| 研究課題/領域番号 |
21540333
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
池上 敬一 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 副研究部門長 (50356416)
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| 連携研究者 |
高島 浩 独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門・酸化物デバイスグループ, 主任研究員 (10357353)
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| 研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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| 研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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| 配分額 *注記 |
4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)
2011年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2010年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2009年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 光物性 / ペロブスカイト型酸化物蛍光体 / エネルギー移動 / 単分子膜 / 酸化物蛍光体 / ペロブスカイト蛍光体 / 電界発光 / 蛍光寿命 / LB膜 |
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| 研究概要 |
単分子膜形成技術の応用により、代表的なペロブスカイト蛍光体であるPCSTOの発光機構解明を試みた。紫外線励起であっても電荷注入励起であっても、発光中心であるPrが励起される状態は同一であり、必要な励起エネルギーも同一のほぼ4eVであること、電荷注入励起ではPCSTO/電極界面にトラップされている反対電荷との再結合が重要なことなどから、母結晶が励起されて生じた電子正孔対が直接Prに移るのではなく、その再結合過程からPrへのエネルギー移動が主過程となっていると示唆された。
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