| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2011年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2010年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2009年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| 研究概要 |
本研究は,強磁性/反強磁性積層膜の界面における「磁気的フラストレーション効果」を用いて,物質の(とりわけ反強磁性体の)磁気的性質を積極的に制御することが可能かどうか,実験的に探ることを主目的とした.研究期間内には磁気的フラストレーション効果を通じて磁気転移温度などが自在に制御できていることを明確に示すデータが観測されるには至らず,現段階の技術では積極的制御が容易ではないことが示された.一方,研究を推進していく上で試料面での要素技術であった良質の強磁性薄膜および反強磁性薄膜の作製には進歩がみられ,原子層制御交互蒸着法を用いた自然界に存在しない新しい強磁性合金の作製に発展した.また,測定面での要素技術であった放射光核共鳴散乱は,本研究が駆動力となって薄膜試料測定用手段として格段の進歩を遂げ,今後の磁性薄膜研究への有効利用に繋がる成果が得られた
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