| 研究課題/領域番号 |
21510112
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料・ナノバイオサイエンス
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
村上 浩一 筑波大学, 数理物質系, 教授 (10116113)
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| 研究分担者 |
深田 直樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 独立研究者 (90302207)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2009年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | Siナノワイヤ / Siナノ結晶 / 界面水素パッシベーション / 不純物ドーピング / 最大固溶度 / 酸化と偏析挙動 / 新物性 / CVD作成法 / 酸化に伴う不純物偏析出 / 動径方向濃度分布測定 / イオン注入 / 水素原子処 / スピンメモリー効果 / 機能性不純物ドーピング / ドナー / イオン注入効果 / フォトルミネッセンス / 常磁性の偶奇性 / 水素原子処理効果 |
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| 研究概要 |
Siナノワイヤ(SiNWs)、およびその基本構造のSiナノ結晶(SiNCs)に関し、(1)問題となるダングリング・ボンド型界面欠陥の水素、重水素による制御の開発研究と(2)その手法を使用し、機能性不純物ドープされたSiナノ構造に特有の新物性発現について研究を進めた。これにより、SiNWsへのドーピング、酸化に伴う偏析挙動とSiNCsの新物性(光学的、磁気的)の可能性、およびそれらの最大固溶度について明らかにした。
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