| 研究課題/領域番号 |
21540292
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
素粒子・原子核・宇宙線・宇宙物理
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| 研究機関 | 岩手大学 |
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研究代表者 |
成田 晋也 岩手大学, 工学部, 准教授 (80322965)
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| 連携研究者 |
山田 省二 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授 (00262593)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
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| キーワード | 半導体検出器 / 放射線計測 / 放射線損傷 / 窒化ガリウム / 酸化亜鉛 / 化合物半導体 / ショットキーダイオード / 放射線検出器 / 放射線耐性 |
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| 研究概要 |
本研究では、代表的な新世代化合物半導体である窒化ガリウム(GaN)および酸化亜鉛(ZnO)を材料とした放射線検出器の開発を行った。実験では、これらの材料によって、検出器の基本素子となるダイオードを作製し、各種電気特性や粒子線入射に対する検出性能を評価した。その結果、α線やX線に対する高感度センサの開発に成功した。また、素子への陽子線照射による影響を評価したところ、照射量10^<15>p/cm^2程度までは、大きな劣化は観られず、これらの材料の放射線損傷に対する高い耐性が示された。
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