / 酸化 / ナノ構造形成・制御 |
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| 研究概要 |
次世代の原子スケールでの半導体デバイスを実現するために、サーマルバジェットを極限まで抑えた酸化物薄膜の室温原子層堆積法を構築した。このために、原料ガスの吸着および酸化過程を多重内部反射赤外吸収分光を用いて観察し、成長表面をハイドロキシル化する工程が室温での反応律速になることを証明し、これを促進させるために、プラズマ励起水蒸気が有効であることを明らかにした。この技術により、室温でのSiO_2の堆積を実証し、製造温度の低温化が望まれているGeMOS構造を室温で製作することに成功した。
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