| 研究課題/領域番号 |
21540322
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
服部 賢 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 准教授 (00222216)
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| 研究協力者 |
大門 寛 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 教授
上田 一之 豊田工業大学, 名誉教授
米井 仁志 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 博士課程前期課程
立花 和也 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 博士課程前期課程
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2011年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2010年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2009年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 走査トンネル顕微鏡 / へき開法 / 断面 / シリコン / 界面構造 / へき開 / 薄膜 / シリコン表面 |
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| 研究概要 |
シリコンウェハー表面上に形成される薄膜系を含む界面領域の断面構造を走査トンネル顕微観察するために必要となるへき開法を新たに開発した。これは従来よりも簡便で、広くて平坦なへき開断面が得られる手法である。金属-酸化膜-半導体構造を持つシリコンを本手法にて真空へき開し、界面領域の顕微観察を行った。走査トンネル分光法と組み合わせることにより、金属断面領域と半導体断面領域の判別に成功した。
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