表面分解法によるカーボンナノチューブ/SiCヘテロ接合の作製と物性評価

• 研究課題/領域番号: 21510119
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ材料・ナノバイオサイエンス
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 教授 (30282338)
• 研究分担者: 成塚 重弥 名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
• 研究期間 (年度): 2009 – 2012
• 研究課題ステータス: 完了 (2012年度)
• 配分額: 4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円); 2012年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円); 2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円); 2009年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
• キーワード: カーボンナノチューブ / SiC / ヘテロ接合 / 光電子分光 / X 線吸収分光 / 表面分解法 / 電気的特性 / 表面・界面 / X線吸収分光

研究概要

SiC表面分解法により,カーボンナノチューブ(CNT)/n-type 6H-SiCヘテロ接合を作製し,界面の電子構造・電気的特性の解明を行った。電流-電圧特性と高分解能光電子分光測定の結果,本手法で作製したCNT膜が金属的であり,CNT/SiC界面にショットキー型の接合が形成されていることが明らかとなった。また,光電子スペクトルを詳細に解析することにより,界面での障壁高さが1.38eVであることがわかった。一方,本手法におけるCNT生成過程についてX線吸収分光(XAFS)法を用いて,その場測定による解明を行い,生成メカニズムについて議論を行った。

研究成果

• [雑誌論文] Nobuhiro Kosugi, Band alignment of a carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction formed by surface decomposition of SiC using photoelectron spectroscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroyuki Yamane
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 101巻
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sumi o Ii jima, Singl e-Wal l ed Carbon Nanot ubeSynt hesi s on Si O/ Si subst rat es at ver y l ow pressures by t he al cohol gassource met hod usi ng a Pt cat al yst (2012)
  • 著者名/発表者名: Yoshi hi ro Mi zut ani , Naoya Fukuoka, Shi geya Nar it suk, Takahi roMar uyama
  • 雑誌名: Di amond & Rel at . Mat er. 巻: 26巻 ページ: 78-82
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sumio Ii jima, LowTemperat ure Synt ehesis ofSi ngl e-Wal led Carbon Nanot ubes in aHi gh Vacuum usi ng Pt cat al yst i nAl cohol Gas Source Met hod, Jpn. (2012)
  • 著者名/発表者名: Naoya Fukuoka, Yoshihiro Mizut ani , Shi geya Narit suka, Takahi roMar uyama
  • 雑誌名: J. Appl . Phys. 巻: 51巻
  • 査読あり
• [雑誌論文] Near-edgeX-rayabsorption fine structure study of vertically aligned carbon nanotubesgrown by the surface decomposition of SiC (2012)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro,Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Kenta Amemiya, Hideshi Ishii,ToshiakiOhta
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 51巻
  • 査読あり
• [雑誌論文] Band alignment of a carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction formed by surface decomposition of SiC using photoelectron spectroscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Hiroyuki Yamane, Nobuhiro Kosugi (Takahiro Maruyama)
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett 巻: 101 ページ: 92106-92106
  • DOI: 10.1063/1.4748792
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low Temperature Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes from Pt Catalysts under Low Ethanol Pressure by Alcohol Gas Source Method (2012)
  • 著者名/発表者名: Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Takahiro Maruyama (H. Kondo)
  • 雑誌名: J. Nanotechnology 巻: 2012 ページ: 690304-690304
  • DOI: 10.1155/2012/690304
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt catalyst in Alcohol Gas Source Method (2012)
  • 著者名/発表者名: Naoya Fukuoka, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima (N. Fukuoka)
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 ページ: 06FD23-06FD23
  • DOI: 10.1143/jjap.51.06fd23
  • NAID: 210000140739
  • ISSN: 0021-4922, 1347-4065
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Walled Carbon Nanotube Synthesis on SiO2/Si substrates at very low pressures by the alcohol gas source method using a Pt catalyst (2012)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Mizutani, Naoya Fukuoka, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijima (Y. Mizutani)
  • 雑誌名: Diamond & Relat. Mater. 巻: 26 ページ: 78-82
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2012.04.007
  • 査読あり
• [雑誌論文] Near-Edge X-Ray Absorption Fine Structure Study of Vertically Aligned Carbon Nanotubes Grown by the Surface Decomposition of SiC (2012)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Shigeya Naritsuka, Wataru Norimatsu, Michiko Kusunoki, Kenta Amemiya, Hideshi Ishii, Toshiaki Ohta (T. Maruyama)
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 ページ: 055102-055102
  • DOI: 10.1143/jjap.51.055102
  • NAID: 210000140610
  • ISSN: 0021-4922, 1347-4065
  • 査読あり
• [雑誌論文] Direct Growth of Carbon Nanotubes on ZnO (000-1) Substrate Surface using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum Method (2012)
  • 著者名/発表者名: Takayasu Iokawa, Tomoyuki Tsutsui, Shigeya Naritsuka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 51 号: 1 ページ: 01AH04-01AH04
  • DOI: 10.1143/jjap.51.01ah04
  • ISSN: 0021-4922, 1347-4065
  • 査読あり
• [雑誌論文] Sumio Iijima, Single-Walled Carbon Nanotube Growth in High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method (2011)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Yoshihiro Mizutani, Shigeya Naritsuka
  • 雑誌名: Mater. Express 巻: 1巻 ページ: 267-272
  • 査読あり
• [雑誌論文] Kenta Amemiya, Initial stage of carbon nanotube formation process by surface decomposition of SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama,Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka
  • 雑誌名: STM and NEXAFS study, Diamond & Relat. Mater. 巻: 20巻 ページ: 1325-1328
  • 査読あり
• [雑誌論文] SWNT growth on A120x/Co/A120x multilayer catalyst using alcohol gas source method in high vacuum (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Mizutani, K.Sato, T.Maruyama, S.Naritsuka
  • 雑誌名: J.Cryst.Growth 巻: 318 ページ: 1101-1104
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.084
  • 査読あり
• [雑誌論文] Initial stage of carbon nanotube formation process by surface decomposition of SiC : STM and NEXAFS study (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Maruyama, S.Sakakibara, S.Naritsuka, K.Amemiya
  • 雑誌名: Diamond & Relat.Mater. 巻: 20 ページ: 1325-1328
  • DOI: 10.1016/j.diamond.2011.09.001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Single-Walled Carbon Nanotube Growth in High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Maruyama, Y.Mizutani, S.Naritsuka S.Lijima
  • 雑誌名: Materials Express 巻: 1 ページ: 267-272
  • DOI: 10.1166/mex.2011.1046
  • 査読あり
• [雑誌論文] SWNT growth on Al_2O_x/Co/Al_2O_x multilayer catalyst using alcohol gas source method in high vacuum (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Mizutani, 他
  • 雑誌名: J.Cryst.Growth 巻: 318 ページ: 1101-1104
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of6H-SiC(000-1) (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Ueda, Y. Iijima, T. Maruyama and S.Naritsuka
  • 雑誌名: J. Nanotechnol. Nanosci. 巻: 10巻 ページ: 4054-4059
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Maruyama, K. Sato, Y. Mizutani, K.Tanioku, T. Shiraiwa and S. Naritsuka
  • 雑誌名: J. Nanotechnol. Nanosci. 巻: 10巻 ページ: 4095-4101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Annealing in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC(000-1) (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ueda, 他
  • 雑誌名: J.Nanotechnol.Nanosci. 巻: 10 ページ: 4054-4059
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Sato, 他
  • 雑誌名: J.Nanotechnol.Nanosci. 巻: 10 ページ: 3929-3933
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Maruyama, 他
  • 雑誌名: J.Nanotechnol.Nanosci. 巻: 10 ページ: 4095-4101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Buffer Thickness on Single-Walled Carbon Nanotube Growth using Aluminum Oxide Buffer Layer with Alcohol Gas Source Method (2010)
  • 著者名/発表者名: Kuniori Sato, Tomoyuki Shiraiwa, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
  • 雑誌名: J.Nanotechnol.Nanosci. 10 ページ: 3929-3933
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Anncaling in a Hydrogen Atmosphere on Carbon Nanocap Formation in Surface Decomposition of 6H-SiC(000-1) (2010)
  • 著者名/発表者名: K.Ueda, Y.Iijima, T.Maruyama, S.Naritsuka
  • 雑誌名: J.Nanotechnol.Nanosci 10 ページ: 4054-4059
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes by Alcohol Gas Source Growth in High Vacuum (2010)
  • 著者名/発表者名: T.Maruyama, K.Sato, Y.Mizutani, K.Tanioku, T.Shiraiwa, S.Naritsuka
  • 雑誌名: J.Nanotechnol.Nanosci. 10 ページ: 4095-4101
  • 査読あり
• [雑誌論文] Enhancement of Single-Walled Carbon Nanotube Formation Using Aluminum Oxide Buffer Layer in Alcohol Gas Source Method (2010)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Tomoyuki Shiraiwa, Kuninori Sato, Shigeya Naritsuka
  • 雑誌名: MRS Proceedings 1142-JJ ページ: 5-7
  • 査読あり
• [雑誌論文] (2009)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka, Michiko Kusunoki
  • 雑誌名: Research Progress in Materials Science(NOVA Science Publishers) ページ: 131-148
• [学会発表] SiC表面分解法による4H-SiC上へのCNT形成とCNT/4H-SiCヘテロ界面の電気的特性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 矢嶋孝敏,成塚重弥,丸山隆浩
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会27p-G12-16
  • 発表場所: 神奈川工科大学(神奈川県厚木市)
  • 年月日: 2013-03-27
• [学会発表] Growth and Property of Carbon Nanotubes formed on SiC by Thermal Decomposition (2012)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama
  • 学会等名: Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG) C4
  • 発表場所: Orland Florida, USA
  • 年月日: 2012-12-10
• [学会発表] In situ NEXAFS Study on Carbon Nanotube Growth Process by Surface Decomposition of SiC (2012)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka and Kenta Amemiya
  • 学会等名: 第43回フ ラーレン・ナノチューブ・グラフェン総 合シンポジウム 1P-34、東北大学百周年 記念会館
  • 発表場所: 川内萩ホール(仙台)
  • 年月日: 2012-09-05
• [学会発表] Effect of Growth Temperature on Growth Rate in Carbon Nanotube Formation by Surface Decomposition of SiC (2012)
  • 著者名/発表者名: Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama
  • 学会等名: 第43回フ ラーレン・ナノチューブ・グラフェン総 合シンポジウム 1P-37、東北大学百周年記念会館
  • 発表場所: 川内萩ホール(仙台)
  • 年月日: 2012-09-05
• [学会発表] Band alignment of carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction determined by photoelectron spectroscopy (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Maruyama, S. Sakakibara, S. Naritsuka, H. Yamane and N. Kosugi
  • 学会等名: 第31回電子材料シンポジ ウム(EMS-31)Th3-7
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺
  • 年月日: 2012-07-12
• [学会発表] Ishii, T. Ohta, NEXAFS study on carbon nanotube growth by surface decomposition of SiC (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Maruyama, S. Sakakibara, Y. Ishiguro, S.Naritsuka, K. Amemiya, H.
  • 学会等名: The Annual World Conference on Carbon (Carbon 2012), 497
  • 発表場所: Auditorium Maximum, Krakow, Porland
  • 年月日: 2012-06-18
• [学会発表] t触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長:成長温度依存性 (2012)
  • 著者名/発表者名: 福岡直也, 水谷芳裕, 近藤弘基, 丸山隆浩, 成塚重弥, 飯島澄男
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学早稲田キャンパス
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ成長における昇温速度の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 石黒祐樹, 榊原聡, 伊藤宏晃, 矢嶋孝敏, 成塚重弥, 丸山隆浩
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学早稲田キャンパス
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] 高分解能光電子分光によるCNT/SiC界面バンドアライメントの研究 (2012)
  • 著者名/発表者名: 榊原悟史, 丸山隆浩, 成塚重弥, 山根宏之, 小杉信博
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学早稲田キャンパス
  • 年月日: 2012-03-15
• [学会発表] ene encapsulation inside carbon nanotubes fromed by surface decomposition (2012)
  • 著者名/発表者名: Yuki Mori, Takahiro Maruyama, Shigeya Narituska
  • 学会等名: The 42nd Fullerenes-nanotubes-Graphene General Symposium
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス
  • 年月日: 2012-03-08
• [学会発表] rbon Nanotube Syntehsis at Low Temperature using Pt catalyst in Alcohol (2012)
  • 著者名/発表者名: T.Maruyama, N.Fukuoka, Y.Mizutani, H.Kondo, S.
  • 学会等名: The 42nd Fullerenes-nanotubes-Graphene General Symposium
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス
  • 年月日: 2012-03-07
• [学会発表] SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ成長における昇温速度の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 石黒祐樹,榊原聡,伊藤宏晃,矢嶋孝敏,成塚重弥,丸山隆浩
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会15a-A3-4、早稲田大学
  • 発表場所: 東京都新宿区
• [学会発表] Low Temperature Synthesis of Single-Walled Carbon Nanotubes in a High Vacuum using Pt Catalyst in Alcohol Gas Source Method (2011)
  • 著者名/発表者名: N.Fukuoka, Y.Mizutani, T.Maruyama, S.Naritsuka, S.
  • 学会等名: 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011)
  • 発表場所: 全日空ホテル京都(京都)
  • 年月日: 2011-10-27
• [学会発表] 高温NEXAFSその場測定によるカーボンナノチューブ成長初期過程の観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩、榊原悟史、成塚重弥、雨宮健太
  • 学会等名: 第14回XAFS討論会3O02、岡崎コンファレンスセンター
  • 発表場所: 岡崎市
  • 年月日: 2011-09-11
• [学会発表] 高温NEXAFSその場測定によるカーボンナノチューブ成長初期過程の観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩、榊原悟史、成塚重弥、雨宮健太
  • 学会等名: 第14回XAFS討論会
  • 発表場所: 岡崎コンファレンスセンター
  • 年月日: 2011-09-11
• [学会発表] 高温NEXAFS法によるカーボンナノキャップ生成過程の観察 (2011)
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩、榊原悟史、成塚重弥、雨宮健太
  • 学会等名: 第41回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
  • 発表場所: 首都大学東京南大沢キャンパス
  • 年月日: 2011-09-05
• [学会発表] SiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成における昇温速度の影響 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石黒祐樹、榊原悟史、伊藤宏晃、成塚重弥、丸山隆浩
  • 学会等名: 第41回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
  • 発表場所: 首都大学東京南大沢キャンパス
  • 年月日: 2011-09-05
• [学会発表] 高真空アルコールガスソース法によるPt触媒を用いた低圧力成長におけるSWNTの直径分布 (2011)
  • 著者名/発表者名: 水谷芳裕、福岡直也、丸山隆浩、成塚重弥、飯島澄男
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] 真空アルコールガスソース法を用いたPt/SiO2/Si基板上でのSWNTの低圧力低温成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 福岡直也、水谷芳裕、丸山隆浩、成塚重弥、飯島澄男
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形大学小白川キャンパス
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] In situ NEXAFS study of Initial Growth Process of Carbon Nanotube by Surface Decomposition of SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyamal, Satoshi Sakakibara, Hiroaki Itoh
  • 学会等名: 12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
  • 発表場所: Cambridge, UK
  • 年月日: 2011-07-11
• [学会発表] Photoemission study of Energy Band Alignment of CNT/SiC Heterostructure Formed by Surface Decomposition (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Sakakibara, H.Ito, S.Naritsuka, H.Yamane, E.
  • 学会等名: 12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
  • 発表場所: Cambridge, UK
  • 年月日: 2011-07-11
• [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth at Low Pressure from Pt catalyst using Alcohol Gas Source Method (2011)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Mizutani, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
  • 学会等名: 12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11)
  • 発表場所: Cambridge, UK
  • 年月日: 2011-07-11
• [学会発表] Formation Process of Carbon Nanocap in Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Maruyama, S. Sakakibara, H. Ito, S.Naritsuka and K. Amemiya
  • 学会等名: International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011 (NDNC 2011), Kunibiki Messe
  • 発表場所: Matsue, Japan
  • 年月日: 2011-05-17
• [学会発表] Formation Process of Carbon Nanocap in Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Maruyama, S.Sakakibara, H.Tto, S.Naritsuka, K.Amemiva
  • 学会等名: International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011 (NDNC 2011)
  • 発表場所: くにびきメッセ(松江)
  • 年月日: 2011-05-17
• [学会発表] 表面分解法で4H-SiCと6H-SiCから成長したカーボンナノチューブのラマン分光法での比較 (2011)
  • 著者名/発表者名: 石黒祐樹, 他
  • 学会等名: 第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 名城大学(名古屋)
  • 年月日: 2011-03-08
• [学会発表] 高真空アルコールガスソース法によるPt触媒を用いたSWNTの低圧力成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 水谷芳裕, 他
  • 学会等名: 第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 名城大学(名古屋)
  • 年月日: 2011-03-08
• [学会発表] アルコールガスソース法によるZnO(000-1)基板上カーボンナノチューブ成長 (2011)
  • 著者名/発表者名: 筒井智之, 他
  • 学会等名: 第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 名城大学(名古屋)
  • 年月日: 2011-03-08
• [学会発表] Carbon Nanotube Growth on ZnO Substrate Surfaces using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum (2011)
  • 著者名/発表者名: T.Iokawa, 他
  • 学会等名: ISPlasma 2011
  • 発表場所: 名古屋工業大学(名古屋)
  • 年月日: 2011-03-07
• [学会発表] Electrical Property of CNT/SiC Interface formed by Surface Decomposition of SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: S.Sakakibara, 他
  • 学会等名: ISPlasma 2011
  • 発表場所: 名古屋工業大学(名古屋)
  • 年月日: 2011-03-07
• [学会発表] In situ NEXAFS study of Initial Growth Process of Carbon Nanotube by Surface Decomposition of SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Satoshi Sakakibara, Hiroaki Itoh, Shigeya Naritsuka and Kenta Amemiya
  • 学会等名: 12th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT11), P133 2011 年 7 月 11 日 & Satellite Meeting Metrology, Standardization and Industrial Quality of Graphene and Nanotubes (MSIGN11)
  • 発表場所: Cambridge, UK
• [学会発表] Formation Mechanism and Property of Carbon Nanotubes Grown by Decomposition of SiC Surface (2010)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama
  • 学会等名: International Conference on Carbon Nanotechnology : Potential and Challenge
  • 発表場所: カンプール(インド)
  • 年月日: 2010-12-16
• [学会発表] カーボンナノチューブ成長技術の紹介 (2010)
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩, 他
  • 学会等名: NEC×名城大学大学院理工学研究科技術交流会
  • 発表場所: 名城大学(名古屋)
  • 年月日: 2010-11-18
• [学会発表] SiC表面分解によるカーボンナノチ ューブ生成初期過程のその場NEXAFS測 定の試み (2010)
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩,榊原悟史,成塚重弥,雨宮健太
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演 会 17a-ZQ-3
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] アルコールガスソース法によるZnO単結晶表面上カーボンナノチューブ成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 五百川隆康, 他
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] 高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長におけるAl_2O_x/Co/Al_2O_x多層触媒の効果 (2010)
  • 著者名/発表者名: 水谷芳裕, 他
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
  • 年月日: 2010-09-17
• [学会発表] SiC表 面分解法により形成したCNT/SiC接合界 面の電気的特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 榊原悟史,丸山隆浩,成塚重弥
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学 術講演会 16p-ZQ-3
  • 発表場所: 長崎大学
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] Sic表面分解法により形成したCNT/SiC接合界面の電気的特性 (2010)
  • 著者名/発表者名: 榊原悟史, 他
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大学(長崎)
  • 年月日: 2010-09-16
• [学会発表] 6H-SiC(000-1)の高真空下での表面分解によるカーボンナノチューブ成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 伊藤宏晃, 他
  • 学会等名: 第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 京都大学(京都)
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] 高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長におけるAl_2O_x/Co/Al_2O_x多層触媒の役割 (2010)
  • 著者名/発表者名: 水谷芳裕, 他
  • 学会等名: 第39回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 京都大学(京都)
  • 年月日: 2010-09-06
• [学会発表] SWNT Growth on Al_2O_x/Co/Al_2O_x Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum (2010)
  • 著者名/発表者名: Yoshihiro Mizutani, 他
  • 学会等名: ICCG-16
  • 発表場所: 北京(中国)
  • 年月日: 2010-08-09
• [学会発表] Effects of Water Addition on Single-Walled Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum (2010)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Kuninori Sato, Shigeya Naritsuka
  • 学会等名: 11th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT10), 278
  • 発表場所: Montreal, Canada
  • 年月日: 2010-06-30
• [学会発表] Effects of Water Addition on Single-Walled Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum (2010)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, 他
  • 学会等名: NT10
  • 発表場所: モントリオール(カナダ)
  • 年月日: 2010-06-30
• [学会発表] アルコールガスソース法によるGaN基板上カーボンナノチューブ成長 (2010)
  • 著者名/発表者名: 五百川隆康, 他
  • 学会等名: 平成21年度中部地区ナノテク総合支援成果報告会
  • 発表場所: 名古屋工業大学(名古屋)
  • 年月日: 2010-05-11
• [学会発表] 表面分解法で4H-SiCと6H-SiCから成長したカーボンナノチューブのラマン分光法での比較 (2010)
  • 著者名/発表者名: 石黒祐樹、榊原悟史、伊藤宏晃、丸山隆浩、成塚重弥
  • 学会等名: 第40回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム1P-5
  • 発表場所: 名城大学
  • 年月日: 2010-03-08
• [学会発表] SWNT Growth on Al_2O_x/Co/Al_2O_x Multilayer Catalyst using Alcohol Gas Source Method in High Vacuum (2010)
  • 著者名/発表者名: 佐藤一徳, 水谷芳裕, 丸山隆浩, 成塚重弥
  • 学会等名: 第38回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: 名城大学(名古屋)
  • 年月日: 2010-03-03
• [学会発表] カーボンナノチューブの作製技術と構造制御 (2009)
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩
  • 学会等名: 第2回カーボンナノチューブ応用研究会
  • 発表場所: 名城大学(名古屋)
  • 年月日: 2009-12-08
• [学会発表] Purification of Carbon Nanotube Films Formed on SiC Substrates by Surface Decomposition (2009)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Fumiya Nakahama, Shigeya Naritsuka
  • 学会等名: 2009 MRS Fall Meeting K 14.40, Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel
  • 発表場所: Boston, MA, USA
  • 年月日: 2009-12-01
• [学会発表] Purification of Carbon Nanotube Films Formed on SiC Substrates by Surface Decomposition (2009)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Fumiya Nakahama, Shigeya Naritsuka
  • 学会等名: 2009 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Hynes Convention Center(ボストン)
  • 年月日: 2009-12-01
• [学会発表] Enhancement Mechanism of SWNT Yield with Al2Ox Buffer Layer in Low Temperature Growth,2009 MRS Fall Meeting K 5.27 (2009)
  • 著者名/発表者名: Kuninori Sato, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
  • 学会等名: Hynes Convention Center and Sheraton Boston Hotel
  • 発表場所: Boston, MA, USA
  • 年月日: 2009-11-30
• [学会発表] Enhancement Mechanism of SWNT Yield with Al_2O_x Buffer Layer in Low Temperature Growth (2009)
  • 著者名/発表者名: Kuninori Sato, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
  • 学会等名: 2009 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: Hynes Convention Center(ボストン)
  • 年月日: 2009-11-30
• [学会発表] SiC表面分解法により生成したカーボンナノチューブ膜の精製 (2009)
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩,中浜郁也,成塚重弥
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会9p-ZR-11
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] SiC表面分解法により生成したカーボンナノチューブ膜の精製 (2009)
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩, 中浜郁也, 成塚重弥
  • 学会等名: 第70回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 富山大学(富山)
  • 年月日: 2009-09-09
• [学会発表] Influence of Water Addition on Carbon Nanotube Growth by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum (2009)
  • 著者名/発表者名: 佐藤一徳, 丸山隆浩, 成塚重弥
  • 学会等名: 第37回フラーレン・ナノチューブ総合シンポジウム
  • 発表場所: つくば国際会議場(つくば)
  • 年月日: 2009-09-03
• [学会発表] Temperature dependence study of SWNT growth using Pt catalyst in Alcohol Gas Source Method in High vacuum
  • 著者名/発表者名: N. Fukuoka, Y. Mizutani, H. Kondo, S. Naritsuka, T. Maruyama, S. Iijima (T. Maruyama)
  • 学会等名: The Annual World Conference on Carbon (Carbon 2012)
  • 発表場所: クラクフ（ポーランド）
• [学会発表] NEXAFS study on carbon nanotube growth by surface decomposition of SiC
  • 著者名/発表者名: T. Maruyama, S. Sakakibara, Y. Ishiguro, S. Naritsuka, K. Amemiya, H. Ishii, T. Ohta (T. Maruyama)
  • 学会等名: The Annual World Conference on Carbon (Carbon 2012)
  • 発表場所: クラクフ（ポーランド）
• [学会発表] Single-Walled Carbon Nanotube Growth under Low Ethanol Pressure by the Gas Source Method: Comparison between Pt and Co Catalysts
  • 著者名/発表者名: T. Maruyama, N. Fukuoka, H. Kondo, Y. Mizutani, S. Naritsuka, S. Iijima (T. Maruyama)
  • 学会等名: IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
  • 発表場所: 横浜市
• [学会発表] NEXAFS Study of Carbon Nanotube Alignment formed by Surface Decomposition of SiC
  • 著者名/発表者名: Y. Ishiguro, S. Sakakibara, S. Naritsuka, W. Norimatsu, M. Kusunoki, K. Amemiya, H. Ishii, T. Ohta, T. Maruyama (T. Maruyama)
  • 学会等名: IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012)
  • 発表場所: 横浜市
• [学会発表] Electric Property of CNT/n-type 6H-SiC Heterojunctions formed by Surface Decomposition of SiC
  • 著者名/発表者名: T. Yajima, S. Sakakibara, S. Naritsuka, T. Maruyama (T. Maruyama)
  • 学会等名: 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
  • 発表場所: 神戸市
• [学会発表] Low Temperature SWNT Growth from Pt Catalyst using Alcohol Gas Soucrce Method in High Vacuum
  • 著者名/発表者名: H. Kondo, N. Fukuoka, Y. Mizutani, R. Ghosh, S. Narsituska, T. Maruyama, S. Iijima (T. Maruyama)
  • 学会等名: 25th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2012)
  • 発表場所: 神戸市
• [学会発表] SWNT Growth from Pt Catalyst at Very Low Pressures by the Alcohol Gas Source Method
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Naoya Fukuoka, Hiroki Kondo Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka (T. Maruyama)
  • 学会等名: 2012 MRS Fall Meeting
  • 発表場所: ボストン（アメリカ）
• [学会発表] Growth and Property of Carbon Nanotubes formed on SiC by Thermal Decomposition
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama (T. Maruyama)
  • 学会等名: Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
  • 発表場所: オーランド（アメリカ）
  • 招待講演
• [学会発表] Band alignment of carbon nanotube/n-type 6H-SiC heterojunction determined by photoelectron spectroscopy
  • 著者名/発表者名: T. Maruyama, S. Sakakibara, S. Naritsuka, H. Yamane, N. Kosugi (T. Maruyama)
  • 学会等名: 第31回電子材料シンポジウム（EMS-31）
  • 発表場所: 伊豆市
• [学会発表] In situ NEXAFS Study on Carbon Nanotube Growth Process by Surface Decomposition of SiC
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Yuki Ishiguro, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Kenta Amemiya (T. Maruyama)
  • 学会等名: 第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
  • 発表場所: 仙台市
• [学会発表] Carbon Nanotube Growth on ZnO(0001) Zn-face using Gas Source Method in High Vacuum
  • 著者名/発表者名: Takeshi Kawai, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama (T. Maruyama)
  • 学会等名: 第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
  • 発表場所: 仙台市
• [学会発表] Low Temperature Growth of SWNTs on Pt catalyst by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
  • 著者名/発表者名: Hiroki Kondo, Naoya Fukuoka, Ghosh Ranajit, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama, Sumio Iijim (T. Maruyama)
  • 学会等名: 第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
  • 発表場所: 仙台市
• [学会発表] Effect of Growth Temperature on Growth Rate in Carbon Nanotube Formation by Surface Decomposition of SiC
  • 著者名/発表者名: Takatoshi Yajima, Satoshi Sakakibara, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama (T. Maruyama)
  • 学会等名: 第43回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
  • 発表場所: 仙台市
• [学会発表] SiC表面分解法により形成した垂直配向カーボンナノチューブのNEXAFS測定
  • 著者名/発表者名: 丸山隆浩，石黒祐樹，榊原悟史，成塚重弥，乗松 航，楠美智子，雨宮健太，石井秀司，太田俊明 (丸山隆浩)
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山市
• [学会発表] 高真空アルコールガスソース法によるPt触媒からのSWNT成長
  • 著者名/発表者名: 福岡直也，水谷芳裕，近藤弘基，Ghosh Ranajit，成塚重弥，丸山隆浩，飯島澄男 (丸山隆浩)
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山市
• [学会発表] Pt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT低温成長
  • 著者名/発表者名: 近藤弘基，福岡直也，水谷芳裕，Ghosh Ranajit，成塚重弥，丸山隆浩，飯島澄男 (丸山隆浩)
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山市
• [学会発表] SWNT growth from Pt catalysts on Al2Ox buffer layer by Alcohol Gas Source Method in High Vacuum
  • 著者名/発表者名: Naoya Fukuoka, Hiroki Kondo, Yuya Sawaki, Ranajit Ghosh, Shigeya Naritsuka, Takahiro Maruyama (T. Maruyama)
  • 学会等名: 第44回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
  • 発表場所: 東京都文京区
• [学会発表] EB蒸着法により作製したPt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT成長
  • 著者名/発表者名: 近藤弘基，福岡直也，Ghosh Ranajit，成塚重弥，丸山隆浩，飯島澄男 (丸山隆浩)
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木市
• [学会発表] SiC表面分解法による4H-SiC上へのCNT形成とCNT/4H-SiCヘテロ界面の電気的特性
  • 著者名/発表者名: 矢嶋孝敏，成塚重弥，丸山隆浩 (丸山隆浩)
  • 学会等名: 第６０回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 厚木市
• [図書] In Tech, Initial Growth Process of Carbon Nanotubes in Surface Decomposition of SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, 他
• [図書] Initial Growth Process of Carbon Nanotubes in Surface Decomposition of SiC (2011)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
  • 総ページ数: 18
  • 出版者: In Tech (Rijeka, Croatia)
• [図書] Carbon Nanotube Growth by Surface Decomposition of SiC (2009)
  • 著者名/発表者名: Takahiro Maruyama, 他
  • 出版者: Nova Science Publishers
• [備考]
  • URL: http://wwwrz.meijo-u.ac.jp/labo/maruyama/index.html
• [産業財産権] グラフェン配線構造 (2011)
  • 発明者名: 成塚重弥,丸山隆浩
  • 権利者名: 学校法人 名城大学
  • 出願年月日: 2011-07-26
• [産業財産権] グラフェン素材の製造方法 (2011)
  • 発明者名: 成塚重弥,丸山隆浩
  • 権利者名: 学校法人 名城大学
  • 出願年月日: 2011-07-05
• [産業財産権] グラフェン素材の製造方法及びグラフ ェン素材 (2011)
  • 発明者名: 成塚重弥,丸山隆浩
  • 権利者名: 学校法人 名城大学
  • 出願年月日: 2011-06-14
• [産業財産権] グラフェン素材の製造方法及びグラフ ェン素材 (2011)
  • 発明者名: 成塚重弥,丸山隆浩
  • 権利者名: 学校法人 名城大学
  • 出願年月日: 2011-02-15
• [産業財産権] グラフェン素材の製造方法及びグラフェン素材 (2010)
  • 発明者名: 成塚重弥、丸山隆浩
  • 権利者名: 名城大学
  • 産業財産権番号: 2010-284762
  • 出願年月日: 2010-12-26