研究課題/領域番号 |
21540357
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
物性Ⅱ
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研究機関 | 信州大学 |
研究代表者 |
天谷 健一 信州大学, 教育学部, 教授 (70261279)
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連携研究者 |
網塚 浩 北海道大学, 大学院・理学研究院, 教授 (40212576)
横山 淳 茨城大学, 理学部, 准教授 (70361285)
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研究期間 (年度) |
2009 – 2011
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研究課題ステータス |
完了 (2011年度)
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配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2011年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2010年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2009年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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キーワード | 強相関電子系 / 低温物性 / 物性実験 / 超伝導材料・素子 / 異方的超伝導 / フラックスジャンプ / 磁化 / ピニング |
研究概要 |
スピン三重項超伝導体Sr_2RuO_4やUPt_3の純良試料に磁場を[ 001]方向に印加し磁化測定を行なうと,極低温下ゼロ磁場近傍においてヒステリシス磁化に微小の「とび」(マイクロフラックスジャンプ)が数多く観測され,スピン一重項超伝導体の純良試料の場合と異なる振る舞いを見せる.本研究では,対称性の異なる超伝導体で発生するフラックスジャンプの類似点・相違点等を詳細に調べ,マイクロフラックスジャンプが,超伝導秩序変数の内部自由度から生じる超伝導ドメイン構造に起因している可能性を指摘した.
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